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含氰基联苯型高介电常数聚合物绝缘层在有机薄膜晶体管上的应用

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含氰基联苯型高介电常数聚合物绝缘层在有机薄膜晶体管上的应用

2015年全国高分子学术论文报告会

作者：李尧王雪松崔占臣吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室

有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistors,简称OTFTs）,由于其成本低廉,加工工艺简单并且可以柔性显示,而被广泛应用于柔性电子器件、生物芯片、传感器和射频识别标签等领域。相对于传统的无机晶体管,较高的阈值电压使OTFTs工作... 详细信息

有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistors,简称OTFTs）,由于其成本低廉,加工工艺简单并且可以柔性显示,而被广泛应用于柔性电子器件、生物芯片、传感器和射频识别标签等领域。相对于传统的无机晶体管,较高的阈值电压使OTFTs工作时消耗了更多的能源,限制了其发展。为解决这一问题,我设计合成了一种全新结构的含氰基联苯型高介电常数聚合物绝缘层。我们通过两步有机合成反应将氰基、联苯基接枝在丙烯酸类单体上,并用自由基聚合的方法将该单体成功引入到共聚物中。该聚合物材料不但具有较大的介电常数,而且可以通过简单的旋涂成膜办法,得到一张表面粗糙度（RMS）为0.2-0.3nm薄膜。我们以该共聚物为绝缘层,以酞菁氧钒和对六联苯为半导体层制备了有机薄膜晶体管,最终使阈值电压达到-3V左右,器件迁移率在0.8 cm2/Vs。

关键词：有机薄膜晶体管聚合物绝缘层高介电常数

化学吸附二维介电纳米片用于超高电储能无基质纳米复合材料

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Science Bulletin 2022年第6期67卷 609-618,M0004页

作者：陈杰沈忠慧康琪钱小石李盛涛江平开黄兴溢 Shanghai Key Laboratory of Electrical Insulation and Thermal Ageing Department of Polymer Science and EngineeringThe State Key Laboratory of Metal Matrix CompositesShanghai Jiao Tong UniversityShanghai 200240China State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing Center of Smart Materials and DevicesWuhan University of TechnologyWuhan 430070China School of Mechanical Engineering Shanghai Jiao Tong UniversityShanghai 200240China State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment Xi'an Jiaotong UniversityXi'an 710054China

弛豫铁电聚合物具有高介电常数和优异的加工性,在电容储能应用中潜力巨大.然而,弛豫铁电聚合物固有的机械模量和热导率较低,且在高电场下易受电荷碰撞电离产生的高能电子破坏,实际电荷存储能力较差.本文通过氮化硼纳米片表面化学吸附氨... 详细信息

弛豫铁电聚合物具有高介电常数和优异的加工性,在电容储能应用中潜力巨大.然而,弛豫铁电聚合物固有的机械模量和热导率较低,且在高电场下易受电荷碰撞电离产生的高能电子破坏,实际电荷存储能力较差.本文通过氮化硼纳米片表面化学吸附氨基功能化的聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯大分子,提出了一种制备无基质纳米复合电介质的策略.氮化硼纳米片取向增强了复合介质的机械模量和导热率,化学吸附则在氮化硼纳米片表面引入了电子屏障层,可有效抑制电荷碰撞电离.与纯弛豫铁电聚合物相比,无基质纳米复合电介质的泄漏电流从2.4×10^(-6)显著下降到1.1×10^(-7)A cm^(-2),击穿强度从340增加到742 MV m^(-1),放电能量密度从5.2大幅增加到31.8 J cm^(-3).发生电击穿后,采用简单热压可使无基质纳米复合介质的介电强度恢复到原来的88%.综上,本文提出了一种利用化学吸附制备高电容储能纳米复合电介质的新策略.

关键词：纳米复合材料化学吸附聚偏氟乙烯氮化硼纳米片高介电常数击穿强度介电强度复合介质

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激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷

激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：季凌飞王伟于振龙蒋毅坚北京工业大学国家产学研激光技术中心

采用大功率CO2激光辐照制备高介电常数Ta2O5陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.

关键词： Ta2O5陶瓷激光辐照高介电常数

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聚氨酯基高介电常数复合材料的制备与表征

四川化工 2011年第4期14卷 5-9页

作者：吴聪聪王经文陈涛魏楠李淑琴南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100

采用聚氨酯弹性体(PU)为聚合物基体,超高介电常数的酞菁铜齐聚物(CuPc)为添加物,通过化学方法将CuPc接到PU链上,制备高介电常数复合材料。TEM结果显示,CuPc在PU中的分散性大大改善,颗粒尺寸约为20nm,约为CuPc和PU简单共混中CuPc粒径的1... 详细信息

采用聚氨酯弹性体(PU)为聚合物基体,超高介电常数的酞菁铜齐聚物(CuPc)为添加物,通过化学方法将CuPc接到PU链上,制备高介电常数复合材料。TEM结果显示,CuPc在PU中的分散性大大改善,颗粒尺寸约为20nm,约为CuPc和PU简单共混中CuPc粒径的1/25。颗粒尺寸的减小大大增强了复合体系中界面交换耦合效应,极大增加了复合材料的介电常数。在100Hz时,CuPc含量为15wt%的复合材料,介电常数高达380左右。

