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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 2 篇 预粗糙化
  • 1 篇 粗糙化
  • 1 篇 临界温度
  • 1 篇 临界减慢
  • 1 篇 gaas薄膜
  • 1 篇 ingaas薄膜

机构

  • 2 篇 贵州师范大学
  • 2 篇 贵州大学
  • 2 篇 贵州财经大学

作者

  • 2 篇 郭祥
  • 2 篇 罗子江
  • 2 篇 王继红
  • 2 篇 丁召
  • 2 篇 周勋
  • 1 篇 张毕禅
  • 1 篇 周清
  • 1 篇 刘珂

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=预粗糙化"
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GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢
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功能材料 2014年 第11期45卷 11105-11109页
作者： 罗子江 周勋 王继红 郭祥 丁召 贵州财经大学教育管理学院 贵阳550004 贵州大学电子信息学院 贵阳550025 贵州师范大学物理与电子科学学院 贵阳550001
通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
InGaAs薄膜表面的粗糙化过程
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物理学报 2013年 第3期62卷 283-288页
作者： 罗子江 周勋 王继红 郭祥 张毕禅 周清 刘珂 丁召 贵州大学理学院 贵阳550025 贵州财经大学教育管理学院 贵阳550004 贵州师范大学物理与电子科学学院 贵阳550001
采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In(0.15)Ga(0.85)As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In(0.15)Ga(0.85)As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程... 详细信息
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