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InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计

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中国科学（E辑） 2008年第9期38卷 1521-1528页

作者：金智刘新宇中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京100029

研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相... 详细信息

研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.

关键词： InP DHBT 集电极 Kirk电流

集电极扩散隔离,基极扩散隔离,三次掩蔽隔离及纵向各向异性腐蚀隔离

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微电子学 1972年第2期16卷 53-58页

作者：王风秀

在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)工艺数多,易降低成品率。可以说这两点妨碍了它的发展。双极集... 详细信息

在大规模集成电路(LSI)领域,特别是在存储器领域中双极集成电路的发展与MOS集成电路相比是相当慢的。就速度方面来说,双极集成电路较优越,但有其弱点:(1)难于提高集成度,(2)工艺数多,易降低成品率。可以说这两点妨碍了它的发展。双极集成电路,甚至在LSI的场合都是使用图1所示的结构。它是原封不动的在集成电路中采用了过去外延平面晶体管结构。但集成电路有两点限制,即:

关键词：集电极 CDI 各向异性腐蚀集电装置基极单结晶体管双基极二极管双极集成电路发射极基区

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集电极阻抗转换存贮器

计算机工程与应用 1972年第2期 14-24页

作者： KENJI TANIGUCHI ,ATSUO HOTTA ,ICHIRO IMAIZUMI

本文推荐一种新的双极存贮单元,它的读/写电流与静态电流之比可达40～200;而常规存贮单元的电流比值仅为0.8～8。在静态情况下,存贮单元的集电极阻抗是高的,在被选情况下集电极阻抗则转换至很低的数值。所推荐的器件结构采用了“挤出... 详细信息

本文推荐一种新的双极存贮单元,它的读/写电流与静态电流之比可达40～200;而常规存贮单元的电流比值仅为0.8～8。在静态情况下,存贮单元的集电极阻抗是高的,在被选情况下集电极阻抗则转换至很低的数值。所推荐的器件结构采用了“挤出外延层”或“挤出基极层”,这样可以在最小的硅片面积上取得高阻值的集成电阻(或转换阻抗)。在试验板的实验中,当静态功耗在每位50～200微瓦的范围内,这种存贮单元的存取时间小于4毫微秒,其工作周期小于15毫微秒。采用所推荐的器件结构中的一种,制成了288位的大规模集成电路,获得了4毫微秒的选取时间和4毫微秒的写入时间。

关键词：存贮单元 SCI 多射单元的集电极集电装置电极阻抗

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集电极注入技术（CiT）

江南半导体通讯 1992年第3期20卷 26-33页

作者：常桂兰杨致一

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集电极扩散隔/基极扩散隔离

微电子学 1973年第Z1期 85-86页

作者：王凤秀

集电极扩散隔离器件——在把双极集成电路大规模集成化时的最大障碍是隔离,这种结构的目的是尽可能减少隔离所需的面积。集电极扩散隔离(以后缩写成CDI)的特点是把集电极的引出区同时也作为隔离区使用。与过去的晶体管相比,有如下几个... 详细信息

集电极扩散隔离器件——在把双极集成电路大规模集成化时的最大障碍是隔离,这种结构的目的是尽可能减少隔离所需的面积。集电极扩散隔离(以后缩写成CDI)的特点是把集电极的引出区同时也作为隔离区使用。与过去的晶体管相比,有如下几个不同点: 1) 过去的集电极是使用n型外延生长层,而CDI只是使用n~+型扩散隐埋层。 2) 基区层过去是在集电极n型外延层上做P型扩散形成的,而在CDI结构中却是

关键词：集电极 CDI 集电装置基区集电区基极

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集电极无直流偏置的三极管开关原理

无线电与电视 1997年第2期 38-39页

作者：范建新

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集电极扩散隔离工艺的进展

微电子学 1972年第6期 77-78页

作者：向阳

据报导,英国本国有三家集成电路制造厂家:普莱赛公司、通用电气公司和费拉蒂公司。普莱赛公司专攻MOS,很少过问双极工艺。通用电气公司也开始此项工作,现已放弃双极工艺。只有费拉蒂公司仍生产DTL和TTL,为了使双极电路生产有进一步发展,

关键词：集电极费拉集电装置双极电路基极

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集电极扩散隔离工艺

微电子学 1990年第6期20卷 31-35页

作者：徐世六机电部二十四所

本文介绍集电极扩散隔离工艺的特点,叙述该工艺的实验,并给出用此工艺技术制作的晶体管(β≥100,f_T>1000MHz,BV_(ceo)≥6V)和E/T转换器的结果。

关键词：集成电路集电极扩散隔离双极型

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集电极输出型稳压电源的启动电路

电子技术 1985年第11期 42-43页

作者：蔡时林

集电极输出型稳压电源有许多突出的优点,例如电网电压大幅度波动时有极高的稳定性,过载时电路有限流作用,短路时电路具有自身保护特性,电路输出的纹波电压也很低,但是该电源有一个技术上的难点,即开机时电路需要启动.目前,集电极输出型... 详细信息

集电极输出型稳压电源有许多突出的优点,例如电网电压大幅度波动时有极高的稳定性,过载时电路有限流作用,短路时电路具有自身保护特性,电路输出的纹波电压也很低,但是该电源有一个技术上的难点,即开机时电路需要启动.目前,集电极输出型稳压电源大多用电阻并联在调整管或放大管旁作为启动电路.此方法虽然简单,但使用效果很差.当电路空载

关键词：稳压电源稳定电源启动电路集电极集电装置最大输出电流调整管输出型