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材料保护 2016年第S1期49卷 34-36页

作者：戴昭波王五松褚涛张元松燕周民贵州振华红云电子有限公司贵州贵阳550018 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司贵州贵阳550018

采用传统的固相烧结法制备了三元系Pb_(0.82)Sr_(0.13)Ba_(0.05)(Sb_(1/3)Nb_(2/3))_(0.02)(Zr_(1/2)Ti_(1/2))_(0.98)O_3-wBi_2O_3(PSN-PZT-wBi)压电陶瓷,并研究了Bi^(3+)掺杂对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,当Bi_2O_3掺杂量在0.25... 详细信息

关键词：高压电常数高介电常数 PSN-PZT-wBi陶瓷执行器

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PMN-PZT系压电陶瓷组元调控及性能优化研究

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作者：何兴晨东莞理工学院

学位级别：硕士

压电材料具有优异的机电性能,被广泛用作超声换能器、压电变压器、陶瓷滤波器和声纳系统等大功率应用的核心部件。对于不同的应用场景,对于压电陶瓷的性能参数要求一般不同。例如,对于大功率的应用器件,它不但要求压电陶瓷具有较大的压... 详细信息

压电材料具有优异的机电性能,被广泛用作超声换能器、压电变压器、陶瓷滤波器和声纳系统等大功率应用的核心部件。对于不同的应用场景,对于压电陶瓷的性能参数要求一般不同。例如,对于大功率的应用器件,它不但要求压电陶瓷具有较大的压电常数(d),还要具有较高的居里温度（T）。对与高灵敏的应用器件,则不但要求较高的机电耦合系数（k）,还要具有较低的介电损耗（Tanδ）等等。通过对PMN-PZT三元相图的研究,本文采用固相反应法制备了x PMN-y PZ-（1-x-y）PT,x=0.12、0.15、0.18、0.21、0.24、0.27,y=0.58、0.53、0.48、0.43的24组三元压电陶瓷,系统的研究了各项电学性能。结果表明,随着PMN含量的增加,陶瓷的晶粒粒径逐渐减小。PMN的含量不会影响相结构和介电损耗（Tanδ）,在PMN为0.12-0.27 mol时都获得了准同型相界（MPB）。压电常数(d),机电耦合系数（k）具有相同的变化趋势。电学性能最好的组分为0.12PMN-0.43PZ-0.45PT,它的压电常数(d)为487 p C/N,居里温度（T）为338℃,介电损耗（Tanδ）为1.4%,机电耦合系数（k）为63%。通过上一步得到的最好电学性能组分0.12PMN-0.43PZ-0.45PT,分别用0.03、0.06、0.09 mol PIN取代PMN。采用固相反应法制备了InO改性的Pb(MgNb)O-Pb(InNb)O-Pb Zr O-Pb Ti O（PMN-PIN-PZ-PT）压电陶瓷。研究表明,0.03 mol PIN取代的PMN-PIN-PZ-PT压电陶瓷晶粒粒径受到抑制,0.06 mol PIN,0.09 mol PIN取代的PMN-PIN-PZ-PT压电陶瓷晶粒粒径增大。陶瓷的压电常数(d)先减小后增大再减小。居里温度一直增大。在0.06PMN-0.06PIN-0.43PZ-0.45PT处得到优异电学性能的压电陶瓷,压电常数(d)为512p C/N,居里温度（T）为353℃,机电耦合系数（k）为61%。通过固相反应法制备出了PbSrBa(MgNb)(NiNb)(SbNb)(ZrTi)O+0.5wt%LiCOx=0.51,0.50,0.49,0.48,0.47的五元压电陶瓷。随着Zr含量的降低,晶体结构从菱形逐渐转变为四方相。更重要的是,陶瓷的有效压电系数d在居里温度（T）以下表现出优异的热稳定性。同时,x=0.49的压电陶瓷在准同型相界（MPB）附近表现出非凡的电学性能。在x=0.49的组成下,获得了超高的压电常数(d)为853p C/N,居里温度（T）为152℃,机电耦合系数（k）为67.4%,（k_t）为63.5%,(k)为67.4%。

关键词：压电陶瓷高压电常数高居里温度电学性能

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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响

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压电与声光 2014年第1期36卷 100-102页

作者：冯小东蹇胜勇刘相果中国电子科技集团公司第26研究所重庆400060

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。

关键词： Pb(Zn1 3Nb2 3)O3-Pb(Ni1 3 Nb2 3) O3-Pb (ZrTi) O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷高介电常数高压电常数

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应用于高温压电传感器的铋层状无铅压电陶瓷综述

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中国陶瓷 2019年第2期55卷 1-6,17页

作者：王海圣翁新全许静玲柯银鸿谭祥虎韩哲厦门乃尔电子有限公司厦门361000

介绍了铋层状无铅压电陶瓷的结构及其性能改进方法,着重综述了(Bi_2O_2)^(2+)(AB_2O_7)^(2-)基,(Bi_2O_2)^(2+)(A_2B_3O_(10))^(2-)基及(Bi_2O_2)^(2+)(A_3B_4O_(13))^(2-)基压电材料的改性研究进展。对于开发新的具有高压电活性及高居... 详细信息

关键词：铋层状结构高居里温度高压电常数无铅陶瓷

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