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高介电常数的碳酸酯系新溶剂开发成功

精细化工 1985年第1期 70-70页

作者：祝轶

日本公司开发出在以前通用的有机溶剂中还没见过的、具有高介电常数的环状碳酸酯,并已开始试销。该公司还开发了其它种类的环状碳酸酯,其中代表产品是4-异丙基-5.5-二甲基丙撑(烯)碳酸酯(略写为PDMPC),它是有下示构造的化合物;

关键词：高介电常数碳酸环状二甲基碳化合物二烷基有机溶剂油墨

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高介电常数的介电陶瓷

稀土信息 1992年第7期 11-11页

作者：李春鸿

据《日经新材料》1991年第107期报道,日本村田制作所开发出一种用于携带式电话机的不受温度变化影响、谐振频率稳定的实用性介电陶瓷。介电常数达到110,比常规材料的高20％,但体积可减少10％。一般材料介电常数越高,越能制造更小体积的... 详细信息

据《日经新材料》1991年第107期报道,日本村田制作所开发出一种用于携带式电话机的不受温度变化影响、谐振频率稳定的实用性介电陶瓷。介电常数达到110,比常规材料的高20％,但体积可减少10％。一般材料介电常数越高,越能制造更小体积的器件。介电谐振器在携带式电话机中,接受和发射信号时只让特定频率的波通过,起滤波器的作用。这次研制的材料。

关键词：介电陶瓷高介电常数特定频率携带式常规材料谐振频率温度变化影响日经制举

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改性多省并醌的合成与性能研究

功能材料 2012年第19期43卷 2588-2594页

作者：姚子君郑华靖唐先忠阮政电子科技大学光电信息学院四川成都610054

合成了两种新型蒽醌单体:1,4-二(辛氧基)蒽-9,10-二酮和1,4-二(丁氧基)蒽-9,10-二酮。通过红外、核磁和元素分析确证了单体的结构。DSC、TG结果显示两种新型单体的5%质量损失温度最高可达266.4℃。将新型蒽醌单体与均苯四甲酸酐在硝基... 详细信息

合成了两种新型蒽醌单体:1,4-二(辛氧基)蒽-9,10-二酮和1,4-二(丁氧基)蒽-9,10-二酮。通过红外、核磁和元素分析确证了单体的结构。DSC、TG结果显示两种新型单体的5%质量损失温度最高可达266.4℃。将新型蒽醌单体与均苯四甲酸酐在硝基苯中预聚,再将预聚产物在NaCl/AlCl3熔盐中继续反应得到改性多省并醌聚合物。通过红外光谱、热分析等方法表征改性聚合物的结构并研究了改性聚合物的介电性能。研究结果表明改性聚合物仍有较好的热稳定性,5%质量损失温度>387℃;20Hz下改性聚合物的最大介电常数值为100,比改性前低。同时合成了乙醇可溶的改性多省并醌聚合物,20Hz下最大介电常数为19997。

关键词：多省并醌聚合物熔盐法高介电常数改性聚合物

氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷介电性能的影响

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稀有金属 2021年第2期45卷 210-216页

作者：周敏张庆猛陈均优孙竹叶杨婧北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧... 详细信息

采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧化物玻璃陶瓷样品的析出相成分、微观结构和介电性能进行表征,研究了氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷性能的影响。研究结果表明:添加不同的氧化物并未改变BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷的析出相种类,但能够促进基体中钙钛矿结构钛酸钡结晶相的生成。同时添加不同氧化物后样品的致密度均随烧结温度的升高呈现先增大后减小的变化趋势,在最适烧结温度下,氧化物的添加提高了不同烧结玻璃陶瓷样品的致密度,并优化了样品的介电性能。通过添加不同种类氧化物获得了同时具有高致密度和良好介电性能的玻璃陶瓷成分,当添加0.5%(质量分数)Ni_(2)O_(3)时,样品在最佳烧结温度1230°C下烧结获得最大致密度为98.6%,提高了1.65%,样品室温下的介电常数高达1100,提高了139.5%。

关键词：氧化物钛酸钡玻璃陶瓷高介电常数

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冰面流注发展特性试验研究

高电压技术 2018年第9期44卷 2849-2855页

作者：王黎明叶维平梅红伟关志成清华大学深圳研究生院

目前国内外关于流注在冰层表面传播特性的研究还比较少,少数学者研究了在棒板电极结构下不均匀场中冰面流注的传播特性。为此在冰箱冷冻室内利用＂三电极＂结构研究了均匀场下冰层表面流注的传播特性,利用3个光电倍增管来观测流注在表... 详细信息

目前国内外关于流注在冰层表面传播特性的研究还比较少,少数学者研究了在棒板电极结构下不均匀场中冰面流注的传播特性。为此在冰箱冷冻室内利用＂三电极＂结构研究了均匀场下冰层表面流注的传播特性,利用3个光电倍增管来观测流注在表面的传播过程。分析了流注在冰层表面传播过程中2个分量的变化情况。测量了流注的传播概率,通过数据拟合得到了流注的稳定传播场强;计算了在不同外加电场条件下流注在冰层表面的传播速度;测量了流注头部发光强度的变化规律。试验结果表明,流注在冰层表面传播过程中,只有沿面分量能够达到阴极,空气分量会在传播过程中消失。流注的稳定传播场强比较低,传播速度却很快,同时流注头部的发光强度随着传播距离的增加而不断减小。

