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非晶半导体迁移率边的多标度分形性质

压电与声光 1996年第2期18卷 100-105页

作者：邹雪城徐重阳张少强王长安李兴教华中理工大学固体电子学系

首先研究了分形结构上无序势函数下的格林函数的性质。该分形结构上的格林函数与态密度的联系中充分体现了系统的分形特征。在非晶半导体的迁移率边，非晶半导体的本征波函数具有多标度分形性质，并深刻地影响到迁移率边波函数本征态量... 详细信息

首先研究了分形结构上无序势函数下的格林函数的性质。该分形结构上的格林函数与态密度的联系中充分体现了系统的分形特征。在非晶半导体的迁移率边，非晶半导体的本征波函数具有多标度分形性质，并深刻地影响到迁移率边波函数本征态量子波包的时间衰降，导致了直流电导率在迁移率边发生局域化转变的阈值附近表现出依赖分形子维数的色散特征。作者认为，这可能是人们对非晶半导体最小金属化电导率问题的研究一直处于不明朗境况的原因之一。

关键词：迁移率边多标度分形电导率非晶半导体

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非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电

南京大学学报（自然科学版） 1989年第1期25卷 29-35页

作者：毛国民陈坤基南京大学物理系南京大学固体微结构实验室

本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的... 详细信息

本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的低温带隙跳跃导电问题。

关键词：跳跃导电非晶半导体悬挂键

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非晶半导体发展及应用

半导体技术 1995年第5期11卷 57-60页

作者：杨红崔容强于化丛刘明义西安交通大学物理系太阳能研究室中美合资哈尔滨-克罗拉太阳能电力公司

论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器件、电子开关与光盘、敏感器件如热敏电阻、定位传感器、氢敏二极管、辨色器、摄像管、复印鼓等的原理、特征及应用，揭示了非... 详细信息

论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器件、电子开关与光盘、敏感器件如热敏电阻、定位传感器、氢敏二极管、辨色器、摄像管、复印鼓等的原理、特征及应用，揭示了非晶半导体这一研究领域广阔的发展前景。

关键词：非晶半导体器件特征

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非晶半导体的局域结构有序

物理 1989年第8期18卷 458-460,474页

作者： Jeffrey S. Lannin 童莉泰

传统的固体物理强调对周期性结构体系的研究.利用波矢来描述量子态,倒格子空间的概念为描述晶态固体电子的。晶格振动的和磁的性质提供了一个方便自洽的框架.在非周期系统中,波矢的概念不再有效,为了寻求可用的基本概念,首先要对实空间... 详细信息

传统的固体物理强调对周期性结构体系的研究.利用波矢来描述量子态,倒格子空间的概念为描述晶态固体电子的。晶格振动的和磁的性质提供了一个方便自洽的框架.在非周期系统中,波矢的概念不再有效,为了寻求可用的基本概念,首先要对实空间中非周期系统的结构位形进行研究. 半个世纪以前,人们就知道液体和非晶固体在几个原子间距的尺度内表现出某种有序.这种局域有序的范围,它与材料物理性质的关系,以及如何依赖于固体形成的动力学等问题,对于基础的固体物理研究,对于太阳能材料的制作,聚合物科学,生物分子结构及其功能的关系等方面的研究都是很有意义的. 非晶固体中的局域有序通常被认为是固定的.然而,近来的研究表明,局域有序随固体形。成的条件变化,这种改变又涉及到固体物理性质的变化.这方面最有力的证据来自对非晶薄膜的研究,因为制膜条件的变化范围可以较大.非晶系统可以是元素固体。也可以是两个或多个元素的合金化合物Z可以是绝缘体,也可以是金属或半导体.本文将集中于讨论元素非晶半导体,因为这方面的工作更多一些.1.统计几何描述非周期性系统静态结构的一个方法涉及到统计分布的概念.统计变量是刻画原子间相对排列的几何参数,例如最近邻键之间的夹角.确定这...

关键词：非晶半导体局域结构局域有序

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非晶半导体的中短程序研究

云南大学学报（自然科学版） 1998年第S1期20卷 85-87页

作者：田文杰史明霞云南大学物理系

以一定的结构模型分析探讨并从实验上证实了非晶半导体中短程序、中程序的存在．

关键词：非晶半导体短程序中程序模型

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四面体键合非晶半导体的理想分形结构模型

压电与声光 1996年第3期18卷 188-193页

作者：邹雪城徐重阳张少强王长安李兴教华中理工大学固体电子学系

借助著名的谢尔宾斯基（Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ）分形，构造四面体键合非晶半导体的一种理想分形结构模型，并研究其倒格子空间的构造。结果指出，基于二维和三维谢尔宾斯基分形的四面体键合非晶半导体的倒空间具有与正空间一致的分形特... 详细信息

借助著名的谢尔宾斯基（Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ）分形，构造四面体键合非晶半导体的一种理想分形结构模型，并研究其倒格子空间的构造。结果指出，基于二维和三维谢尔宾斯基分形的四面体键合非晶半导体的倒空间具有与正空间一致的分形特征。这意味着倒空间中的序参量也应表现出一定的标度性质。

关键词：分形四面体键合非晶半导体倒格子

非晶半导体超晶格紫外-可见-红外光谱的研究

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Journal of Semiconductors 1988年第2期 181-188页

作者：毛国民陈坤基杜家方李志锋陈泓南京大学物理系固体物理研究所南京大学物理系固体物理研究所南京

利用r.f.辉光放电方法,在单室生长系统内,由周期性地改变SiH;和NH;反应气氛成功地获得了Ls由10A到200A的a-Si:H/a-SiN;:H超晶格结构.由TEM和XPS实验结果证明超晶格结构具有平滑陡峭的界面.通过分析（Si-H）键拉伸振动模在波数2400cm;-18... 详细信息

利用r.f.辉光放电方法,在单室生长系统内,由周期性地改变SiH;和NH;反应气氛成功地获得了Ls由10A到200A的a-Si:H/a-SiN;:H超晶格结构.由TEM和XPS实验结果证明超晶格结构具有平滑陡峭的界面.通过分析（Si-H）键拉伸振动模在波数2400cm;-1800cm;范围内的精细结构,揭示了a-Si:H/a-SiN;:H界面中（Si-H）N振动模的形式.并证实有过量的H键合于界面层中.由紫外-可见吸收光谱的研究,证明当 L;<60A,光学能隙E;的位移是超晶格结构中量子势阱限制效应的影响.其实验值和理论计算值符合得较好.

关键词：非晶半导体超晶格结构光学性质红外、可见、紫外光谱

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非晶半导体光致发光的温度依赖关系

发光学报 1983年第4期 40-46页

作者：方容川王冠中杨明吴志强姜文娣中国科学技术大学物理系

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参... 详细信息

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T;,以及T;与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。

关键词：光致发光非晶硅温度依赖非晶半导体无辐射跃迁发光强度光强发光光谱激活能活化能

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非晶半导体超晶格研究进展

自然杂志 1988年第2期 83-91页

作者：陈治明陕西机械学院

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还... 详细信息

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近

关键词：非晶能隙厚度能带结构超晶格结构半导体超晶格量子尺寸效应子层非晶半导体非晶半导体材料光致发光效率宽带隙