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高深宽比微柱状阵列的微熔模铸造成形研究

高深宽比微柱状阵列的微熔模铸造成形研究

基于电化学沉积的高深宽比无源MEMS惯性开关的研制

第十三届全国铸造年会暨2016中国铸造活动周

作者：任明星王国田哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室黑龙江省工程学院

介性了产品的安全可靠性。从工艺装备、过程控制、质量检测等方面阐述了产品质量控制措施,保证生产过程质量稳定性。高深宽比结构的成形是微加工领域的难题之一。目前的工艺在制造成本、生产效率以及加工材料丰富性等方面存在不足。基... 详细信息

介性了产品的安全可靠性。从工艺装备、过程控制、质量检测等方面阐述了产品质量控制措施,保证生产过程质量稳定性。高深宽比结构的成形是微加工领域的难题之一。目前的工艺在制造成本、生产效率以及加工材料丰富性等方面存在不足。基于传统铸造工艺的微熔模精密铸造成形是最佳的解决方案之一。本文采用微熔模精密铸造技术制备成功了直径为200μm,高为20mm,深宽比高达100的单排柱状阵列,以及直径为150μm,高为1.5mm,深宽比10的5×5和7×7微圆柱阵列构件,并在工艺设计,模型制备、铸型制备以及铸件成形等几个方面进行了论述。

关键词：微熔模精密铸造石膏基铸型高深宽比微圆柱阵列

来源： cnki会议评论

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航空制造技术 2017年第14期60卷 24-29页

作者：杜立群陶友胜李爰琪齐磊杰大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室大连116024 大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室大连116024

基于电化学沉积技术在金属基底上制作了一种新型的无源MEMS惯性开关。针对高深宽比、细线宽微电铸用光刻胶模具制作过程中,由于SU-8胶膜严重侧蚀导致的胶膜制作困难、质量低下的问题,进行了紫外光刻试验研究。试验研究了不同曝光剂量和... 详细信息

基于电化学沉积技术在金属基底上制作了一种新型的无源MEMS惯性开关。针对高深宽比、细线宽微电铸用光刻胶模具制作过程中,由于SU-8胶膜严重侧蚀导致的胶膜制作困难、质量低下的问题,进行了紫外光刻试验研究。试验研究了不同曝光剂量和后烘时间对SU-8胶光刻效果的影响,优化了光刻工艺参数。采用降低曝光剂量和延长后烘时间相结合的方法解决了高深宽比、细线宽SU-8胶膜制作困难的问题,制作出高质量的微电铸用光刻胶模具。最后,在上述试验结果基础上制作了一种高深宽比、无源MEMS惯性开关。其外形尺寸为3935μm×3935μm×234μm,其中最细线宽12μm,单层最大深宽比达10∶1,多层最大深宽比达20∶1。

关键词：电化学沉积微电铸模具高深宽比紫外光刻

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光刻结合热解制备高深宽比碳微结构的新方法

微细加工技术 2007年第4期 11-17页

作者：汤自荣姚园媛史铁林廖广兰华中科技大学机械科学与工程学院

将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流程简单、成本低、可重复性强且结构设计灵活。该工艺制备出的碳微结构具有较高深宽比(约为10∶1)、良好的... 详细信息

将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流程简单、成本低、可重复性强且结构设计灵活。该工艺制备出的碳微结构具有较高深宽比(约为10∶1)、良好的导电、导热和机械性能、优良的生物兼容性及化学惰性。综述了其发展过程和研究近况,介绍了该工艺的流程、可重复制备的典型结构以及一些特殊结构如碳纳米纤维等,阐明了其在三维微电池和介电电泳生物芯片等多个领域的应用,预见了该工艺可作为连接纳米、微米级结构的桥梁,将碳纳米纤维用于制备高表面积MEMS结构的前景。

关键词：厚胶光刻热解 C-MEMS 高深宽比微电极阵列

基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究

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电子技术应用 2018年第10期44卷 32-36,40页

