检索结果-南通市图书馆

一种基于SV特征向量预匹配的快速分形图像压缩方法

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计算机工程与应用 2004年第32期40卷 82-84页

作者：王晶晶徐国卿王麾同济大学电气工程系上海200092 上海交通大学电气工程系上海200030

该文首先简单讨论了基本的分形图像压缩方法,然后针对这种方法存在的运算时间过长的缺点,提出并证明了一种值块和域块的有效预匹配策略,它用运算时间短的预匹配来代替运算时间很长的匹配,排除大量不匹配的域块,从而大大减少运算时间。最... 详细信息

该文首先简单讨论了基本的分形图像压缩方法,然后针对这种方法存在的运算时间过长的缺点,提出并证明了一种值块和域块的有效预匹配策略,它用运算时间短的预匹配来代替运算时间很长的匹配,排除大量不匹配的域块,从而大大减少运算时间。最后,用标准灰度图像对这种策略进行了测试,结果证明这种策略是有效的。

关键词：分形图像压缩 SV特征向量预匹配

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集成滤波特性的宽带滤波-功率放大器

电子测量与仪器学报 2023年第9期37卷 51-59页

作者：南星伊李新春丛密芳李政戴涛刘雨鑫辽宁工程技术大学电子与信息工程学院葫芦岛125105 中国科学院微电子研究所北京100000

为满足现代无线通信系统向宽频带、集成化、低成本和高性能方向发展的需求.基于协同设计理论,利用自研的RF-LDMOS器件设计了一款集成滤波特性的宽带滤波功率放大器。设计“T型”结构的预匹配网络以扩大晶体管阻抗值,同时集成枝节负载耦... 详细信息

为满足现代无线通信系统向宽频带、集成化、低成本和高性能方向发展的需求.基于协同设计理论,利用自研的RF-LDMOS器件设计了一款集成滤波特性的宽带滤波功率放大器。设计“T型”结构的预匹配网络以扩大晶体管阻抗值,同时集成枝节负载耦合线构成宽带滤波网络。连续波测试结果表明在1.2~2.6 GHz频带内饱和输出功率均大于40 dBm,漏极效率大于45%,增益约为11.5 dB,对二次谐波的抑制能力达到-62 dBc。当平均输出功率为32.5 dBm,ACPR在频带内均优于-37 dBc。本设计使功放兼具放大和滤波的作用,提高电路集成度的同时相对带宽拓展到了74%,符合当今无线通信系统的需求。

关键词：宽频带协同设计滤波特性平行耦合微带线预匹配

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面向窄引脚功率器件的负载牵引去嵌方法

半导体技术 2023年第6期48卷 512-518页

作者：郭跃伟孔令旭卢啸段磊崔健河北博威集成电路有限公司石家庄050200

传统的功率器件负载牵引测试忽略了器件引脚与预匹配电路间的不连续性电抗效应并引发阻抗偏移误差,该误差在窄引脚功率器件上更为显著。为了解决该问题,提出了一种考虑引脚不连续性电抗效应的新去嵌方案,先基于器件引脚尺寸设计独立校... 详细信息

传统的功率器件负载牵引测试忽略了器件引脚与预匹配电路间的不连续性电抗效应并引发阻抗偏移误差,该误差在窄引脚功率器件上更为显著。为了解决该问题,提出了一种考虑引脚不连续性电抗效应的新去嵌方案,先基于器件引脚尺寸设计独立校准系统并获取校准件传输参数,再通过校准件与预匹配电路的级联和参数处理将不连续效应叠加入预匹配电路传输参数中,使负载牵引测试数据端面从预匹配电路同轴端口端面去嵌到功率器件引脚根部端面,获取功率器件本身的精准阻抗测试数据。实验结果表明,利用该方案测定负载牵引阻抗具有较高的精度,匹配后的双边扁平无引脚(DFN)封装功率器件在5.8~7.2 GHz工作频率下饱和输出功率达43.6~44.6 dBm,功率附加效率达到40%~47%,20 dBm输入功率下增益为13.1~15.5 dB,性能较传统去嵌方法提升明显。

