检索结果-南通市图书馆

作者：马佳杰东北大学

学位级别：硕士

以闪存为代表的传统存储器,已经到了尺寸缩减的瓶颈期,而在众多新型非易失性存储器中,阻变存储器凭借其功耗低、擦写速度快、延展性高、寿命长、CMOS兼容性等优点,被认为是未来最有可能取代闪存的新产品。阻变存储器在大规模集成中,一... 详细信息

以闪存为代表的传统存储器,已经到了尺寸缩减的瓶颈期,而在众多新型非易失性存储器中,阻变存储器凭借其功耗低、擦写速度快、延展性高、寿命长、CMOS兼容性等优点,被认为是未来最有可能取代闪存的新产品。阻变存储器在大规模集成中,一直受到漏电流问题的困扰,为此开发出了 1d1r、1T1r、1S1r、CrS等多种单元结构来抑制漏电流。关于1d1r型阻变存储器的研究起步最早,报道最多,其相较于其它结构具有结构简单、单元面积小、易于集成等优点,受到了各大半导体企业的重视,但是关于其弯折失效机制却少有研究。本课题构建了有机/无机异质结的二极管和导电细丝类型的阻变单元,并探究了不同电极的影响,以及弯折对于二极管、阻变单元和1d1r的影响。论文主要内容如下:首先,以Al和GaIn为上下电极,选用有机材料9,9-二正辛基芴-苯并噻二唑共聚物(PFBT)和无机材料ZnO构建有机/无机异质结的二极管,通过改变电极(Au,Ag,Cu,Al)、膜层结构、插入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),并对二极管的理想因子和零偏压势垒高度进行计算,对二极管整流曲线进行线性拟合分析其输运机制,结合Abaqus分析其弯折失效机制。结果表明,不同种类的金属顶电极并未明显改变整流特性,可排除电极/功能层界面的影响;二极管正向偏压下满足热电子发射机制,负向偏压下满足P-F效应;随着外弯次数的增加,负向偏压下逐渐向欧姆传导过渡,正向偏压也逐渐向非理想状态偏移。其次,以TiO纳米粒子为阻变介质,Al为上电极,研究不同下电极(Al,Ag,Cu,ITO)对阻变特性的影响。结果表明,器件随着底电极金属功函数的增加,器件的开关比基本呈现增加的趋势,不同活性的电极对阻变稳定性有较大影响。对于化学活性较好的Ag、Cu电极,薄膜在生成氧空位导电细丝的同时,同时在薄膜内部会生成与底电极对应的金属导电细丝,这两种细丝的共同作用,一定程度上引起了阻变特性的不稳定;对于活性较差的ITO、Al电极,其阻变机理为单一的氧空位导电细丝,具有较好的阻变稳定性。实验选择阻变特性最优的Al/TiO/Al器件探究弯折对阻变机理的影响,器件在外弯3000次后,开关比出现较大退化,模拟发现TiO膜层的应力要明显大于上下Al电极层,因此在应力累积下,裂纹最先可能萌生在TiO层,并逐渐向上下电极蔓延。最后,通过将Al/PFBT/PMMA/ZnO/GaIn二极管和Al/TiO/Al阻变单元组合形成1d1r单元,并进行内外弯对比,发现二极管相较于阻变单元具有更好的抗弯折特性,无论在内弯中,1d1r单元的整流特性要先于阻变特性发生退化,1d1r单元在弯折600次后,二极管产生退化,此时ZnO层首先出现破坏,使得异质结内建电场破坏,整流特性下降;器件可在正负偏压下发生阻变,弯折1000次后,器件的阻变曲线逐渐向滞回曲线过渡,阻变现象逐渐消失,此时,器件内部的微裂纹生长已对氧空位细丝的主干产生破坏,使得器件难以形成完整的细丝通道。1d1r单元在外弯下的失效要比内弯下剧烈,器件承受拉应力要比压应力敏感,更容易造成裂纹、脱层、屈曲等失效形式。

关键词： 1d1r 有机/无机异质结弯折失效阻变

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

1d1r型阻变存储器的研究进展

引用

真空 2017年第5期54卷 71-77页

作者：马佳杰陈博王勃李建昌东北大学机械工程与自动化学院真空流体工程研究中心辽宁沈阳110819 沈阳真空技术研究所辽宁沈阳110042

本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1d1r型阻变存储器的研究进展。二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特基型)和聚合物二极管。硅基二极管性能优异,但制备温度高,不利于集成;氧化物二极管易制备,且与CMOS工艺兼... 详细信息

