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高剥离态Fe Ⅹ Ⅵ离子能级寿命测量

原子与分子物理学报 2010年第3期27卷 393-396页

作者：常宏伟吕牛杨治虎张艳萍杜树斌中国原子能科学研究院北京102413 兰州大学兰州730000 中国科学院近代物理研究所兰州730000

在原子能院串列加速器上,利用束箔方法,测量了能量为30 MeV Fe离子产生的高剥离态谱线跃迁结构的寿命值.在30 MeV时,Fe通过箔膜的电荷态分布在7+到17+,我们选择Fe XⅥ2p^6(~1S)4p—2p^6(~1S)5d(~2P_(3/2)~o—~2D_(3/2))的谱线,谱线波长1... 详细信息

在原子能院串列加速器上,利用束箔方法,测量了能量为30 MeV Fe离子产生的高剥离态谱线跃迁结构的寿命值.在30 MeV时,Fe通过箔膜的电荷态分布在7+到17+,我们选择Fe XⅥ2p^6(~1S)4p—2p^6(~1S)5d(~2P_(3/2)~o—~2D_(3/2))的谱线,谱线波长124.696(?),能级寿命为79±4 ps.最后对实验误差进行了分析.

关键词：高剥离态能级束箔

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SOSA模型下高剥离态的辐射衰减速率系数

原子与分子物理学报 2003年第1期20卷 101-102,106页

作者：焦荣珍程新路张茹杨向东孟川民何绍奎北京邮电大学理学院北京100876 四川大学原子分子物理所成都610065

在SOSA模型下 ,计算得出Ni like、Cu Like、Zn like(Xe、Gd、Dy、Au)离子的 3d nf(n =4 ,5 ,6 )的辐射衰减速率系数Ar,结果表明 ,由于旁观电子和核电荷数的不同 ,使辐射衰减速率系数呈规律性变化 ,同时对Ni likeTa45+ 的辐射衰减速率系... 详细信息

在SOSA模型下 ,计算得出Ni like、Cu Like、Zn like(Xe、Gd、Dy、Au)离子的 3d nf(n =4 ,5 ,6 )的辐射衰减速率系数Ar,结果表明 ,由于旁观电子和核电荷数的不同 ,使辐射衰减速率系数呈规律性变化 ,同时对Ni likeTa45+ 的辐射衰减速率系数与采用相对论参数势方法得出的辐射衰减速率系数作了比较 ,结果比较一致。

关键词： SOSA模型高剥离态辐射衰减速率系数自旋轨道劈裂阵双电子复合相对论参数势等离子体诊断

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SOSA模型下高剥离态的自电离系数

四川大学学报（工程科学版） 2001年第5期33卷 116-118页

作者：焦荣珍程新路李小红杨向东四川大学原子分子物理所四川成都610065

在SOSA模型下 ,计算得出Ni-like、Cu -like、Zn -like (Xe、Gd、Dy、Au)的 3d-nf(n =4,5 ,6 )的自电离系数Aa,结果表明 ,由于旁观电子对slater积分Rk 的影响 ,使自电离系数呈规律性变化 ,同时对Ta4 5+ 的自电离系数与采用相对论参数势... 详细信息

在SOSA模型下 ,计算得出Ni-like、Cu -like、Zn -like (Xe、Gd、Dy、Au)的 3d-nf(n =4,5 ,6 )的自电离系数Aa,结果表明 ,由于旁观电子对slater积分Rk 的影响 ,使自电离系数呈规律性变化 ,同时对Ta4 5+ 的自电离系数与采用相对论参数势方法得出的自电离系数作了比较。

关键词：自电离系数自旋轨道劈裂阵 SOSA slater积分 R^k 高剥离态相对论参数势

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高Z高剥离态离子基态总能量的计算

西南民族学院学报（自然科学版） 1999年第3期25卷 225-227页

作者：姜明周平付强肖培西南民族学院物理系成都610041 四川师范大学数学系成都610066

采用改进的屏蔽氢离子模型计算了高Ｚ元素高剥离态离子基态总能量，并以Ｚ＝７５～８２元素为例计算了ｎ≤２的离剥离态离子基态总能量的值．

关键词：屏蔽氢离子模型高Z元素高剥离态基态总能量

类钾离子4s2^S1/2─3d2^D3/2电四极矩E2光谱跃迁的理论研究

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物理学报 2008年第3期57卷 1622-1625页

作者：杨富利易有根西藏大学农牧学院西藏860000 中南大学物理科学与技术学院长沙410083

采用全相对论量子力学GRASP2程序,广义平均能级EAL模型,在核的有限体积效应,Breit和QED效应的高阶扰动基础上,考虑到原子实的极化,系统地计算了高剥离类钾离子4s2S1/2─3d2D3/2电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁概率和振子强度,结果表... 详细信息

