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横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制
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人工晶体学报 2023年 第9期52卷 1641-1650页
作者： 王黎光 芮阳 盛旺 马吟霜 马成 陈炜南 邹啟鹏 杜朋轩 黄柳青 罗学涛 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 宁夏半导体级硅晶圆材料工程技术研究中心银川750021 厦门大学材料学院 厦门市电子陶瓷材料与元器件重点实验室厦门361005 厦门大学深圳研究院 深圳518063 宁夏职业技术学院 银川750021
利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明:在横向磁场下,硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性,熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 博看期刊 评论
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