检索结果-南通市图书馆

固体电子学研究与进展 2003年第2期23卷 183-185页

作者：曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋河北半导体研究所石家庄050051

叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～

关键词： A1GaAs/GaAs HBT D-触发器静态分频器异质结双极晶体管铝镓硅三元化合物

基于InP DHBT工艺的DC^45 GHz 1∶8低相噪静态分频器

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固体电子学研究与进展 2020年第4期40卷 247-251页

作者：张敏孟桥张有涛张翼程伟李晓鹏东南大学射频光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京211153 南京电子器件研究所南京210016 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京211153

采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显... 详细信息

采用0.7μm InP DHBT工艺设计并实现了一款超宽带1∶8静态分频器芯片,内部分频采用电流模式逻辑结构实现,针对InP DHBT器件的高频特点对内部各电路进行了合理优化,实现了整个工作带宽内的宽输入功率范围和高输出信号平坦度。测试结果显示,正弦波输入时芯片可工作在0.2~45.0 GHz超宽带范围内,输入功率覆盖-10^+7 dBm,输出功率大于3.9 dBm,38 GHz输入时相位噪声优于-140 dBc/Hz,总功耗0.29 W。

关键词：静态分频器磷化铟超宽带低相噪

一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器

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微电子学 2006年第3期36卷 363-365,369页

作者：王永禄杨毓军模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0．35μmB iCMOS工艺制作，晶体管fT达21GHz（Vce=1V）。该分频器在-5V电源电压下功耗为52．5mW，最高工作频率达到11GHz；在-55℃和85℃温度时，最高频率仍能达到10．2GHz；输入功率... 详细信息

介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0．35μmB iCMOS工艺制作，晶体管fT达21GHz（Vce=1V）。该分频器在-5V电源电压下功耗为52．5mW，最高工作频率达到11GHz；在-55℃和85℃温度时，最高频率仍能达到10．2GHz；输入功率-25dBm时，可工作在2～10GHz的频率范围。

关键词：静态分频器触发器放大器 BiCMOS

基于InP DHBT的宽带高带宽利用率的ECL静态分频器

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微波学报 2020年第S1期36卷 152-155页

作者：甄文祥苏永波丁芃丁武昌杨枫金智中科院微电子所高频高压中心北京100029 中国科学院大学电子通信学院北京100049

本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电... 详细信息

本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电路的测试结果表明,在输入正弦波的射频信号下,电路输入频率的操作频率范围是1GHz到62GHz。该电路搭建利用器件的最大截止频率ft为150GHz,因此电路的带宽利用率BW/ft为0.413,这在相同尺寸器件所制作的分频器电路中,是一个相当良好的结果。

关键词：静态分频器 ECL 双发射极 InP DHBT 带宽利用率

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0.6μm CMOS静态分频器电路设计

电气电子教学学报 2004年第1期26卷 35-37页

作者：窦建华钱立旺王志功梁帮立合肥工业大学计算机与信息学院安徽合肥230009 东南大学射频与光电集成电路研究所江苏南京210096

分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统 ,本文提出了一个利用 0 .6 μm CM OS工艺实现的 1∶ 2静态分频器设计方法。在设计高速分频电路时 ,由于源极耦合逻辑电路比传统的 CMOS静态逻辑电路具有更高的速度 ,所以我们采用了... 详细信息

分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统 ,本文提出了一个利用 0 .6 μm CM OS工艺实现的 1∶ 2静态分频器设计方法。在设计高速分频电路时 ,由于源极耦合逻辑电路比传统的 CMOS静态逻辑电路具有更高的速度 ,所以我们采用了源极耦合逻辑电路来实现 D触发器的设计 ,并用 Smart Spice进行了仿真。测试结果表明 ,当电源电压为 5.0 V,输入信号峰峰值为 1 .6 V时 ,电路可以工作在 580 MHz,功耗为 1 2 m W。本文提出的电路适用于 SDH STM- 1 /4的光纤通信系统。

关键词： CMOS 静态分频器电路设计源极耦合逻辑 D触发器

中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器

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半导体信息 2009年第4期 -页

作者：江兴

基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz... 详细信息

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器静态分频器 HBT工艺 InP 南京电子器件研究所工作频率二分频测试

一种2GHz512/256静态分频器电路的设计

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微电子学 2000年第3期30卷 147-149页

作者：莫邦燹倪学文宁宝俊北京大学微电子所北京100871

介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达到 2GHz。

关键词： ECL电路静态分频器电路设计

基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态... 详细信息

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器 HBT工艺静态分频器超高速 InP 南京电子器件研究所异质结双极型晶体管电路应用

中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器

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今日电子 2009年第2期 25-25页

作者：王丽英

近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正常工作，在电源供电为-5V的情况下，功耗为650mW，芯片尺寸为1．2mm×0．6mm。这是国内第一款基于... 详细信息

近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正常工作，在电源供电为-5V的情况下，功耗为650mW，芯片尺寸为1．2mm×0．6mm。这是国内第一款基于InP／InGaAs DHBT工艺的可在毫米波段工作的超高速数字电路。

关键词：静态分频器电子研究所中科院 InP/InGaAs HBT工艺高速数字电路电源供电芯片尺寸