检索结果-南通市图书馆

飞兆半导体公司在青岛增设全球功率资源设计中心

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半导体信息 2006年第2期 1-2页

作者：章从福

飞兆半导体公司推出新型1200 V IGBT模块

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半导体信息 2005年第1期 30-31页

作者：章从福

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200 V TGBT模块—— FMG2G50US120和FMG2G75US120,它们的电流额定值分别为50 A和75 A,具有经优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff)),提供非常低的总功率损耗,适于焊接设备。

关键词： V IGBT模块飞兆半导体关断损耗焊接设备导通损耗功率损耗逆变器反偏最大偏差穿通

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飞兆半导体扩展模拟视频滤波器的领先地位

电子工业专用设备 2009年第12期38卷 57-58页

飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）为高清（HD）液晶电视、蓝光DVD播放器和HD机顶盒设计人员提供业界首款具有1080p高清能力的6通道集成视频滤波器。新器件能够同时支持3个在75MHz下进行滤波的1080p高清通道,以及3个在8MHz下进行... 详细信息

飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）为高清（HD）液晶电视、蓝光DVD播放器和HD机顶盒设计人员提供业界首款具有1080p高清能力的6通道集成视频滤波器。新器件能够同时支持3个在75MHz下进行滤波的1080p高清通道,以及3个在8MHz下进行滤波的标清（SD）通道。

关键词：视频滤波器飞兆半导体模拟 DVD播放器液晶电视设计人员通道机顶盒

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飞兆半导体——专注而又不断创新的功率专家

电子元器件应用 2005年第4期7卷 i001-i002页

作者：郭裕亮亚太区总裁兼董事总经理

如果你是电子行业的新手，“仙童公司”、“快捷半导体”或者“飞兆半导体”的称谓对你来说也许不是很熟悉，然而，也许你每天都在享受着它提供的服务，看电视、打电话、煮饭、洗衣、用空调、欣赏音乐等，因为，这些都离不开“Fairchild... 详细信息

如果你是电子行业的新手，“仙童公司”、“快捷半导体”或者“飞兆半导体”的称谓对你来说也许不是很熟悉，然而，也许你每天都在享受着它提供的服务，看电视、打电话、煮饭、洗衣、用空调、欣赏音乐等，因为，这些都离不开“Fairchild Semiconductor Corp”产品的支持。

关键词：飞兆半导体 Semiconductor Fairchild 专家功率创新电子行业电视电话

飞兆半导体推出具有业界最小外形尺寸封装的高集成度数字晶体管

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半导体信息 2007年第4期 12-13页

作者：江兴

飞兆半导体在苏州正式开设装配和测试制造设施

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电子工业专用设备 2003年第6期32卷 38-39页

全球最大的多元市场高性能系统功率优化产品供应商之一飞兆半导体公司(苏州称“快捷半导体公司”)(Fairchild Semiconductor)在中国苏州的全新装配、测试和自动仓储设施的一期工程正式开业，整个工厂的占地面积达73．6km^2。新设施是公... 详细信息

全球最大的多元市场高性能系统功率优化产品供应商之一飞兆半导体公司(苏州称“快捷半导体公司”)(Fairchild Semiconductor)在中国苏州的全新装配、测试和自动仓储设施的一期工程正式开业，整个工厂的占地面积达73．6km^2。新设施是公司实现2004年中国销售额翻1番的全球战略目标的关键要素，其制造的产品不仅在中国本土销售，还出口至亚洲其它地区、欧洲和美洲。

关键词：中国苏州产品供应商仓储设施销售额飞兆半导体公司亚洲飞兆半导体快捷半导体公司测试

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飞兆半导体小尺寸MOSFET器件

半导体信息 2005年第3期 25-26页

作者：章从福

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出据称最小尺寸的互补对称 MOSFET解决方案,为微型"点"功率应用和负载点(POL)DC/DC开关变换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的Super SOT-6 FLMP封装(倒装... 详细信息

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出据称最小尺寸的互补对称 MOSFET解决方案,为微型"点"功率应用和负载点(POL)DC/DC开关变换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的Super SOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中;

关键词：飞兆半导体最小尺寸负载点开关变换器导模持续电流铿离子电池性能特性热阻抗硬盘驱动器

飞兆半导体Field Stop Trench IGBT

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半导体信息 2008年第4期 15-16页

作者：江兴

飞兆半导体的先进MOSFET技术降低Miller电荷达35—40％

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半导体信息 2004年第4期 23-24页

作者：章从福

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低... 详细信息

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短"死区时间",以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发。

关键词：飞兆半导体 MOSFET技术 Miller 开关损耗开关性能栅源同步降压误触发死区时间开关周期