关键词：聚氨酯弹性体酞菁铜齐聚物纳米复合材料高介电常数

应用于小型化微带天线的高介电常数低介质损耗覆铜板

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印制电路信息 2016年第2期24卷 18-22页

作者：关迟记曾宪平陈广兵广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心广东东莞523808

本文使用改性聚苯醚树脂、高介电常数功能填料、阻燃剂作为主要原料,研制了性能良好的高介电常数覆铜板。该覆铜板具有低的介质损耗、低的热膨胀系数、低的吸水率,介电性能(Dk/Df)在较宽的使用温度和频率范围内保持稳定。

关键词：高介电常数低介质损耗覆铜板微带天线

使用高介电常数多层陶瓷衬底的新型薄膜电致发光器件

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光电子学技术 1988年第1期 41-45页

作者：田辉

已研制成功一种使用多层薄膜和陶瓷衬底的新型复合结构交流电致发光器件.发光薄膜(ZnS:Mn)和ITO电极淀积在一块由高电介质陶瓷绝缘层(e_s～10~4),内部印刷电极和陶瓷基板构成的多层陶瓷衬底上.这种器件具有工作电压低(40-80V),无击穿故... 详细信息

已研制成功一种使用多层薄膜和陶瓷衬底的新型复合结构交流电致发光器件.发光薄膜(ZnS:Mn)和ITO电极淀积在一块由高电介质陶瓷绝缘层(e_s～10~4),内部印刷电极和陶瓷基板构成的多层陶瓷衬底上.这种器件具有工作电压低(40-80V),无击穿故障,清晰度高的特点.

关键词：多层陶瓷陶瓷基板绝缘层高介电常数陶瓷绝缘体电致发光器件电光器件衬底基片

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应用于天线的高介电常数聚合物基覆铜板

应用于天线的高介电常数聚合物基覆铜板

第十三届中国覆铜板技术交流会

作者：颜善银苏民社殷卫峰国家电子电路基材工程技术研究中心

近年来,由于无线通信的快速发展,使无线通信已成为生活的必需。天线负责电路与空气中电磁能量的转换,为通信系统中不可或缺的基本设备。随着电子产品轻、薄、短、小的趋势,电子产品中零件的设计也要朝此趋势发展。当前各界对于天线设计... 详细信息

近年来,由于无线通信的快速发展,使无线通信已成为生活的必需。天线负责电路与空气中电磁能量的转换,为通信系统中不可或缺的基本设备。随着电子产品轻、薄、短、小的趋势,电子产品中零件的设计也要朝此趋势发展。当前各界对于天线设计的重点在于小型化、结构简单化及多频或宽带。采用陶瓷作为基板制作小型化天线已经是众所用知,然而,陶瓷的不足之处是它易碎,并且有较高的制作成本,因为它必须使用烧结的方法来制备。高介电常数聚合物基覆铜板由于具有易加工、低温成型、低成本和优异的机械性能,已经引起了人们的广泛关注。本文对高介电常数聚合物基覆铜板的设计与制作进行了简要概述。

关键词：高介电常数覆铜板天线

退火温度对基于Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

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电子学报 2022年第2期50卷 455-460页

作者：张琦叶伟孙芳莉萧生杜鹏飞陕西理工大学机械工程学院陕西汉中723001 西北工业集团有限公司陕西西安710043

具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射... 详细信息

具有高介电常数的Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜存在氧空位和陷阱缺陷,因此,使用Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)作为栅绝缘层的ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应和低的电学性能.为了解决这些问题,提高器件性能,本文采用射频磁控溅射制备了以Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)为栅绝缘层的ZnO-TFTs,同时,详细研究了300℃、400℃、500℃和600℃等退火温度对ZnO-TFTs性能的影响,研究结果表明,随着退火温度的升高,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能先升高后降低,在退火温度为500℃时,Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能都得到了显著提高,电容密度从165 nF/cm^(2)升高到222 nF/cm^(2),开关比从103升高到105.

关键词： Bi_(1.5)Zn_(1.05)Nb_(1.5)O_(7)薄膜氧化锌薄膜晶体管射频磁控溅射退火温度电容密度高介电常数

PS_bN-PZN-PZT四元系高介电常数压电陶瓷材料研究

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贵州大学学报（自然科学版） 2010年第3期27卷 54-57页

作者：吴康和王学杰中国振华集团红云器材厂贵州贵阳550018

本文从生产实用化的角度出发,对PSbN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料组成与性能的关系进行了研究。通过Nb2O5、Sb2O3等氧化物适当地掺杂改性以及用Sr、Ba等元素对部分Pb的置换,常温极化即可获得3ε3/0ε=5200、d33=820 pC/N、Kp=0.78的高性... 详细信息

本文从生产实用化的角度出发,对PSbN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料组成与性能的关系进行了研究。通过Nb2O5、Sb2O3等氧化物适当地掺杂改性以及用Sr、Ba等元素对部分Pb的置换,常温极化即可获得3ε3/0ε=5200、d33=820 pC/N、Kp=0.78的高性能和高致密度的压电陶瓷材料,是目前用于制作小体积大容量的各类高档压电电声器件的良好材料。

关键词：压电陶瓷四元系置换高介电常数