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  • 1 篇 期刊文献

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    • 1 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 化学工程与技术

主题

  • 1 篇 生长行为
  • 1 篇 hfo2
  • 1 篇 高介电质薄膜
  • 1 篇 原子层沉积

机构

  • 1 篇 西安文理学院
  • 1 篇 西安交通大学

作者

  • 1 篇 徐可为
  • 1 篇 马大衍
  • 1 篇 聂祥龙

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=高介电质薄膜"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
ALD沉积HfO_2薄膜生长行为及其调控
收藏 引用
稀有金属材料与工程 2015年 第11期44卷 2907-2912页
作者: 聂祥龙 马大衍 徐可为 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 陕西西安710049 西安文理学院 陕西西安710065
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO_2高介电质薄膜。系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO_2薄膜生长量的影响。通过工艺调控,发现存在... 详细信息
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