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Design of a 0.5 v CMOS cascode low noise amplifier for multi-gigahertz applications

Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 114-119页

作者：刘宝宏周健军毛军发 Center for Microwave and RF Technologies Shanghai Jiao Tong University Shanghai 200240China Center for Analog/RF Integrated Circuits Shanghai Jiao Tong University Shanghai 200240China

This paper presents the design of 0.5 v multi-gigahertz cascode CMOS LNA for low power wireless communication. By splitting the direct current through conventional cascode topology, the constraint of stacking- MOS structure for supply voltage has been removed and based on forward-body-bias technology, the circuit can operate at 0.5 v supply voltage. Design details and RF characteristics have been investigated in this paper. To verify the investigation, a 0.5 v 5.4 GHz LNA has been fabricated through 0.18 μm CMOS technology and measured. Measured results show that it obtains 9.1 dB gain, 3 dB NF with 0.5 v voltage and 2.5 mW power dissipation. The measured IIP3 is -3.5 dBm. Compared with previously published cascode LNA, it achieves the lowest supply voltage and lowest power dissipation with competitive RF performances.

关键词： CMOS 0.5 v cascode low noise amplifier direct current split forward-body-bias technology multi- gigahertz applications

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