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Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟

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Journal of Semiconductors 1980年第3期 204-219页

作者：王守武潘国雄王重云中国科学院半导体研究所

本文对Gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场... 详细信息

本文对Gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场有某种一定的依赖关系时,畴可能在阳极成核、生长并静止于阳极,即非渡越式的静止畴.两者都导致一静态负阻特性,但电流波形不同. 从计算中归纳出掺杂梯度引起的静止畴的普遍特征:a)在靠近阳极一侧边缘处的扩散速度等于或大于漂移速度的二分之一,b)畴区内电子浓度分布趋于平坦. 计算中发现,当偏置电压高达一定值时,静止畴将转变为渡越畴.分析了这种转变的原因.并得出转变电压与均匀掺杂区的杂质浓度,阳极端的掺杂梯度及阴极端的凹口大小有关.

关键词：器件阳极高场畴 Gunn 计算机模拟计算机仿真

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平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

Journal of Semiconductors 1983年第5期 422-431页

作者：王守武郑一阳郗小林潘国雄张进昌中国科学院半导体研究所

本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的... 详细信息

本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.

关键词：外电场时畴准静态 Gunn 计算机模拟计算机仿真几何扩展外加电压掺杂浓度渡越器件高场畴

GaAs MESFET直流雪崩击穿的理论分析

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微纳电子技术 1984年第2期 7-14页

作者： R.Wkoblewski 李松法

用非稳态电子动力学并将电离系数取作为电子平均能量的函数的方法研究了GaAs MESFET中的沟道雪崩击穿。计算了在击穿时不同形状的高场畴和局部峰值电场,它们依赖于工艺参量、器件几何结构以及偏置条件。给出了一些设计规则,用它们可以... 详细信息

用非稳态电子动力学并将电离系数取作为电子平均能量的函数的方法研究了GaAs MESFET中的沟道雪崩击穿。计算了在击穿时不同形状的高场畴和局部峰值电场,它们依赖于工艺参量、器件几何结构以及偏置条件。给出了一些设计规则,用它们可以获得最大的饱和输出功率以及可与接近夹断时的击穿电压值相比拟的满沟道电流击穿电压。特别是发现了挖槽的沟道几何结构以及增加栅漏距离将给出最好的器件性能,相应的掺杂浓度不高于1.2×1017cm-3,而沟道电流Idss在275～330mA/mm之间。

关键词：击穿电压器件夹断栅压挖槽沟道 MESFET 有源层耗尽区高场畴峰值电场漏电流雪崩击穿掺杂浓度

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用甘氏效应产生高频超声波

压电与声光 1971年第3期 47-53+27页

一、引言当外加在n型GaAs上的电场超过阈值电场时,甘氏观察到电磁波的产生。这种现象归因于在二极管内从阴极至阳极出现移动的周期高场畴。因为GaAs是压电半导体,假如适当选择畴传播的方向,那末高场畴就能产生一个强的机械应变,然而,我... 详细信息

一、引言当外加在n型GaAs上的电场超过阈值电场时,甘氏观察到电磁波的产生。这种现象归因于在二极管内从阴极至阳极出现移动的周期高场畴。因为GaAs是压电半导体,假如适当选择畴传播的方向,那末高场畴就能产生一个强的机械应变,然而,我们预期机械应变能以甘氏

关键词：超声波发生器二极管高场畴外加电压 GaAs 薄膜换能器声换能器电场电磁场 ZnS 高频超声波

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国外无机晶体发光研究概况

国外信息显示 1973年第Z1期 1-34页

作者：徐叙瑢许少鸿戴仁崧张新夷国外发光研究概况调查小组

发光学的研究目的主要有二:第一,创造新型光源,寻找以各种形式的能源获得发光的途径,以用于近代的照明,信息探测、传递及显示技术,景物的显像技术等;第二,透过发光现像研究发光体的结构、在其中发生的主要物理过程、光的本质、光与物

关键词：场致发光材料发光现象碰撞离化高场畴 ZnS 异质结器件电致发光材料半导体结发光中心 GaAsP 激光效率量子效率晶体

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GaAsMESFET的电容模型

微纳电子技术 1986年第3期 46-55页

作者： T·H·Chen 丁奎章

我们提出GaAsMESFET小信号电容的一种新的分析模型。由于考虑了非均匀掺杂分布的影响,故此模型可以用于外延生长的FET以及离子注入的FET。我们还考虑了背栅、覆盖层、导电沟道的速度饱和以及栅下漏一侧沟道中可能形成的耿畴。模型解释了... 详细信息

我们提出GaAsMESFET小信号电容的一种新的分析模型。由于考虑了非均匀掺杂分布的影响,故此模型可以用于外延生长的FET以及离子注入的FET。我们还考虑了背栅、覆盖层、导电沟道的速度饱和以及栅下漏一侧沟道中可能形成的耿畴。模型解释了GaAs微波FET的栅-源和栅-漏电容的电压依赖关系,而且与实验结果符合很好。这个分析模型很适于GaAs微波FET和集成电路的计算机辅助设计。

关键词：电容模型夹断电压 GaAsMESFET 高场畴非均匀掺杂沟道耗尽层有源层肖特基接触