关键词：三电极结构冰面流注放电传播概率传播速度高介电常数

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含腈基的电活性聚芳醚酮的合成与表征

高等学校化学学报 2010年第6期31卷 1078-1080页

作者：姚雷晁单明刘新才李智亮王策吉林大学麦克德尔米德实验室长春130012

A new electroactive polyaryletherketone containing benzonitrile(EPEEK-CN) was synthesized from 2,6-difluorobenzonitrile,p-benzenediol and difluoromonomer containing phenyl-capped aniline tetramer segment,via ternary polycondensation.The obtained EPEEK-CN shows certain extent solubility in organic solvents,and its film casted from DMAc solution exhibits interesting electrical,mechanical and dielectric properties.

关键词：电活性氧化偶联有机可溶性高介电常数

P(VDF-TrFE)和铜酞菁齐聚物的接枝与表征

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南京航空航天大学学报 2005年第5期37卷 633-637页

作者：王经文沈群东杨昌正南京航空航天大学材料科学与技术学院南京210016 南京大学化学化工学院南京210093

为提高偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[Poly(Vinylidene fluoride-trifluoroethylene),P(VDF-TrFE)]与铜酞菁齐聚物(Copper phthalocyanine oligomer,o-CuPc)复合物的相容性,对聚合物进行化学修饰,赋予其活泼苄氯基团,进而与o-CuPc发生酯化反应,将其部分接枝到聚合物链上.1H-NMR和FT-IR表征证明了接枝的成功.透射电子显微镜(Transmission electron microscope,TEM)分析表明,与P(VDF-TrFE)和o-CuPc的共混物相比,所制备的接枝纳米复合物[P(VDF-TrFE)-g-CuPc/CuPc]中o-CuPc的分散性大大提高;o-CuPc颗粒的粒径在60～100 nm之间,约相当于共混物中的1/6.

关键词：高分子复合物相容性接枝高介电常数

不同SiO2含量对BaO-SrO-PbO-TiO2-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷介电性能的影响

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稀有金属 2019年第9期43卷 935-941页

作者：陈均优张庆猛谭飞虎周敏北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088 北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室北京100088

通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,(Ba,... 详细信息

通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3 3种晶相;随着结晶温度升高,烧绿石结构的Pb2Nb2O7相消失,在900℃和1000℃结晶处理的样品中,只析出(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3两种晶相。另外, SiO2含量的调整没有改变不同结晶温度下的析出陶瓷相种类。微观结构分析结果显示随着晶化温度的增加,晶粒尺寸在不断长大, 1000℃晶化处理后的晶粒尺寸增加非常明显,最大达到500 nm左右。通过对SiO2玻璃相含量的调整获得了两种介电性能优异的玻璃陶瓷成分,在高介电常数方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-16SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在1000℃结晶处理后得到1070的高介电常数,同时介电损耗维持在了0.0045的较低水平。在低介电损耗方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-20SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在800℃晶化处理条件下实现了非常低的介电损耗,达到0.0008,介电常数保持在430,在脉冲功率技术领域展现出良好的应用前景。

关键词：玻璃陶瓷高介电常数低介电损耗介电性能

NH_(3)和N_(2)混合等离子体预处理对锗MOS器件性能的影响

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材料导报 2021年第14期35卷 14012-14016页

作者：乌李瑛柏荣旭瞿敏妮付学成田苗马玲王英程秀兰上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台上海200240 芬兰倍耐克有限公司上海代表处上海200135

对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH_(3))∶V(N_(2))=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeO_(x)反应生成GeO_(y)N_(z)。XPS结果显示,随着预处理时间的延长,GeO_(y)N_(z)厚度稍有增加。结构为500 nm Al/20 nm Ti/10 nm HfO_(2)/Ge的锗MOS电容样品,在1 V的偏压下,未经过原位等离子体预处理的样品的漏电流密度为10^(-4) A/cm^(2)量级,而120 s NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理后的样品的漏电流密度减小到10^(-5) A/cm 2量级;所有等离子体预处理样品的C-V曲线不存在明显的翘曲变形,表明样品的界面陷阱电荷密度较低;通过C-V曲线计算可得,NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理60 s后样品的等效电容约为17,小于理想HfO_(2)的介电常数值,说明预处理条件下仍有不可忽略的层间电容。与其他预处理方法相比,NH_(3)/N_(2)混合等离子体原位预处理锗衬底可以更加有效地提高锗衬底上原子层沉积HfO_(2)层间界面的质量,抑制Ge向HfO_(2)的扩散,对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。在提高锗MOS器件的性能方面,NH_(3)和N_(2)混合等离子体原位预处理的方法在工业生产中更具有潜在优势。

关键词：锗MOS 原子层沉积原位等离子体预处理二氧化铪薄膜高介电常数漏电流密度