检索结果-南通市图书馆

仪表技术 1994年第1期 33-35页

作者：郝鸿安上海元件五厂

NOV—RAM存储器把高速RAM和EEPP_(?)OM溶于一体.本文以X20C05和X20C16为例,介绍其性能、功能及应用方法.

关键词：非易失存储器存储器

基于新型非易失存储器的混合内存架构的内存管理机制

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电子学报 2019年第3期47卷 664-670页

作者：李琪钟将李雪李青淮阴师范学院计算机科学技术学院江苏淮阴223300 重庆大学计算机学院重庆400044 昆士兰大学信息技术与电子工程学院

随着互联网和云计算技术的迅猛发展,现有动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)已无法满足一些实时系统对性能、能耗的需求.新型非易失存储器(Non-Volatile Memory,NVM)的出现为计算机存储体系的发展带来了新的契机.本文针... 详细信息

随着互联网和云计算技术的迅猛发展,现有动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)已无法满足一些实时系统对性能、能耗的需求.新型非易失存储器(Non-Volatile Memory,NVM)的出现为计算机存储体系的发展带来了新的契机.本文针对NVM和DRAM混合内存系统架构,提出一种高效的混合内存页面管理机制.该机制针对内存介质写特性的不同,将具有不同访问特征的数据页保存在合适的内存空间中,以减少系统的迁移操作次数,从而提升系统性能.同时该机制使用一种两路链表使得NVM介质的写操作分布更加均匀,以提升使用寿命.最后,本文在Linux内核中对所提机制进行仿真实验.并与现有内存管理机制进行对比,实验结果证明了所提方法的有效性.

关键词：非易失存储器磨损均衡内存计算混合内存

NVMMDS——一种面向非易失存储器的元数据管理方法

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计算机研究与发展 2013年第1期50卷 69-79页

作者：蔡涛牛德姣刘扬宽李帅鞠时光江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013

元数据管理方法是影响文件系统性能的重要因素.针对现有元数据管理方法存在的查找性能低、适应性差和丢失元数据等问题,设计了面向非易失存储器的元数据管理方法(NVMMDS).首先针对元数据的访问特性和管理要求,给出了NVMMDS的结构和元数... 详细信息

元数据管理方法是影响文件系统性能的重要因素.针对现有元数据管理方法存在的查找性能低、适应性差和丢失元数据等问题,设计了面向非易失存储器的元数据管理方法(NVMMDS).首先针对元数据的访问特性和管理要求,给出了NVMMDS的结构和元数据管理流程,混合使用非易失存储器和DRAM存储元数据,为提高元数据查找性能和避免丢失元数据奠定了基础;设计了基于NVBB树的元数据查找算法和基于主动写回的元数据缓存算法,提高了元数据的查找性能,增强了元数据管理方法的适应能力,避免了元数据丢失问题.与现有元数据管理方法进行了分析和比较,在单机文件系统ReiserFs和分布式文件系统pNFS中实现了NVMMDS原型,使用FileBench和多个标准数据集进行了测试与分析,验证了NVMMDS能提高文件系统最大35%的操作处理速度和I/O性能.

关键词：文件系统元数据管理方法非易失存储器元数据查找方法元数据缓存

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面向新型非易失存储器的文件级磨损均衡机制

计算机研究与发展 2015年第7期52卷 1558-1566页

作者：蔡涛张永春牛德姣倪晓蓉梁东莺江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013 深圳信息职业技术学院信息中心广东深圳518055

自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有... 详细信息

自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有限的写次数是其重要局限之一.设计了文件系统级磨损均衡机制,使用Hash函数分散文件在外存中的存储,避免在创建和删除文件时反复分配某些存储块,通过分配文件空间时选择写次数较低的存储块,避免写操作的集中;使用主动迁移策略,在外存系统I/O负载较低时主动迁移写次数较高的数据块,减少磨损均衡机制对I/O性能的影响.最后在开源的基于对象存储设备Open-osd上实现了面向新型存储器文件系统级磨损均衡机制的原型,使用存储系统通用测试工具filebench和postmark的多个通用数据集进行了测试与分析,验证了基于新型存储器的文件系统级磨损均衡机制能稳定地将存储块写次数差减少到原来的1/20左右,同时最高仅损失了6%的I/O性能和增加了0.5%的额外写操作,具有高效和稳定的特性.