作者：张海华吕玉菲鲁中轩北京空间飞行器总体设计部北京100094 北京航天时代激光导航技术有限公司北京100094

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS... 详细信息

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。

关键词： CMOS-MEMS工艺高深宽比深槽刻蚀 RIE和Bosch工艺

通过高长宽比横向结构的设计提升基于Ge2Sb2Te5材料的相变存储器的多值存储能力

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Science China Materials 2022年第10期65卷 2818-2825页

作者：赵锐哲何明泽王伦陈子琪程晓敏童浩缪向水 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics School of Optical and Electronic InformationHuazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China Hubei Yangtze Memory Laboratories Wuhan 430205China

如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件,该器件采... 详细信息

如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件,该器件采用传统的硫系化合物Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)就可以实现稳定的多值操作,并且器件具有较好的一致性以及较低的电阻漂移系数(0.009),其优异的多值性能主要是由于在设计的高长宽比结构中,绝缘层侧壁的限制使得相变材料的非晶区域可以精确控制,这也被透射电子显微镜分析证实.本文设计的纳米线器件为提升高深宽比三维相变存储器的多值存储能力提供了重要指导.

关键词：相变存储器存储密度 Ge2Sb2Te5 多值存储多值性高深宽比相变材料结构的设计

MEMS器件制造工艺中的高深宽比硅干法刻蚀技术

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微纳电子技术 2004年第6期41卷 30-34页

作者：温梁汪家友刘道广杨银堂西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 中国电子科技集团公司第二十四研究所重点实验室重庆400060

硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各... 详细信息

硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各自的优缺点及适用范围。

关键词： MEMS 高深宽比沟槽刻蚀等离子体

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快速动态模温控制于高深宽比微结构注塑成型

塑胶工业 2007年第1期10卷 24-27页

作者：陈夏宗张仁安林钰婉秦进传中原大学机械工程研究所

本研究利用电磁感应加热技术结合冷却水以达到快速模具温度控制并应用于微结构注塑成型制程。实验结果成功利用快速模具温度控制技术将模具温度从60℃提高至140℃仅需3秒,同时利用CAE模拟技术以掌握高深宽比之微流道模具温度变化情形,... 详细信息

本研究利用电磁感应加热技术结合冷却水以达到快速模具温度控制并应用于微结构注塑成型制程。实验结果成功利用快速模具温度控制技术将模具温度从60℃提高至140℃仅需3秒,同时利用CAE模拟技术以掌握高深宽比之微流道模具温度变化情形,并获得实验验证。仿真结果显示,电磁波能深入微流道底部加热,与模具表面的温差在2℃之内。搭配PMMA塑料成型深600μm、宽30～50μm(深宽比>12)之微结构,并成功地改善微结构转写性达到96%。

关键词：高深宽比注塑成型微结构模温控制电磁感应加热技术模具温度控制速动温度控制技术

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先进DRAM驱动高深宽比刻蚀的发展

集成电路应用 2009年第5期26卷 29-32页

作者： S.Welch K.Keswick P.Stout J.Kim W.Lee C.Ying K.Doan H.S.Kim B.Pu Applied Materials Inc.

DRAM器件制造商通过缩小设计规则、芯片尺寸来提高存储器性能和密度的方法，正面临着众多挑战。增大电容面积，使用更高介电常数的材料，以及减薄介电材料厚度等方法都能够继续延续电容的形式和功能。

关键词： DRAM 高深宽比高介电常数刻蚀驱动材料厚度设计规则芯片尺寸

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大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究

光电工程 2012年第8期39卷 105-110页

作者：罗建东周彬吕文峰雷耀虎郭金川牛憨笨深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060 天津大学精密仪器与光电工程学院天津300000

利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用。本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形... 详细信息

利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用。本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形变的力学因素,提出了减小形变的氧化方法。首先实验制作了具有高深宽比微结构的硅片,采用不同的氧化方法,比较了变形的大小。结果表明,通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量。

关键词：硅热氧化高深宽比热膨胀系数热塑性形变