本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1d1r型阻变存储器的研究进展。二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特基型)和聚合物二极管。硅基二极管性能优异,但制备温度高,不利于集成;氧化物二极管易制备,且与CMOS工艺兼容,但正向电流密度不足;聚合物二极管虽然性能较差,但易于大面积制备,柔性好。单元结构可分为1d1r、1d2r和Bi-1d1r。1d1r研究最为广泛,但不适用于双极型阻变介质,1d2r和Bi-1d1r型可适用于双极型阻变介质。分析静态和柔性下的器件表明:阻变介质和制备方法对于存储器的性能有较大影响,柔性1d1r型阻变存储器已经具备了一定的抗弯扭、卷绕能力,其柔性主要受到基底性质、膜层间粘附力、杨氏模量差、材料属性等影响。

关键词：阻变二极管 1d1r 柔性电子

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于整流特性的rrAM无源交叉阵列研究进展

引用

中国科学：技术科学 2011年第4期41卷 403-411页

作者：张康玮龙世兵刘琦吕杭炳李颖弢王艳连文泰王明张森刘明中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

阻变存储器(resistance random access memory,rrAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3d集成等优点而得到广泛的关注,是rrAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文... 详细信息

阻变存储器(resistance random access memory,rrAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3d集成等优点而得到广泛的关注,是rrAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文从阻变存储器的集成、无源交叉阵列中的串扰现象出发,综述了应用在无源交叉阵列中的1d1r结构(one diode one resistor)和具有自整流效应的1r结构(one resistor),这2种结构在一定程度上都能够抑制串扰现象的出现,从而避免误读.与有源阵列相比,必须对无源交叉阵列发展一套行之有效的测试方法才能够正确地评估其性能并实现商业应用,综述了当前无源交叉阵列常用的操作电压配置方案.最后,展望了rrAM无源交叉阵列的应用前景.

关键词：整流特性无源交叉阵列阻变存储器 1d1r 自整流

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展

引用

微电子学 2022年第6期52卷 1016-1026页

作者：谭翊鑫何慧凯中国电子科技南湖研究院浙江嘉兴314001 中国科学技术大学先进技术研究院合肥230000

忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一... 详细信息

忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一步应用。文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因,主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案,总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景。

关键词：忆阻器漏电流 1T1r 1S1r 1d1r

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

阻变存储器交叉串扰与线电阻问题研究

阻变存储器交叉串扰与线电阻问题研究

引用

作者：李纪伟国防科学技术大学

学位级别：硕士

随着人们对于计算机存储容量和计算速度的需求不断增加,传统的半导体存储器件在工艺和速度上逐渐趋于其理论的极限,阻变存储器作为一种新型非易失存储器件,得益于其简单的架构、高集成密度、低功耗和高速读写操作的优势,正受到业界越来... 详细信息

随着人们对于计算机存储容量和计算速度的需求不断增加,传统的半导体存储器件在工艺和速度上逐渐趋于其理论的极限,阻变存储器作为一种新型非易失存储器件,得益于其简单的架构、高集成密度、低功耗和高速读写操作的优势,正受到业界越来越多的关注。交叉阵列集成结构使得阻变存储器能够以更高的集成密度在大容量信息存储和高速计算领域的产业革命中异军突起,取代半导体器件并有可能改变现有的计算机系统架构。然而,阻变存储器中存在的交叉串扰问题和线电阻问题一直制约其作为大规模存储器的发展,并随着集成规模和密度的增加而加剧。因此,在阻变存储器的实际应用中,必须对交叉串扰问题和线电阻问题采取相应的解决方案以提高阵列器件的读写操作性能。本文围绕阻变存储器中存在的以上两种问题进行了深入的研究,主要工作如下:论文第二章对阻变存储器中交叉串扰问题和线电阻问题的相关研究进行了综述,归纳总结了当前研究中存在的不足。论文第三章研究了1d1r结构阵列中的交叉串扰问题。首先介绍了1d1r单元的相关参数(3.1节),建立1d1r单元及基于1d1r单元的交叉阵列模型(3.2节)。通过模型分析研究了经典的1/2偏置方案和1/3偏置方案在1d1r结构的交叉阵列中存在的串扰问题,并提出了一种基于二极管导电特性的u/2偏置方案(3.3节)。该方案依据1d1r单元中二极管的正向压降确定偏置源电压值,使未选单元两端的电压偏置低于其正向导通压降的1/2,充分利用二极管的非对称阻值特性,显著减小了交叉串扰问题的影响。论文第四章研究了1d1r结构阵列中的线电阻问题,提出了一种基于电压源系数调整算法的单位数据写操作方法(4.3节),即针对被选单元的具体位置计算导电通路上线电阻的阻值及其分压比,通过调整相应的电压源系数使被选单元上的实际压降与期望的写操作电压相同,有效降低了线电阻对单位数据写操作的影响;针对阻变存储器中多位数据并行操作的需求,进一步提出了一种基于位线串联补偿电阻方法的同字线多位数据写操作方法(4.4节),通过在各位线上串联补偿电阻并针对字线调整写电压系数,减小了多位数据并行写操作时线电阻的影响。

关键词：阻变存储器交叉阵列 1d1r 交叉串扰线电阻问题

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：