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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

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电子学报 2005年第8期33卷 1512-1515页

作者：王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安邮电学院信控系陕西西安710061 中国电子科技集团公司第13研究所河北石家庄050051

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 详细信息

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.

关键词： 4H-SiC 蒙特卡罗研究中性杂质散射饱和漂移速度

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非线性光导开关快速导通特性

光学学报 2002年第3期22卷 327-331页

作者：张同意石顺祥龚仁喜孙艳玲西安电子科技大学技术物理学院西安710071

非线性光导半导体开关的快速导通过程总是伴有电流丝的形成 ,基于电流丝形成的雪崩碰撞引起的粒子束放电机制的假定 ,考虑到载流子寿命、光吸收深度、碰撞电离系数以及初始载流子浓度等因素的影响 ,从理论上分析了非线性光导开关雪崩导... 详细信息

非线性光导半导体开关的快速导通过程总是伴有电流丝的形成 ,基于电流丝形成的雪崩碰撞引起的粒子束放电机制的假定 ,考虑到载流子寿命、光吸收深度、碰撞电离系数以及初始载流子浓度等因素的影响 ,从理论上分析了非线性光导开关雪崩导通的物理过程和导通特性 ,得到了一些与实验观测结果吻合得很好的结论 ,提出了一些有利于改善和控制非线性光导开关的工作特性的可行手段。

关键词：光控光电导半导体开关丝状电流非线性光导开关雪崩碰撞粒子束放电饱和漂移速度快速导通

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肖特基势垒场效应晶体管的动态特性

微纳电子技术 1971年第8期 43-59页

作者：梁春广

一、引言本文的理论是寻求一个最快捷最简单的方法为目的的探索结果,它牺牲数值的精确度,而考虑物理参数对场效应晶体管的动态特性和动态参量有多大的影响,以及介绍一些具有良好的高频性能的场效应晶体管,其材料或结构的恰当选取。

关键词：场效应晶体管方程克莱单极晶体管场效应器件沟道区饱和漂移速度跨导栅电极载流子浓度载流子密度动态特性

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第3代半导体产业发展概况

新材料产业 2014年第3期 2-7页

作者：于灏蔡永香卜雨洲谢潜思北京新材料发展中心

第3代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料，各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第3代半导体具有禁带宽度大、击... 详细信息

第3代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料，各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、

关键词：半导体产业第3代发展概况宽禁带半导体材料饱和漂移速度禁带宽度击穿电场碳化硅

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氮化镓材料专利计量分析及启示

新材料产业 2015年第10期 39-43页

作者：陈欣董璐陈枢舒郑菲中国科学院文献情报中心

氮化镓（Gallium Nitride，GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独... 详细信息

氮化镓（Gallium Nitride，GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景。

关键词：氮化镓材料计量分析半导体材料光电子器件专利砷化镓基材料饱和漂移速度化学稳定性

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钠硫储能电池产业化工作取得新进展

现代材料动态 2014年第6期 23-24页

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。碳化硅单晶是一种宽禁... 详细信息

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET、IGBT等器件。

关键词：中国科学院上海硅酸盐研究所电池产业碳化硅单晶宽禁带半导体材料单晶生长技术化工储能饱和漂移速度

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物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

人工晶体学报 2014年第12期43卷 3224-3224页

碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特... 详细信息

碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。

关键词：碳化硅单晶衬底材料大功率电子器件宽禁带半导体材料 SiC单晶物理饱和漂移速度肖特基二极管

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国产化5G芯片用氮化镓材料在芜湖试制成功

现代材料动态 2019年第7期 16-16页

近日,记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。据介绍,氮化镓半导体材料具有宽... 详细信息

近日,记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质。

关键词：氮化镓材料通信芯片试制成功国产化芜湖 5G 西安电子科技大学饱和漂移速度

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中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底

山东陶瓷 2014年第6期37卷 22-22页

作者：鲁陶

碳化硅（SIC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是C-aN基LED、... 详细信息

碳化硅（SIC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是C-aN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额将逐年增大。

关键词：碳化硅单晶衬底材料大功率电子器件中科院宽禁带半导体材料 SiC单晶物理饱和漂移速度