关键词：非易失存储器磨损均衡文件系统存储系统新型存储器

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面向非易失存储器外存系统的缓存机制

小型微型计算机系统 2014年第9期35卷 2187-2192页

作者：蔡涛张永春倪晓蓉牛德姣梁东莺周东明江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013 深圳信息职业技术学院信息中心广东深圳518055

非易失存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高大数据系统性能的重要手段,但非易失存储器存在写次数有限和写能耗较高等问题.本文引入缓存技术,使用写缓存合并对同一数据的多次写操作,减少对非易失存储器的写次数;... 详细信息

非易失存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高大数据系统性能的重要手段,但非易失存储器存在写次数有限和写能耗较高等问题.本文引入缓存技术,使用写缓存合并对同一数据的多次写操作,减少对非易失存储器的写次数;使用原始缓存减少写回非易失存储器的数据量;设计了写缓存混合粒度管理算法、双缓存协调算法和缓存空间协调策略,减少了非易失存储器的写数据量,增加外存系统的使用寿命,降低了外存系统能耗,提高了I/O性能.最后在开源基于对象存储设备Open-osd上,实现了面向非易失存储器外存系统缓存机制的原型,使用存储系统通用测试工具Filebench和Postmark、以及多个通用数据集进行了测试与分析,验证了面向非易失存储器外存系统缓存机制能减少21%-77%的外存写数据量,提高了8%-37%的I/O性能,检验了面向非易失存储器外存系统缓存机制的有效性.

关键词：非易失存储器缓存外存系统文件系统

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非易失存储器数据安全性研究

天津师范大学学报（自然科学版） 2006年第2期26卷 63-66页

作者：杨尊峰曹金玲天津大学后勤管理处天津300072 天津电子信息职业技术学院天津300132

在应用非易失存储器AT24C64过程中,发现丢失数据的原因是由于CPU在上电与断电过程中,欠电压导致CPU失控,输出端口产生无数个干扰脉冲,干扰脉冲的组合生成了AT24C64的有效写命令,于是破坏了AT24C64的数据.该研究从两方面采取措施:(1)使用... 详细信息

在应用非易失存储器AT24C64过程中,发现丢失数据的原因是由于CPU在上电与断电过程中,欠电压导致CPU失控,输出端口产生无数个干扰脉冲,干扰脉冲的组合生成了AT24C64的有效写命令,于是破坏了AT24C64的数据.该研究从两方面采取措施:(1)使用CD4051,CD4024的组合条件来控制AT24C64的写允许门WP,如同给写允许门WP加锁;(2)采用上电与断电时电压监测电路,一旦电源电压低于4.7 V时,使CPU复位,消除CPU失控状态,以保证AT24C64的3根信号线稳定,进而保证了内部数据的安全性.

关键词：非易失存储器数据安全性数据丢失

标准CMOS工艺下面向超高频电子标签芯片的非易失存储器研究与实现

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标准CMOS工艺下面向超高频电子标签芯片的非易失存储器研究与实现

作者：尚靖国防科学技术大学

学位级别：硕士

目前,超高频电子标签芯片作为物联网中的关键元件在全球得到了广泛的应用,是当前人们研究的焦点。超高频电子标签芯片的核心之一是非易失存储器,标准CMOS工艺的非易失存储器以其成本低、功耗小等的优势成为国际上超高频电子标签芯片设... 详细信息

目前,超高频电子标签芯片作为物联网中的关键元件在全球得到了广泛的应用,是当前人们研究的焦点。超高频电子标签芯片的核心之一是非易失存储器,标准CMOS工艺的非易失存储器以其成本低、功耗小等的优势成为国际上超高频电子标签芯片设计的首选。国内在标准CMOS工艺的非易失存储器方面的研究与国际上相比具有较大差距,存在着存储单元面积过大、阈值窗口电压小、存储器读取写入功耗过高、可靠性低等缺点,还未能实现其在超高频电子标签芯片中的应用。因此研究与实现标准CMOS工艺的非易失存储器,对推动国内超高频电子标签芯片性能的提高具有重大作用,对我国物联网事业的发展具有重大意义。本文首先阐述了标准CMOS工艺非易失存储器的研究背景,介绍了国外在标准CMOS工艺非易失存储器方面的研究进展,讨论了国内研究现状与面临的问题。然后,对标准CMOS工艺非易失存储器系统架构进行了设计:针对超高频电子标签芯片的应用,提出了其架构组成与功能管脚定义,分析了其读写功耗、读写时间、工作温度、可擦写次数等参数上的要求,设计存储器指标。接着,提出了HPPELL非易失存储单元,其隧穿管为半个PMOS电容结构的HPMOS管。HPPELL具有面积小——仅为18μm2、阈值窗口电压大——8V以上等优点。根据HPPELL存储单元特性,设计了具有测试模式的1K-bit存储阵列。存储器外围电路中主要设计了电压切换模块,对控制电路、电荷泵、灵敏放大器等其他电路进行分析与部分设计。仿真结果表明所设计的存储器平均写入功耗为3.3μW,读取功耗可达2.4μW,满足设计指标。最后,对设计的标准CMOS工艺非易失存储器在GSMC 0.13μm CMOS工艺流片验证,并对流片芯片进行测试与分析。测试结果表明本文提出的标准CMOS工艺非易失存储器满足大部分设计指标,HPPELL存储单元在阈值窗口电压和面积上具有明显优势。

