检索结果-南通市图书馆

核电子学与探测技术 2007年第2期27卷 280-282页

作者：孙蓓云谢彦召相辉李斌聂鑫陈向跃郭小强西北核技术研究所西安710024

介绍了50kV,1ns前沿高压脉冲源的工作原理及设计部件的研制,给出了脉冲高压源的输出波形,该高压脉冲源与有界波电磁脉冲模拟器辐照天线相接,可在其工作空间内产生前沿为1.2ns,脉宽为50ns的电磁环境,用于电子系统的电磁脉冲效应研究。

关键词：电磁脉冲快前沿高压脉冲源

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基于脉冲变压器和脉冲形成网络的高压脉冲源

强激光与粒子束 2016年第11期28卷 138-142页

作者：李巨马军冯莉中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900

为了满足在高电压状态下对氧化锌陶瓷（ZnO）元件的检测需要,研制了一种基于脉冲变压器和脉冲形成网络（PFN）的,输出电压范围10-80kV可调,波形为近方波的高压脉冲源。根据实际研制过程,分别介绍了高压脉冲源的设计、仿真及系统电路构... 详细信息

为了满足在高电压状态下对氧化锌陶瓷（ZnO）元件的检测需要,研制了一种基于脉冲变压器和脉冲形成网络（PFN）的,输出电压范围10-80kV可调,波形为近方波的高压脉冲源。根据实际研制过程,分别介绍了高压脉冲源的设计、仿真及系统电路构建。测试了高压脉冲源在标准负载（匹配）和氧化锌陶瓷负载上的输出情况。结果显示：脉冲顶降小于3%,顶部波动小于1.5%,前后沿指标均满足要求。因而,高压脉冲源可以用于氧化锌陶瓷的性能检测。

关键词：脉冲变压器脉冲形成网络高压脉冲源氢闸流管氧化锌陶瓷

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快前沿高压脉冲源用纳秒液体开关的研制

高压电器 2011年第4期47卷 23-27页

作者：王启武李炎新石立华司荣仁解放军理工大学工程兵工程学院南京210007

设计了一种具有运动触发极的新型三电极纳秒液体开关。开关由位置固定的阳极、阴极和可运动的触发极组成,开关间隙充入无毒、可生物降解、绝缘性能好的精炼菜籽油。开关腔外的触发极控制系统包括电磁铁、无线接收控制电路和遥控器,无线... 详细信息

设计了一种具有运动触发极的新型三电极纳秒液体开关。开关由位置固定的阳极、阴极和可运动的触发极组成,开关间隙充入无毒、可生物降解、绝缘性能好的精炼菜籽油。开关腔外的触发极控制系统包括电磁铁、无线接收控制电路和遥控器,无线接收控制电路接收遥控器信号控制触发极运动来调节开关相对间隙,实现开关放电。开关设计工作电压为40 kV。实验结果表明:开关工作电压达到设计要求的40 kV,工作稳定可靠,操作安全简便,与高压脉冲源配套使用,可产生前沿小于2.0 ns、半峰宽25 ns、峰值50 kV/m的双指数电磁脉冲。

关键词：液体开关运动触发极 ns电磁脉冲高压脉冲源

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低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源

强激光与粒子束 2004年第2期16卷 265-268页

作者：郝晓敏唐丹陈敏德王欣中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900

　试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉... 详细信息

　试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响。

关键词：氢闸流管高压脉冲源纳秒级前沿低抖动

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基于DSRD亚纳秒级高压脉冲源设计与优化

基于DSRD亚纳秒级高压脉冲源设计与优化

作者：弋锦西安电子科技大学

学位级别：硕士

近年来,脉冲功率应用范围逐渐从国防军事领域扩展到医疗、工业等民用领域。基于传统固态开关的脉冲源均存在重复频率低、脉冲前沿较缓、脉宽较大、体积大等缺点,逐渐难以满足上述领域需求,而基于等离子体波开关的脉冲源突破了上述瓶颈,... 详细信息

