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山东师范大学学报（自然科学版） 2002年第3期17卷 34-36页

作者：王军华黄宝歆张林张汝贞张连生张维咸潍坊学院实验中心山东潍坊261043 山东大学物理与微电子学院济南250100

采用高频溅射制备了Fe/SnO2 非晶多层膜 .当SnO2 层厚度ds 固定为 5nm时 ,样品的饱和磁化强度Ms 随Fe层厚度dm 的减小而降低 ,这主要受死层效应和维度效应的影响 .样品在dm 很小时 ,呈现准二维磁性 .样品的居里温度Ic 随dm 的减小而单... 详细信息

采用高频溅射制备了Fe/SnO2 非晶多层膜 .当SnO2 层厚度ds 固定为 5nm时 ,样品的饱和磁化强度Ms 随Fe层厚度dm 的减小而降低 ,这主要受死层效应和维度效应的影响 .样品在dm 很小时 ,呈现准二维磁性 .样品的居里温度Ic 随dm 的减小而单调下降 .当Fe层固定为 2nm时 ,Ms随ds

关键词：非晶多层膜 Fe/SnO2 磁特性死层效应维度效应二维磁性饱和磁化强度铁/二氧化锡磁膜

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Fe/Dy非晶多层膜的晶化反应及相演化研究

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聊城师院学报（自然科学版） 2001年第1期14卷 43-45,51页

作者：王长征李胜利张文强聊城师范学院物理系山东聊城252059 山东工业大学材料学院山东济南250061 山东省沂水县职业技术培训中心

由 Miedema半经验公式计算的 Fe/Dy二元系自由能图 ,及退火时 Fe/Dy非晶多层膜晶化过程的 XRD结果得出 :多层膜晶化受热力学和动力学两种因素控制 ,Fe,Dy晶态自由能低于初始非晶态提供了晶化的驱动力。

关键词：非晶多层膜热力学动力学晶化反应相演化 Miedema半经验公式晶态自由能铁镝

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非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究

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人工晶体学报 2013年第8期42卷 1658-1663页

作者：王锋许辉鳄杨少贵泉州师范学院物理与信息工程学院泉州362000

采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]2... 详细信息

采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。

关键词：非晶多层膜磁控测射磁性导电机理

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非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能

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厦门大学学报（自然科学版） 2013年第6期52卷 733-738页

作者：王锋陈春花陈瑞美泉州师范学院物理与信息工程学院福建泉州362000

采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x]（x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm）非晶多层薄膜,X射线衍射仪（XRD）显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可... 详细信息

采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x]（x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm）非晶多层薄膜,X射线衍射仪（XRD）显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.

关键词：非晶多层膜 Co Ge 磁性半导体自旋极化

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