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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 高侧壁垂直度
  • 1 篇 超浅光栅耦合器
  • 1 篇 聚焦离子束(fib)
  • 1 篇 非晶硅(α-si)
  • 1 篇 铌酸锂(ln)

机构

  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 华东师范大学

作者

  • 1 篇 程秀兰
  • 1 篇 刘民
  • 1 篇 陈舒静
  • 1 篇 李进喜
  • 1 篇 刘思琦
  • 1 篇 付学成
  • 1 篇 瞿敏妮

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=高侧壁垂直度"
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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率
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微纳电子技术 2024年 第1期61卷 131-136页
作者： 瞿敏妮 刘思琦 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台 上海200240 华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室 上海200241
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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