检索结果-南通市图书馆

机电元件 2024年第3期44卷 11-13,29页

作者：彭俊泉上海航天科工电器研究院有限公司上海200331

随着用户对射频连接器性能要求的越来越高,更加高速有效的连接器设计方法和思路是产品设计师必须掌握的。本文阐述了为客户定制的110ghz毫米波连接器的研发设计流程,完成结构参数设计,利用HFSS对产品进行电性能仿真,最后对产品进行实验... 详细信息

随着用户对射频连接器性能要求的越来越高,更加高速有效的连接器设计方法和思路是产品设计师必须掌握的。本文阐述了为客户定制的110ghz毫米波连接器的研发设计流程,完成结构参数设计,利用HFSS对产品进行电性能仿真,最后对产品进行实验测试,给出了产品实测数据与仿真分析之间产生偏差的原因。

关键词： 110ghz 毫米波连接器 HFSS仿真实验测试

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110ghz GaN HEMT器件在片去嵌入校准方法对比论证

110GHz GaN HEMT器件在片去嵌入校准方法对比论证

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2023年全国微波毫米波会议

作者：袁思昊余国栋王维波中国电子科技集团公司第五十五研究所

毫米波微波电路设计针对有源和无源器件需要准确的在片表征,如何准确测量S参数是一个关键问题,现有工业环境中,常见的在片校准方法有LRRM校准方法、SOLT校准方法、TRL校准方法。在本文中,通过对110ghz频段内GaN衬底HEMT器件的在片校准... 详细信息

毫米波微波电路设计针对有源和无源器件需要准确的在片表征,如何准确测量S参数是一个关键问题,现有工业环境中,常见的在片校准方法有LRRM校准方法、SOLT校准方法、TRL校准方法。在本文中,通过对110ghz频段内GaN衬底HEMT器件的在片校准测量结果和电磁仿真进行详细研究,对比分析了各在片去嵌校准方法的准确性。

关键词： 110ghz GaN HEMT 在片校准 S参数

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110ghz同向并联三倍频器研究

110GHz同向并联三倍频器研究

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第二届全国太赫兹科学技术学术年会

作者：陈瑞珍胡银富冯进军北京真空电子研究所

本文采用两只阻性肖特基势垒二极管UMSDBES105a设计了一个110ghz三倍频器.两只DBES105a芯片以同向并联的拓扑结构粘贴在0.5mm厚的石英基片上,实现倍频。本文提取了芯片的主要寄生参量,以此为基础对倍频器的输入和输出匹配网络进行优化设... 详细信息

本文采用两只阻性肖特基势垒二极管UMSDBES105a设计了一个110ghz三倍频器.两只DBES105a芯片以同向并联的拓扑结构粘贴在0.5mm厚的石英基片上,实现倍频。本文提取了芯片的主要寄生参量,以此为基础对倍频器的输入和输出匹配网络进行优化设计,计算结果表明该三倍频器在输入功率为20 dBm时,倍频效率大于10%,此时输出功率为10.5mW。

关键词： 110ghz 三倍频器肖特基二极管同向并联

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110ghz阻性平衡三倍频器设计

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微波学报 2015年第S1期31卷 92-95页

作者：钟伟何月王成邓贤进黄昆中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621999 中国工程物理研究院太赫兹研究中心绵阳621999

本文介绍了一种基于阻性肖特基二极管芯片UMS DBES105a的110ghz三倍频器,通过两个芯片反向并联形成了平衡结构,同时提高了倍频器的功率承受能力。电路设计中使用二极管三维电磁模型,匹配设计时未设计专门的输入过渡和滤波器,而是直接经... 详细信息

本文介绍了一种基于阻性肖特基二极管芯片UMS DBES105a的110ghz三倍频器,通过两个芯片反向并联形成了平衡结构,同时提高了倍频器的功率承受能力。电路设计中使用二极管三维电磁模型,匹配设计时未设计专门的输入过渡和滤波器,而是直接经行匹配设计,提供了更多的可优化参量,以达到最佳的匹配效果和带宽。经过HFSS和ADS联合仿真,在频率为31~44ghz,功率为20d Bm的驱动信号激励下,三倍频器输出频率大于7d Bm,最大输出功率为9.1d Bm@105ghz。

关键词： 110ghz 阻性三倍频器肖特基二极管建模宽带匹配

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110ghz回旋振荡管的设计与研究

110GHz回旋振荡管的设计与研究

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作者：钱云飞电子科技大学

学位级别：硕士

高功率微波领域的研究要追溯到上个世纪70年代,起初该领域是一个边缘化的研究领域。但是随着技术的进步,工艺水平的提升,以及科学实验的研究、军事装备的升级等,高功率和高频率的微波信号源显得越来越重要,这也推动了高功率微波科学的... 详细信息

高功率微波领域的研究要追溯到上个世纪70年代,起初该领域是一个边缘化的研究领域。但是随着技术的进步,工艺水平的提升,以及科学实验的研究、军事装备的升级等,高功率和高频率的微波信号源显得越来越重要,这也推动了高功率微波科学的迅猛发展。现代各个主要国家也在高功率器件的研究上投入大量人力物力。现在能在毫米波段提供高功率,并在各种设备中作为高功率微波信号源的器件中最为常见的就是大功率真空回旋管。它是利用电子束回旋的不稳定性和电子回旋谐振受激辐射的机理实现微波的放大与振荡的微波器件。在等离子加热、雷达、通信、电子对抗、微波武器等方面有着广泛的运用。在国际核聚变反应堆(ITER)计划的推动下,110ghz,140ghz,170ghz等频段的回旋管的输出功率已经达到了兆瓦级。本论文针对110ghz渐变复合腔回旋振荡管进行了设计与研究,研究内容如下:(1)在多模的情况下,利用模式耦合理论,对用于110ghz回旋管的渐变复合腔高频特性进行研究。利用所学的理论知识和模拟仿真软件给出110ghz渐变复合腔的冷腔尺寸,并简单分析了各种尺寸参数变化对110ghz渐变复合腔高频特性的影响,为以后设计研究做好铺垫。(2)利用模拟软件对用于110ghz回旋振荡管渐变复合腔中的注-波的互作用自洽非线性数值模拟进行大量的计算,研究。并着重分析了电压,电流,磁场系数,速度比以及腔长对复合腔的互作用效率的影响。另外,还分析了110ghz回旋管中的模式分布。最后,给出了用于110ghz回旋振荡管的百千瓦量级渐变复合腔电参量和设计参量。

关键词： 110ghz 回旋管渐变复合腔注-波互作用

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