检索结果-南通市图书馆

电子器件 2022年第1期45卷 7-12页

作者：蒋志林王旭锋于平平姜岩峰江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122

设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco T... 详细信息

设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco TCAD仿真验证,结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性,如击穿电压提高了25%达到100 V,比导通电阻R_(on.sp)降低了25%至2.68 mΩ/cm^(2),品质因数FOM提高了94.5%到3.58 MW/cm^(2)。此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性,其栅漏电容C_(GD)降到了0.46×10^(-16) F/μm,跨导gm升至0.26 mS。

关键词：鳍状栅极击穿电压比导通电阻 Silvaco TCAD

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