关键词：非易失存储器标准CMOS工艺超高频电子标签芯片 MTP

基于标准CMOS工艺的单栅非易失存储器器件建模与关键电路研究

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基于标准CMOS工艺的单栅非易失存储器器件建模与关键电路研究

作者：陈娅玲国防科学技术大学

学位级别：硕士

随着射频识别技术(RFID)的广泛应用,RFID标签芯片的需求量不断增加。而非易失存储器是标签芯片的重要组成部分,它的功耗、制造工艺以及面积决定了标签芯片的识别距离、成本及应用领域。因此,研究低功耗小面积且与标准CMOS工艺兼容的单... 详细信息

随着射频识别技术(RFID)的广泛应用,RFID标签芯片的需求量不断增加。而非易失存储器是标签芯片的重要组成部分,它的功耗、制造工艺以及面积决定了标签芯片的识别距离、成本及应用领域。因此,研究低功耗小面积且与标准CMOS工艺兼容的单栅非易失存储器有益于提高标签芯片的性能,推动物联网技术的发展。本文首先介绍标准CMOS工艺的单栅非易失存储器的研究背景与研究现状,提出所设计的单栅非易失存储器的整体结构与端口定义,阐述其存储机制,并提出其设计指标。然后详细介绍存储单元模型的建立以及存储器外围电路的设计过程。为了设计出性能良好的存储单元结构,尽可能真实的模拟存储器实际工作情况,本文建立了一种存储单元宏模型。所建模型用HSPICE仿真,其仿真结果分别与测试结果和TCAD工艺模型的仿真结果进行对比,均具有良好的一致性。然后,为了尽可能的减小存储器的面积,在保证其可靠性的基础上,设计了一种结构紧凑的存储阵列。接着,本文对非易失存储器外围电路中的关键模块进行了研究,设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高效电荷泵结构,并消除了MOS管阈值电压以及体效应对电荷泵的影响,提高了其转换效率;设计了一种高可靠性低功耗的电压切换电路,其功耗仅仅为传统电压切换电路的3.1%;设计了一种高速低功耗的灵敏放大器结构,其读取延时为8.39ns,读取功耗为167nW,与其他结构的灵敏放大器相比,其速度与功耗都具有一定优势。最后,用SPECTRE对所设计的存储器进行整体仿真,验证其功能和性能。仿真结果表明,本文设计的标准CMOS工艺单栅非易失存储器能够进行读写操作,其平均写功耗为3.08μW,读功耗为2.14μW,面积为0.0652mm2,满足设计指标。

关键词：非易失存储器标准CMOS工艺电荷泵电压切换灵敏放大器

基于标准CMOS工艺的非易失存储器IP核的研究与设计

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基于标准CMOS工艺的非易失存储器IP核的研究与设计

作者：王震国防科学技术大学

学位级别：硕士

射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)是运用射频信号和空间耦合的传输特征,自动辨别被识别的物体,具有读写距离远、速度快、非视距读取、抗干扰能力强等特点,在军事和国民生活中得到了广泛应用,是物联网的核心与基础技... 详细信息

