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有机化学 2002年第10期22卷 778-781页

作者：邹新琢井敏一华东师范大学化学系上海200062 日本国立大阪大学理学部

提出了用氯代硝基苯和胺的高压芳香族亲核取代反应一步合成硝基苯胺类非线性光学化合物的方法 .并筛选出一些具有较高二阶非线性光学活性的化合物 .

关键词：高压合成硝基苯胺非线性光学化合物氯代硝基苯胺亲核取代反应

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高压合成B-C-N化合物的结构表征

硅酸盐学报 2002年第1期30卷 51-56页

作者：何巨龙田永君于栋利刘世民郭俐聪贾晓鹏邹广田李东春柳泽平燕山大学材料科学与工程学院河北秦皇岛066004 吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130023 广岛大学工学部

将三聚氰胺和硼酸的混合物进行高温处理 ,制备出成分为B0 .54 C0 .2 8N0 .1 8的B -C -N前驱物 .这种前驱物与Ca3B2 N4触媒混合后在 5 .5GPa,16 0 0℃条件下获得平均成分为B0 .47C0 .2 3N0 .3 0 的化合物 .采用X射线衍射和选区电子衍射... 详细信息

将三聚氰胺和硼酸的混合物进行高温处理 ,制备出成分为B0 .54 C0 .2 8N0 .1 8的B -C -N前驱物 .这种前驱物与Ca3B2 N4触媒混合后在 5 .5GPa,16 0 0℃条件下获得平均成分为B0 .47C0 .2 3N0 .3 0 的化合物 .采用X射线衍射和选区电子衍射分析了高压合成产物的晶体结构 ,发现合成的B -C -N化合物由 3种相组成 ,主晶相为正交相 ,其余为六方相和立方相 .

关键词：硼-碳-氮化合物高压合成结构表征三聚氰胺硼酸

反应温度对液态聚硅烷高压合成聚碳硅烷性能的影响

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高分子材料科学与工程 2005年第4期21卷 142-145页

作者：程祥珍宋永才谢征芳肖加余王应德国防科技大学航天与材料工程学院 cfc重点实验室湖南长沙410073

以液态聚硅烷(LPS)为原料,在高压釜内反应制备了聚碳硅烷(PCS)先驱体。研究发现,随着反应温度的升高,PCS的分子量增大,产率提高,软化点提高,Si-H键含量降低,在反应过程中LPS首先转化为小分子量的PCS,然后是小分子的PCS间发生脱氢及少量... 详细信息

以液态聚硅烷(LPS)为原料,在高压釜内反应制备了聚碳硅烷(PCS)先驱体。研究发现,随着反应温度的升高,PCS的分子量增大,产率提高,软化点提高,Si-H键含量降低,在反应过程中LPS首先转化为小分子量的PCS,然后是小分子的PCS间发生脱氢及少量脱甲烷缩合使分子量长大。450℃后,反应产率明显增加,分子量分布出现中分子量峰。

关键词：反应温度液态聚硅烷高压合成聚碳硅烷

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高压合成工艺中固体密封传压介质研制探讨

金刚石与磨料磨具工程 2012年第2期32卷 57-62页

作者：杨炳飞刘杰北京科技大学北京100083 石家庄经济学院石家庄050031 河南远发金刚石有限公司郑州450051

分析了我国高压合成工艺中密封传压介质原料应具有的性能——传压性、密封性、黏滞性、流变性、化学惰性、绝缘性及热传导性。从原料组成与结构两方面探讨了密封传压介质的研制方向,指出层状硅酸盐矿物是目前密封传压介质原料的选择原... 详细信息

分析了我国高压合成工艺中密封传压介质原料应具有的性能——传压性、密封性、黏滞性、流变性、化学惰性、绝缘性及热传导性。从原料组成与结构两方面探讨了密封传压介质的研制方向,指出层状硅酸盐矿物是目前密封传压介质原料的选择原料。同时,密封传压介质的结构对其使用性能也有重要影响,应在扩大合成腔体、方腔体、非立方体等非传统结构上进行深入研究。最后,提出密封传压介质粉压成型、焙烧制作工艺过程及其注意的问题。

关键词：高压合成密封传压介质研制

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“单含硼”和“双含硼”黑金刚石合成的比较

吉林大学自然科学学报 1979年第1期 82-86页

作者：高压合成研究小组吉林大学物理系固体物理教研室

我们将样品按两种不同的原料匹配方式(含硼触媒合金与不含硼石墨,简称“单含硼”;含硼触媒合金与含硼石墨,简称“双含硼”),分半对称地组装在同一高温高压反应腔中,研究了硼不同的含量和原子分布情况对高温高压合成含硼黑金刚石的影响... 详细信息

