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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 界面电荷
  • 1 篇 比导通电阻
  • 1 篇 高介电常数耐压层
  • 1 篇 击穿电压

机构

  • 1 篇 西南交通大学

作者

  • 1 篇 刘乙

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=高介电常数耐压层"
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界面电荷对圆柱形高k VDMOS的影响仿真研究
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微电子学 2022年 第1期52卷 109-114页
作者： 刘乙 西南交通大学电子工程系集成电路设计实验室 成都610000
相比于传统VDMOS,超结耐压层结构和高k介质耐压层结构VDMOS能实现更高的击穿电压和更低的导通电阻。通过仿真软件,对3D圆柱形高k VDMOS具有、不具有界面电荷下的各种结构参数对电场分布、击穿电压和比导通电阻的影响进行了系统总结。研... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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