射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)是运用射频信号和空间耦合的传输特征,自动辨别被识别的物体,具有读写距离远、速度快、非视距读取、抗干扰能力强等特点,在军事和国民生活中得到了广泛应用,是物联网的核心与基础技术。电子标签芯片作为射频识别系统的核心设备,非易失存储器(Nonvolatile Memory,NVM)IP核是其重要组成部分。由于电子标签的无源工作模式以及大规模应用的需求,非易失存储器要求具有超低功耗(微瓦级)、低成本的特点。国内的电子标签芯片厂商大都采用国外/境外公司提供的基于国外/境外工艺线上的非易失存储器IP核进行超高频电子标签芯片的设计,这些IP核价格昂贵,而且在设计和生产中存在很大的不可控性,受制于人。而国外的电子标签芯片主流厂商都有自己开发的非易失性存储器IP核,在成本与功耗上都有着很大的优势。本文首先论述了基于标准CMOS工艺非易失存储器的研究背景和研究意义,介绍了国际上在基于标准CMOS工艺非易失存储器方面的民用研究进展,讨论了国内民用研究近状与面临的挑战。然后,分析了其读写功耗、工作温度、可擦写次数等参数上的要求,设计了存储器指标。对基于标准CMOS工艺非易失存储器体系架构进行了研究和设计:针对电子标签芯片的应用,列出了其架构组成与功能管脚定义。本文主要设计了存储器外围电路,其中主要设计了电压切换模块、控制电路,灵敏放大器,电荷泵等其他电路进行分析与部分设计。仿真结果表明所设计的存储器平均写入功耗为3.3μW,读取功耗可达2.8μW,满足设计目标。最后,对设计的标准CMOS工艺非易失存储器在GSMC 0.13μmCMOS工艺流片验证。测试结果表明本文提出的标准CMOS工艺非易失存储器满足大部分设计目标。

关键词：非易失存储器标准CMOS工艺电子标签芯片 RFID

基于标准CMOS工艺非易失存储器高压产生电路的研究

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基于标准CMOS工艺非易失存储器高压产生电路的研究

作者：张梦欣国防科学技术大学

学位级别：硕士

非易失性存储器,可以在外部电源停止持续供电的条件下将数据进行长时间的储存,因此大量应用于无源射频识别(Radio Frequency Identification RFID)电子标签芯片、便携式电子产品、智能家居等领域。由于存储器的高压擦写的特性,设计一个... 详细信息

非易失性存储器,可以在外部电源停止持续供电的条件下将数据进行长时间的储存,因此大量应用于无源射频识别(Radio Frequency Identification RFID)电子标签芯片、便携式电子产品、智能家居等领域。由于存储器的高压擦写的特性,设计一个高效率的升压电路就变得尤为关键。本文主要是对应用于RFID电子标签芯片中的基于标准CMOS工艺的单栅非易失存储器高压产生电路的设计研究。本文对基本电荷泵的工作原理作了理论上的分析,介绍了电荷泵的主要性能参数,并找出影响电荷泵关键性能的因素,为优化电荷泵结构提供方向。论文结合四相时钟电荷泵的电路特点以及影响其性能的主要因素,提出了带有输出级的四相时钟电荷泵。改进后的四相时钟电荷泵电路新增动态阱偏置以及限压保护机制,消除了衬偏效应,并通过新型电平转换电路控制的输出级,在需要为非易失存储器提供擦写高压时完全打开,消除了阈值电压损失。应用SMIC 0.13μm工艺,在电源电压为1.8V,负载电流为100nA的情况下,十二级改进后的四相时钟电荷泵级联,可输出的最大电压为18.3V,输出效率达69%。在输出8.3V电压时,电荷泵的可提供的最大负载电流达450nA,改进后的电荷泵有更好的带负载能力。同时,本文提出一种新型交叉耦合电荷泵电路,改进后的交叉耦合电荷泵电路采用衬底跨级连接的方式,实现对偏置电压的调整,有效的抑制了MOSFET中源与衬底之间的漏电流,减小了体效应对阈值电压的影响。应用SMIC 0.13μm工艺,在电源电压为1.8V时,最大转换效率达83%。针对非易失性存储器的电压需求,设计了符合要求供其擦写的升压系统,对高压产生系统配合电荷泵的组成子电路的功能以及连接反馈关系进行概述,并对每个子电路进行设计分析,包括时钟产生电路、分压电路、比较器、泄流电路,并对整体进行仿真分析,验证其升压实现功能的正确性。并在SMIC 0.13μm工艺下对整个高压升压系统进行仿真验证。高压输出为11.67V,中压输出为6.58V,满足存储器擦写需求。

关键词：非易失存储器交叉耦合标准CMOS工艺电荷泵四相时钟