近年来,脉冲功率应用范围逐渐从国防军事领域扩展到医疗、工业等民用领域。基于传统固态开关的脉冲源均存在重复频率低、脉冲前沿较缓、脉宽较大、体积大等缺点,逐渐难以满足上述领域需求,而基于等离子体波开关的脉冲源突破了上述瓶颈,其中基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的脉冲源具有高重频、快前沿、窄脉宽,体积小等优点,是目前重点的研究方向,而目前国内外所研究的基于DSRD脉冲源均存在器件参数与电路参数匹配不足导致无法发挥DSRD器件最优输出能力的问题,因此本文进一步对基于DSRD的亚纳秒级高压脉冲源展开建模分析与输出优化研究,主要研究内容如下:一、DSRD的器件结构参数决定了脉冲源的输出极限,因此本文研究了器件参数对输出脉冲前沿的影响机理。基于DSRD内部结构和工作机理的分析,探究了载流子漂移速度、基区掺杂浓度和基区面积等器件结构参数对脉冲输出特性的影响,从半导体机理角度出发研究了DSRD器件的理论输出极限,从器件角度为输出脉冲优化提供理论基础。二、脉冲源输出脉冲的优劣受器件结构参数与外电路参数匹配关系的制约,因此本文提出了基于脉冲特性提升的电路参数优化方法。根据DSRD外围触发电路的运行机理分析了输出脉冲峰值与电路各参数间的函数关系,建立了精确地电路模型,并完成了模型准确性验证。基于电路模型,分析了正向注入时长、反向峰值电流大小、储能元件值等电路参数对输出脉冲前沿与峰值的影响,为DSRD亚纳秒级脉冲源设计提供了优化方向。三、根据上述匹配分析与优化策略提出了DSRD亚纳秒级高压脉冲电路设计方法。本文设计了内置信号源为电路提供驱动信号,并根据电路原理计算各节点电压、电流,完成主电路中各元件选型;样机拓扑采用了模块化多路结构,可有效均衡各开关管电压应力,增大驱动电流,实现高峰值电压输出。此外,本文结合DSRD驱动特性,开展了DSRD亚纳秒级脉冲源寄生参数优化,实现了信号源模块、驱动控制模块以及脉冲产生模块高度集成,实现了小型化目标。本文基于上述设计在PSpice中建立了器件等效模型并搭建了脉冲源仿真电路,通过仿真结果对前文优化方法及电路参数设计进行了验证,并搭建了实验平台进行测试。实验表明:该脉冲源输出电压幅值2.125 k V,脉冲前沿915.26 ps,半高脉宽为2.2ns,重复频率200 k Hz,符合设计要求。本文相比于已报道的DSRD脉冲源,剖析了更完整的脉冲源参数与输出脉冲的匹配关系,提出了更精确的输出优化方法,且基于优化方法输出了更快前沿的脉冲。

关键词：脉冲功率亚纳秒级前沿高重频漂移阶跃恢复二极管高压脉冲源

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一种带输出监测的简单快速高压脉冲源

现代应用物理 2022年第2期13卷 32-36,41页

作者：郭明安刘璐郭耀军严明李刚周二瑞杨少华刘偲西北核技术研究所西安710024 中核核电运行管理有限公司浙江海盐314300

基于高速金属氧化物半导体场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)设计了一款带输出监测的简单快速高压脉冲源,给出了设计参数和电路。该脉冲源驱动简单、体积小、输出幅度可由使用的高压电源调整... 详细信息

基于高速金属氧化物半导体场效应晶体管(metallic oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)设计了一款带输出监测的简单快速高压脉冲源,给出了设计参数和电路。该脉冲源驱动简单、体积小、输出幅度可由使用的高压电源调整、电流能达60 A及输出脉冲宽度和频率由输入信号确定。最小脉冲宽度为4.53 ns,250 V/30 A时,前沿为2.28 ns,后沿为3.34 ns,具有输出短路保护及电容、电感、负载调整能力,主要应用于高速成像的像增强器阴极快门。

关键词：高压脉冲源高速成像 MOSFET 像增强器快脉冲