检索结果-南通市图书馆

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

p型硅片表面氧化雾缺陷的吸除

电子科学学刊 1993年第5期15卷 536-540页

作者：张维连徐岳生刘彩池唐键河北工学院材料研究中心天津300130

利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成.提出了较为实用的退火工艺和简单的解释.

关键词：硅片雾缺陷中子辐照清洗

维普期刊数据库

用外吸除技术消除P型<111>硅片雾缺陷的研究——Ⅰ.背面多晶吸除技术

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

上海金属（有色分册） 1993年第3期14卷 29-34页

作者：李积和周子美陈青松闵靖上海第二冶炼厂上海201600 复旦大学材料研究所

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文... 详细信息

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面多晶生长工艺及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。

关键词：吸除技术硅片雾缺陷微观结构

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅片上的金属杂质沾污与氧化雾缺陷

稀有金属 1984年第5期 40-47页

作者：徐冬良郭如芳李吉海谭玉华余斌燕朝林峨眉半导体材料研究所

一、前言在热氧化后的硅片上,经常出现密集分布的雾缺陷。在器件工艺中,雾缺陷的存在将严重影响器件工艺的成品率,所以很久以来硅片上的雾缺陷一直引起人们的极大注意,已有许多关于这方面工作的报道,至今仍是重要研究课题之一。***等... 详细信息

一、前言在热氧化后的硅片上,经常出现密集分布的雾缺陷。在器件工艺中,雾缺陷的存在将严重影响器件工艺的成品率,所以很久以来硅片上的雾缺陷一直引起人们的极大注意,已有许多关于这方面工作的报道,至今仍是重要研究课题之一。***等将金属工具(摄子等)轻划(111)硅片表面以引起金属沾污,然后进行热氧化,以研究金属杂质在雾缺陷形成中的作用。孙安纳等用含铁等金属杂质溶液对直拉〈111〉硅外延片进行有意沾污,观察Fe等金

关键词：硅片雾缺陷金属杂质沾污

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

直拉单晶硅内吸杂研究

直拉单晶硅内吸杂研究

作者：汤艳浙江大学

学位级别：硕士

在集成电路工艺过程中，金属玷污会对器件的性能有着致命的影响。生产中除了避免金属污染源接触外，还采用吸杂工艺来降低金属杂质。相比于外吸杂，由于内吸杂避免了从背面引入损伤和杂质，内吸杂表现出更好的应用前景。在大直径的硅片... 详细信息

