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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 pecvd
  • 1 篇 界面陷阱
  • 1 篇 纳米级薄膜
  • 1 篇 雪崩热电子注入
  • 1 篇 sioxny界面

机构

  • 1 篇 华南理工大学
  • 1 篇 中电科集团电子第...

作者

  • 1 篇 陈闽捷
  • 1 篇 陈蒲生
  • 1 篇 张昊

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=雪崩热电子注入"
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PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
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半导体技术 2004年 第1期29卷 51-55页
作者： 陈蒲生 陈闽捷 张昊 华南理工大学应用物理系 广东广州510640 华南理工大学机电工程系 广东广州510640 中电科集团电子第五研究所 广东广州510610
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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