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193nm ArF准分子激光系统对LA-ICP-MS分析中不同基体的剥蚀行为和剥蚀速率探究

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岩矿测试 2017年第5期36卷 451-459页

作者：吴石头许春雪 Klaus Simon 肖益林王亚平 Geowissenschaftliches Zentrum Gttingen Universitt 国家地质实验测试中心北京100037 中国科学技术大学地球和空间科学学院合肥安徽230026

探究LA-ICP-MS分析中不同基体的剥蚀行为和剥蚀速率,可为激光参数设定、基体匹配选择、数据质量保证等方面提供重要参考。本文研究了193 nm ArF准分子激光系统对人工合成/地质样品玻璃、常见矿物和粉末压片的剥蚀行为,同时探究了激光参... 详细信息

探究LA-ICP-MS分析中不同基体的剥蚀行为和剥蚀速率,可为激光参数设定、基体匹配选择、数据质量保证等方面提供重要参考。本文研究了193 nm ArF准分子激光系统对人工合成/地质样品玻璃、常见矿物和粉末压片的剥蚀行为,同时探究了激光参数(束斑直径、能量密度和剥蚀频率)对剥蚀速率的影响情况。从剥蚀坑形貌可知,193nm ArF激光对玻璃和绝大多数矿物的剥蚀行为良好,但对石英相对较差,这可能与石英内含有微观包裹体,剥蚀过程中局部受热不均有关。粉末压片的剥蚀行为呈现出不可控,可通过提高粉末压片的压制压力或降低粉末颗粒的粒径来改善剥蚀行为;当剥蚀深度大于1.5倍束斑直径时,剥蚀速率随剥蚀深度的增加而逐渐减小,剥蚀深度最多可达束斑直径的两倍左右(RESOlution M-50型号激光系统,3.0 J/cm2激光能量密度);剥蚀速率随激光能量密度的增加而增大,但基本不受剥蚀频率(2~20 Hz)影响。不同基体具有特征的剥蚀速率,本文报道了43种基体的剥蚀速率参数,总体而言,NIST系列玻璃的剥蚀速率大于地质样品玻璃,碳酸盐矿物和硫化物矿物大于硅酸岩矿物,粉末压片大于玻璃和常见矿物。

关键词： 193nm ArF激光剥蚀行为剥蚀速率能量密度

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193nm薄膜激光诱导损伤研究

激光技术 2011年第3期35卷 308-311页

作者：常艳贺金春水邓文渊李春中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室长春130033 中国科学院研究生院北京100039

概述了193nm薄膜激光诱导损伤的研究进展。通过对紫外到深紫外波段几种典型薄膜损伤形貌的介绍,对比分析了193nm薄膜激光诱导损伤的可能原因。指出在该波段的氧化物薄膜损伤中,吸收是导致薄膜大块损伤的重要因素,而氟化物的薄膜损伤则... 详细信息

概述了193nm薄膜激光诱导损伤的研究进展。通过对紫外到深紫外波段几种典型薄膜损伤形貌的介绍,对比分析了193nm薄膜激光诱导损伤的可能原因。指出在该波段的氧化物薄膜损伤中,吸收是导致薄膜大块损伤的重要因素,而氟化物的薄膜损伤则是由沉积过程的膜层局部缺陷造成。根据薄膜样品的损伤分析表明,薄膜的某些制备参量与激光损伤阈值相关联。为提高薄膜元件的抗激光损伤能力,分别从薄膜材料的选择、膜系设计的完善以及沉积工艺的优化等3个方面出发,总结出改善薄膜激光损伤阈值的方法。

关键词：薄膜 193nm 损伤形貌激光损伤阈值

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193nm光刻胶的研制

感光科学与光化学 2005年第4期23卷 300-311页

作者：郑金红黄志齐陈昕焦小明杨澜文武高子奇王艳梅北京化学试剂研究所北京100022

从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品... 详细信息

从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.

关键词： 193nm 光刻胶单体主体树脂光致产酸剂配方

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高反射率193nm反射膜的实现

应用激光 2008年第1期28卷 19-21,29页

作者：尚淑珍赵祖欣邵建达范正修华东理工大学机械与动力工程学院承压系统安全科学教育部重点实验室上海200237 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

对应用于193nm反射膜的基底材料、薄膜材料、沉积技术与主要沉积工艺参数进行了分析与优化选择,在此基础上进行了193nm反射膜的设计、制备及后处理,实现了时间稳定性与环境稳定性良好的193nm反射膜,反射率达98%以上。

关键词： 193nm 反射膜反射率光学稳定性

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ULSI用193nm光刻胶的研究进展

精细化工 2005年第5期22卷 348-353页

作者：郑金红黄志齐文武北京化学试剂研究所有机室北京100022

从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。

关键词： 193nm 光刻胶主体树脂光致产酸剂酸敏基团溶解抑制剂碱性添加剂

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高性能193nm反射膜的制备与误差分析

应用激光 2008年第3期28卷 207-210,229页

作者：尚淑珍徐山清邵建达华东理工大学机械与动力工程学院承压系统安全科学教育部重点实验室上海200237 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术与研究发展中心上海201800