在集成电路工艺过程中，金属玷污会对器件的性能有着致命的影响。生产中除了避免金属污染源接触外，还采用吸杂工艺来降低金属杂质。相比于外吸杂，由于内吸杂避免了从背面引入损伤和杂质，内吸杂表现出更好的应用前景。在大直径的硅片中，Void是最重要的缺陷之一，它会严重影响分立器件、集成电路的成品率和性能。已有研究发现在掺氮的硅片中，氮会抑制Void缺陷，因此微氮单晶硅片越来越受到国际上的关注。但是，到目前为止，国际上还没有系统地研究过微氮单晶硅在内吸杂工艺中氮对氧沉淀形核以及洁净区的影响。本文研究了直拉单晶硅的内吸杂工艺和机理，着重研究了微氮直拉单晶硅中氮杂质对内吸杂的影响。首先，本文研究了普通单晶硅片与微氮单晶硅片内吸杂工艺中低温退火对作为吸杂点的氧沉淀形核的影响，发现在微氮单晶硅片和普通单晶硅片内吸杂工艺退火时，都出现了氧沉淀的延迟现象;但由于氮的存在，延迟了微氮硅片中氧沉淀延迟现象出现的初始时间。其次，本文研究了高压(1GP)下不同温度时间预处理对普通直拉单晶硅片和微氮直拉单晶硅片的高-低-高三步热处理的内吸杂的影响。研究发现高压预处理的硅片经内吸杂工艺后均没有得到洁净区，而常压下经过同样温度时间预处理后的硅片在内吸杂工艺后则有洁净区。文中探讨了高压对氧沉淀形核的影响，高压预处理可以降低自间隙硅原子的平衡浓度，有助于小尺寸氧沉淀的稳定存在，促进了氧沉淀的生成，导致在随后的热处理过程中没有形成洁净区。文中还讨论了氮在高压热处理中的作用。本文还通过改变第一步外扩散退火时间和温度，研究了氮对内吸杂洁净区的影响，得到以下结论：发现在普通单晶硅片和微氮单晶硅片中，洁净区的宽度随着高温外扩散温度增加而增加，随着高温外扩散时间增加而增加。通过对比，发现微氮单晶硅和普通单晶硅片的洁净区没有区别，氮对洁净区没有影响。本文也对8英寸的直拉单晶硅片进行1100℃湿氧氧化，在硅片的表面发现了分布不均匀的雾缺陷，在OSF-ring区雾缺陷的密度明显要低于硅片的其他区域(voids区和A-缺陷区)。经过常规的高低高三步退火，相对于硅片的voids浙江大学硅材料国家重点实验室d 顾士学位论文区和个缺陷区，OSF－ring区很难得到较好的洁净区，而且氧沉淀的量较小。这是因为在OSF1hn区的这些大尺寸原生氧沉淀无法在第一步高温退火过程中被溶解，导致了洁净区难以生成;在V。ids区和A－缺陷区的原生氧沉淀尽管尺寸较小，但密度要远远高于OSF＊lug区，所以在低温长时间的退火过程中能充分长大，从而导致了在随后的第三步高温退火过程中氧沉淀量要高于OSF＊ing区。此外，本文对重掺的硅片用Ra。p i ng工艺进行内吸杂处理，研究不同的升温速率下重掺硅片的内吸杂效果。重掺硼样品在 ZaC加in升温速率的 Ra。ping处理中得到了洁净区，而在laC／。in和***／min的升温速率Ramping处理中没有发现洁净区。说明较快的升温速率使得氧沉淀的长大速率小于氧沉淀核心临界形核半径长大的速度，升温过程中表面的氧沉淀核心融解，表面得到洁净区。而慢速升温时氧沉淀有足够的时间长大，表面没有洁净区生成。最后，文中还研究了升温过程和降温过程中氮对氧沉淀的影响。发现：升温和降温过程中氮促进了氧沉淀的形核，这与氮能够提供氧沉淀形核的异质形核中心有关。升温实验中，升温结束后，氧沉淀的量随着高温时的保温时间的延长而增加。降温过程中，在以IOC／min速率降温过程中，氧沉淀的量低于以3OC／Inin速率降温的样品中氧沉淀的量。

关键词：直拉单晶硅吸杂单晶硅片洁净区雾缺陷硅单晶湿氧氧化高温退火沉淀量低温退火

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

直拉硅单晶中微缺陷的检测条件

稀有金属 1985年第2期 39-46页

作者：徐冬良郭如芳峨眉半导体材料研究所

本工作对 P、N 型,〈100〉和〈111〉晶向的直拉硅单晶进行热氧化—化学腐蚀处理。对氧化时间、氧化气氛和腐蚀深度等条件进行了条件试验。对检测对象进行了重点讨论。

关键词：微缺陷内在质量晶体层错雾缺陷单晶晶形热氧化处理氧化时间化学腐蚀法缺陷密度

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

硅中微缺陷的研究进展

上海金属.有色分册 1982年第2期 58-65页

作者：孙膺九四机部电子材料研究所

微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都是微缺陷,如杂质条纹,经850℃以上氧化直拉单晶择优腐蚀后观察到的“氧旋涡”,富碳区熔单晶中更特殊“旋涡... 详细信息

微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都是微缺陷,如杂质条纹,经850℃以上氧化直拉单晶择优腐蚀后观察到的“氧旋涡”,富碳区熔单晶中更特殊“旋涡”,它只在高温磷扩散后才能观察到,这三种都不是微缺陷。许多不呈旋涡分布的则是微缺,如生长微缺陷中的C、D,许多热诱生微缺

关键词：微缺陷诱生雾缺陷相术旋涡缺陷直拉单晶