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主题

  • 4 篇 高频噪声模型
  • 1 篇 起落架
  • 1 篇 过剩噪声
  • 1 篇 噪声相关矩阵
  • 1 篇 40
  • 1 篇 异质结双极晶体管
  • 1 篇 mosfet
  • 1 篇 nm金属氧化物半导...
  • 1 篇 偏置依赖性
  • 1 篇 短沟道
  • 1 篇 气动噪声
  • 1 篇 二端口噪声网络噪...
  • 1 篇 声散射模型

机构

  • 2 篇 西南科技大学
  • 1 篇 中国民用航空飞行...
  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 西北工业大学

作者

  • 2 篇 王林
  • 1 篇 王延锋
  • 1 篇 马尧
  • 1 篇 吴德馨
  • 1 篇 宁方立
  • 1 篇 王军
  • 1 篇 王丹丹

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=高频噪声模型"
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40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
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物理学报 2016年 第23期65卷 246-252页
作者： 王军 王林 王丹丹 西南科技大学信息工程学院 绵阳621010
用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm... 详细信息
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异质结双极晶体管高频噪声建模及分析(英文)
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Journal of Semiconductors 2002年 第11期23卷 1140-1145页
作者： 王延锋 吴德馨 中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室 北京100029
提出了一个 T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型 .该模型是对通常用在硅双极晶体管中的 Hawkins噪声模型进行改进得到的 ,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部 BC结电容、外部 BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的... 详细信息
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飞机起落架气动噪声的数值计算改进方法
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机械设计与制造 2015年 第12期 23-26,30页
作者： 马尧 宁方立 中国民用航空飞行学院航空工程学院 四川广汉618307 西北工业大学机电学院 陕西西安710072
在飞机着陆过程中,起落架已成为飞机的主要噪声源。因此,对起落架气动噪声进行研究,并建立其数值计算方法是从总体上降低飞机噪声的主要途径之一。在已提出的基于试验数据的飞机起落架气动噪声数值计算方法基础上,提出一类改进方法。该... 详细信息
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短沟道MOSFET高频噪声特性研究
短沟道MOSFET高频噪声特性研究
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作者： 王林 西南科技大学
学位级别：硕士
短沟道MOSFET因其高集成度、高性能、低功耗和低成本的优点,被广泛应用于射频与毫米波集成电路中。作为设计CMOS低噪声电路的基础,不同工艺下其高频噪声模型明显不同,因此新型器件噪声模型的建立往往都滞后于新型器件的出现。用于高频... 详细信息
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