我们将样品按两种不同的原料匹配方式(含硼触媒合金与不含硼石墨,简称“单含硼”;含硼触媒合金与含硼石墨,简称“双含硼”),分半对称地组装在同一高温高压反应腔中,研究了硼不同的含量和原子分布情况对高温高压合成含硼黑金刚石的影响。实验结果表明,“双含硼”方式得到的金刚石与“单含硼”相比不仅平均单产高,而且粗颗粒度比也高;硼原子可以增加金刚石单晶体的长大速度,因此可能缩短大颗粒单晶的合成时间,在高温范围内,“双含硼”方式得到的金刚石单晶有着增强抗氧化性能的趋势。

关键词：黑金刚石触媒合金高压合成含硼石墨硼原子单晶体匹配方式

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锗掺杂金刚石的高压合成与红外光谱研究

冶金管理 2022年第19期 42-43,55页

作者：肖虓贵州大学材料与冶金学院

金刚石中的光学特性极易受合成腔体中杂质的影响。由于金刚石极其出色的优异特性,使其成为一种战略性先进功能材料。拥有先进的金刚石合成技术,对一个国家未来的工业发展、科技水平的全面提高、国防力量的整体增强等都将起着极为重要的... 详细信息

金刚石中的光学特性极易受合成腔体中杂质的影响。由于金刚石极其出色的优异特性,使其成为一种战略性先进功能材料。拥有先进的金刚石合成技术,对一个国家未来的工业发展、科技水平的全面提高、国防力量的整体增强等都将起着极为重要的作用。本文通过傅里叶红外(FTIR)吸收光谱研究了锗添加金刚石的光学特征,重点研究了所合成金刚石中的氮杂质缺陷的存在形式及锗对金刚石氮浓度的影响。

关键词：合成金刚石高压合成金刚石合成吸收光谱红外光谱研究光学特征锗掺杂氮杂质

高压合成n型碲化铋基材料的载流子调控与热电性能优化

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高压合成n型碲化铋基材料的载流子调控与热电性能优化

作者：姜俊雪燕山大学

学位级别：硕士

热电材料是一种利用固体内部载流子以及声子的运动,实现热能和电能直接相互转换的功能材料。在清洁能源与制冷等领域有着十分广阔的应用前景。BiTe基合金作为室温下性能最好的热电材料,一直以来备受人们关注。近年来p型Bi2Te3基材料的... 详细信息

热电材料是一种利用固体内部载流子以及声子的运动,实现热能和电能直接相互转换的功能材料。在清洁能源与制冷等领域有着十分广阔的应用前景。BiTe基合金作为室温下性能最好的热电材料,一直以来备受人们关注。近年来p型Bi2Te3基材料的热电性能获得很大提升,相比之下,n型BiTe基热电材料的热电性能的提升较小,导致由p、n腿组合构成的热电器件的转换效率难以获得明显提升,制约了热电器件的大规模应用。因此,如何有效地改善n型BiTe基材料的热电性能成为了本文的研究重点。本文采用高压合成法合成n型BiTe基合金样品,结合对合金成分的调控以及适当的掺杂,增加声子散射的同时,调控载流子浓度,对n型BiTe基热电材料的性能进行了优化,同时与熔融法合成的相应组分n型BiTe基合金进行对比研究。在BiTe中引入Se,制备了BiTeSe合金化样品,研究了不同Se含量的BiTeSe样品中载流子浓度的变化;分别通过施主掺杂剂SbI引入I元素和受主掺杂剂Pb Te引入Pb元素对n型BiTeSe合金进行载流子调控,研究了SbI、Pb Te掺杂剂对基体性能的影响。具体工作如下:(1)分别采用熔融法和高压合成法合成BiTeSe合金,再结合放电等离子烧结技术制备了n型BiTeSe块材。通过XRD、SEM和TEM手段对样品物相结构、显微组织结构进行表征,并通过对样品的电阻率、Seebeck系数、热导率、霍尔系数的测定对样品的电、热输运特性进行研究分析。研究表明,BiTeSe与BiTe相比,由于存在合金散射,导致其具有较低的晶格热导率;在两种不同合成方法中,Se掺杂固溶对载流子呈现不同的调控规律,高压合成样品的电子浓度随着Se含量的增加而增加,熔融合成样品的电子浓度则呈现降低的变化规律。但均在Se含量x=0.3时,达到相对优化的载流子浓度。熔融合成的BiTeSe的ZT在383 K时获得最高值为0.65,比纯BiTe提高80.6%;高压合成的BiTeSe在403 K时获得最高ZT值为0.47,比纯BiTe提升147.4%。(2)分别在熔融和高压合成BiTeSe合金过程中进行SbI施主掺杂,再结合放电等离子烧结技术制备了I掺杂BiTeSe合金块材。SbI作为施主掺杂剂增大了材料的电子浓度,在适当的掺杂计量下提升了材料的功率因子;同时,异质离子I-引起的晶格畸变,增强了声子散射,有效地降低了晶格热导率。其中,SbI掺杂量为0.10 wt.%的熔融合成样品在423 K时获得最大ZT值0.75,298–543 K温度范围内的平均ZT值为0.67;掺杂量为0.03 wt.%的高压合成样品在463 K时获得最大ZT值0.60,其在298–543 K的温度范围内的平均ZT值为0.55。相比于熔融样品,高压合成样品微量的I掺杂便可引起较大的热电性能变化,展现了更为敏感的掺杂调控。(3)采用高压合成法结合球磨、放电等离子烧结技术,以Pb Te作为受主掺杂剂对BiTeSe合金进行Pb掺杂。Pb Te作为受主掺杂剂进一步优化了材料内部的载流子浓度,功率因子得到了提升,0.10 wt.%掺杂量样品在343 K时获得最大功率因子2.39 m WmK。Pb的掺杂引入合金散射,导致对声子散射作用的增强,从而降低材料的热导率。最终掺杂量为0.10 wt.%的样品在423 K时获得最大ZT值为0.81,比同温度下未掺杂样品提升了37.3%;平均ZT值为0.72,较未掺杂样品提升了35.8%。