关键词：负载牵引预匹配不连续性电抗效应去嵌入功率器件

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L波段1500W GaN功率放大器

半导体技术 2023年第3期48卷 218-223页

作者：史强要志宏蒙燕强曹欢欢中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻... 详细信息

基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻0.19℃/W及高功率密度15 W/mm。采用该GaN HEMT芯片设计了一款L波段功率放大器,采用预匹配技术实现功率放大器高阻抗变换比。经测试,在1.2~1.4 GHz,该功率放大器在栅极电压-1.9 V,漏极电压100 V、脉宽100μs、占空比5%的工作条件下,输出功率大于1500 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于70%。

关键词： L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构结温预匹配

6~27 GHz GaAs宽带功率放大器MMIC

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半导体技术 2023年第1期48卷 54-58页

作者：冯晓冬何美林柳林冯彬刘亚男河北雄安太芯电子科技有限公司石家庄050051

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款6~27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用预匹配电路降低带内低频段的增益,将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络,将GaAs PHEMT的栅极等效电... 详细信息

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款6~27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用预匹配电路降低带内低频段的增益,将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络,将GaAs PHEMT的栅极等效电容和漏极等效电容加入匹配电路中,缩小了宽带功率放大器MMIC的尺寸。在片测试结果表明,该放大器MMIC在6~27 GHz内,增益大于23 dB,增益平坦度约为±0.8 dB,饱和输出功率大于20.9 dBm。放大器MMIC的工作电压为4 V,电流为125 mA,芯片尺寸为1.69 mm×0.96 mm。该宽带功率放大器MMIC有利于降低宽带系统的复杂度和成本。

关键词： GaAs 单片微波集成电路(MMIC) 宽带功率放大器预匹配

一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 159-164页

作者：王锋胡善文张晓东高怀东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心江苏苏州215123 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 苏州工业园区教育投资发展有限公司苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心江苏苏州215123

介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上... 详细信息

介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。

关键词：射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管等效电路模型预匹配输入输出匹配

基于负载牵引的S波段130 W硅LDMOS功率放大器研制

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电子与封装 2023年第1期23卷 121-125页

作者：鞠久贵成爱强中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016

研制了具有高频、高增益特性的硅LDMOS芯片,利用切比雪夫变换电路设计了5Ω及10Ω的2套负载牵引夹具。采用大功率负载牵引测试技术进行了阻抗提取,完成了功率管内匹配及预匹配电路的设计,设计出一款工作频带为2.7~3.1 GHz的LDMOS宽带功... 详细信息

研制了具有高频、高增益特性的硅LDMOS芯片,利用切比雪夫变换电路设计了5Ω及10Ω的2套负载牵引夹具。采用大功率负载牵引测试技术进行了阻抗提取,完成了功率管内匹配及预匹配电路的设计,设计出一款工作频带为2.7~3.1 GHz的LDMOS宽带功率放大器。测试结果表明,放大器在32 V工作电压、100μs脉宽、10%占空比的工作条件下,输出功率大于130 W,增益超过12.5 dB,漏极效率达到46%以上。

关键词： LDMOS S波段负载牵引预匹配 ADS仿真

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利用“互联网+”打破政企壁垒 003

利用“互联网+”打破政企壁垒

S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究

江淮时报

作者：郑信

针对企业反映的“政策不知道、看不懂、申报难、落实慢”等难题，民进安徽省委会近日建议，以打造便捷满意的惠企服务“数字化”平台为抓手，力争实现惠企政策“一口发布、一口解读、一口兑现、一口服务、一口评价”，推动惠企政策落地... 详细信息

针对企业反映的“政策不知道、看不懂、申报难、落实慢”等难题，民进安徽省委会近日建议，以打造便捷满意的惠企服务“数字化”平台为抓手，力争实现惠企政策“一口发布、一口解读、一口兑现、一口服务、一口评价”，推动惠企政策落地兑现，增强企业获得感和满意度。转变理?

关键词：预匹配

来源： cnki报纸评论

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微波学报 2010年第2期26卷 78-80,96页

作者：默江辉李亦凌王勇潘宏菽李亮陈昊蔡树军中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放... 详细信息

采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放大器在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,频率2GHz,Vds=50V脉冲输出峰值功率为88.7W(49.5dBm),功率增益为8.1dB,峰值功率附加效率为30.4%。

关键词： SiC MESFET 预匹配推挽放大器