分析了膜厚控制误差对反射膜设计曲线的影响,发现高低折射率材料厚度反方向变化时(高折射率膜层厚度增加,低折射率膜层厚度减小),反射膜的反射率变化不明显,设计的膜系结构对这种膜厚变化方式的制造误差宽容。在此基础上制备了193nm反射... 详细信息

分析了膜厚控制误差对反射膜设计曲线的影响,发现高低折射率材料厚度反方向变化时(高折射率膜层厚度增加,低折射率膜层厚度减小),反射膜的反射率变化不明显,设计的膜系结构对这种膜厚变化方式的制造误差宽容。在此基础上制备了193nm反射膜,结果表明退火前光学损耗相对较大,实验结果与理论计算结果存在一定差距,并且散射损耗在总的光学损耗中所占比例很小,而吸收损耗占光学损耗的主要部分,起主导作用。退火后光学损耗明显下降,实验结果与理论计算结果更为接近,193nm反射膜的反射率达98%以上。散射损耗增加至接近吸收损耗的水平,不过在总的光学损耗中仍然占比较小的比例。说明当吸收损耗下降到一定程度时,散射损耗所起的作用也是不可忽视的。

关键词： 193nm 反射膜误差分析吸收散射

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光刻机系统中193nm薄膜的研究进展

激光与光电子学进展 2006年第1期43卷 11-14页

作者：尚淑珍易葵邵建达范正修中国科学院上海光学精密机械研究所

193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。

关键词：光刻 193nm 光学薄膜准分子激光光刻光刻机系

Al2O3与LaF3薄膜在193nm波段的特性研究

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Al2O3与LaF3薄膜在193nm波段的特性研究

作者：蔡文浪浙江大学

学位级别：硕士

近年来，准分子激光器快速发展，并得到广泛应用，推动了紫外薄膜研究的发展。大多数材料在紫外波段呈献明显的吸收，目前对193nm紫外薄膜的研究主要集中在氟化物和少数的氧化物上。氧化物和氟化物在短波吸收、表面微结构、结晶状况、... 详细信息

近年来，准分子激光器快速发展，并得到广泛应用，推动了紫外薄膜研究的发展。大多数材料在紫外波段呈献明显的吸收，目前对193nm紫外薄膜的研究主要集中在氟化物和少数的氧化物上。氧化物和氟化物在短波吸收、表面微结构、结晶状况、光学稳定性、应力等方面有较大的差异。本课题以193nm薄膜中主要的高折射率材料氟化物LaF和氧化物AlO为研究重点，对比研究了沉积速率和基板温度等工艺因素对薄膜各项特性的影响。课题设计分析了多层介质高反射膜的光学特性。对比了AlO和LaF材料在紫外区的光学特性，LaF在193nm附近的吸收损耗明显小于AlO。LaF在205nm附近的消光系数约为8.1×10，AlO的消光系数约为2.5×10。AlO在190nm附近己靠近短波吸收限。然而，AlO具有优异的光学稳定性，制备完成后和半年后测试的透射率基本吻合。LaF单层膜在制备后的两天即出现了明显的透射率下降和波长漂移现象。当沉积速率为0.2nm／s时，AlO薄膜获得最好的光学特性。速率增加至1nm／s时，AlO单层膜在200nm波长附近的透射率下降了10％以上。光学损耗的研究表明，失氧造成的吸收是引起AlO在200nm波长以下损耗增加的主要原因。为了获得良好的光学特性，有必要将沉积速率控制在0.5nm／s以下。沉积速率对LaF单层膜光学特性的影响不明显，即使在沉积速率为5nm／s的条件下，LaF薄膜仍保持了良好的光学特性。对薄膜表面微结构的研究表明，AlO薄膜的相关长度l比LaF薄膜的相关长度，小，因此AlO单层膜的散射光分布在较大的立体角内，LaF薄膜的散射光集中于镜向反射或透射光线附近。在同样的工艺条件下制备的AlO薄膜的表面粗糙度比LaF表面粗糙度大，按照标量散射理论计算，AlO薄膜的总积分散射比LaF大。LaF表面粗糙度随基板温度升高而增大。 XRD测试发现，电子束蒸发制备的AlO单层膜和SiO单层膜是非晶态，LaF单层膜含有非晶结构，但是在局部区域有晶体析出。对多层膜的理论计算表明，LaF/MgF多层膜在193nm的理论反射率可达99％。

关键词： 193nm Al2O3 LaF3 沉积速率基板温度

ArF放大器产生193nm,700fs脉冲

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强激光技术进展 1994年第1期4卷 38-39页

作者：邵理修