关键词：热电材料载流子调控高压合成 I掺杂 Pb掺杂

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旁热式高压合成腔体内温场分布的有限元模拟

金刚石与磨料磨具工程 2009年第2期29卷 9-12页

作者：李瑞韩奇钢贾晓鹏马红安任国仲刘景和长春理工大学材料科学与工程学院长春130022 吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012 湘潭大学材料与光电物理学院湖南湘潭411105

本文借助有限元模拟方法,揭示了高压合成金刚石工艺过程中的温场分布特征。在忽略大形变的近似条件下,数值模拟让我们能够观察到在高压极端条件下无法实际测量到的定量信息。直观的数值结果表明:在"旁热式"腔体内,外围石墨管处温度最高... 详细信息

本文借助有限元模拟方法,揭示了高压合成金刚石工艺过程中的温场分布特征。在忽略大形变的近似条件下,数值模拟让我们能够观察到在高压极端条件下无法实际测量到的定量信息。直观的数值结果表明:在"旁热式"腔体内,外围石墨管处温度最高,中心次之,两端最低。这为进一步的工艺设计提供了理论依据。经比较发现:"旁热式"高压合成腔体内的温度差低于"直热式"近25%。

关键词：高压合成有限元模拟 “旁热式”工艺温度场

创建原子与分子物理及高温高压物理与高压合成研究基地的回顾与展望

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原子与分子物理学报 2000年第1期17卷 170-181页

作者：芶清泉四川大学原子与分子物理研究所高温高压物理研究所四川成都610065

简要介绍了吉林大学原子与分子物理研究所(含高压物理与高压合成)及四川大学原子与分子物理研究所、高温高压物理研究所的创建经过和所取得的主要成就,并略谈今后的发展方向。

关键词：分子物理高温高压物理高压合成原子物理

方钴矿化合物Fe_xCo_(4-x)Sb_(12)的高温高压合成及其电输运特性研究

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原子与分子物理学报 2009年第4期26卷 748-752页

作者：马红安董楠宿太超于凤荣田永君姜一平邓乐贾晓鹏吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012 燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室秦皇岛066004

采用高压合成技术,在1.5 GPa,900 K的合成压力和温度条件下成功合成出了系列Fe置换掺杂型方钴矿化合物Fe_xCo_4-xSb_12,其中x=0,0.2,0.6,0.8.详细研究了Fe_xCo_4-xSb_12样品在300 K～700 K温度范围内的电阻率、Seebeck系数和功率因子(S^... 详细信息

采用高压合成技术,在1.5 GPa,900 K的合成压力和温度条件下成功合成出了系列Fe置换掺杂型方钴矿化合物Fe_xCo_4-xSb_12,其中x=0,0.2,0.6,0.8.详细研究了Fe_xCo_4-xSb_12样品在300 K～700 K温度范围内的电阻率、Seebeck系数和功率因子(S^2σ)随温度和Fe掺杂量的变化关系.研究结果表明:在测试温度范围内,随着温度的升高,样品的电阻率和Seebeck系数逐渐增大.随着Fe含量的增加,样品的电阻率和Seebeck系数先增加后减小.与常压下相同样品比较。高压合成方法制备的样品的电学输运特性有了明显的提高.上述研究结果表明,高压合成技术在制备热电材料方面能够有效地提高样品的电输运特性.

关键词：电学性质 FexC04-xSb12 高压合成