采用全相对论量子力学GRASP2程序,广义平均能级EAL模型,在核的有限体积效应,Breit和QED效应的高阶扰动基础上,考虑到原子实的极化,系统地计算了高剥离类钾离子4s2S1/2─3d2D3/2电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁概率和振子强度,结果表明:考虑原子实极化效应后,计算的精细能级结构间隔与实验数据之间的系统误差基本消除,其跃迁概率和振子强度属首次报道.

关键词：高剥离态能级间隔振子强度类钾离子电四极矩E2光谱跃迁

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

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核聚变与等离子体物理 2003年第2期23卷 89-95页

作者：易有根郑志坚唐永建朱正和湘潭师范学院物理系湘潭411201 中国工程物理研究院高温高密度等离子体物理国家重点实验室绵阳621900 四川大学原子分子工程研究所成都610065

利用全相对论性多组态Dirac Fock广义平均能级方法,系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极M13P2-3P1和电四极E23P2-3P0(Z=20～103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应,进行了高阶Breit修正和QED修正,... 详细信息

利用全相对论性多组态Dirac Fock广义平均能级方法,系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极M13P2-3P1和电四极E23P2-3P0(Z=20～103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应,进行了高阶Breit修正和QED修正,所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明:高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温激光等离子体中,磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。

关键词：高剥离态类镁离子磁偶极跃迁几率振子强度能级间隔全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法电四极E2光谱跃迁

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单粒子效应研究中提高LET值的特殊方法

原子能科学技术 2004年第4期38卷 289-293页

作者：李志常李淑媛刘建成郭继宇赵葵杨丙凡胡跃明中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413

为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移 (LET)值 ( 80MeV·mg- 1 ·cm- 2 以上 )的要求 ,在HI 1 3串列加速器上发展了用于高剥离态离子的加速、引出及 0°束Q3D磁谱仪焦面辐照技术。当用高剥离态 (Q1 =1 5 ,Q2 =2 5 )重离子1 2 7I 4... 详细信息

为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移 (LET)值 ( 80MeV·mg- 1 ·cm- 2 以上 )的要求 ,在HI 1 3串列加速器上发展了用于高剥离态离子的加速、引出及 0°束Q3D磁谱仪焦面辐照技术。当用高剥离态 (Q1 =1 5 ,Q2 =2 5 )重离子1 2 7I 45°倾斜入射时 ,已得到的LET值为 86 7MeV·mg- 1 ·cm- 2 ,Si中射程约 2 0 μm。使用谱仪的散焦特性 ,辐照束的强度、均匀性和束斑大小可在大范围内调整 ,注量率为几十至 5× 1 0 5s- 1 ·cm- 2 ,均匀性好于 90 % ,束斑为1 0mm到5 0mm ,其纯度好于 98%。

关键词：串列加速器高剥离态抗辐射加固磁谱仪单粒子效应束斑

MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量

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原子能科学技术 2004年第5期38卷 395-398页

作者：李志常李淑媛刘建成曹洲杨世宇中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413 中国航天科技集团公司五院510所甘肃兰州730000

对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(LET)值的曲线。对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量。研究了器件在不同工作条件下,如不... 详细信息

对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(LET)值的曲线。对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量。研究了器件在不同工作条件下,如不同的漏源电压VDS和栅源电压VGS条件下的SEB效应。在相同条件下,127I的SEB截面比79Br的高近两个量级。

关键词：单粒子截面测量截面比高剥离态能量转移线性离子 MOSFET 功率管 SEB

高LET值的获得及在SEB效应研究中的应用

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宇航学报 2004年第4期25卷 453-458页

作者：李志常李淑媛刘建成郭继宇赵葵曹洲杨世宇中国原子能科学研究院核物理所北京102413 中国航天科技集团公司五院所兰州730000

在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到... 详细信息

在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D磁谱仪焦面辐照方法。已得到的LET值为86 7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调。论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验。

关键词：串列加速器高剥离态抗辐射加固磁谱仪烧毁效应