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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

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电子学报 2000年第5期28卷 68-70,67页

作者：于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍信息产业部无锡微电子科研中心无锡214035

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 详细信息

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .

关键词： EEPROM 隧道氧化层擦写过程陷阱俘获电荷

浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

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电子学报 2000年第5期28卷 90-91,95页

作者：于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍信息产业部微电子科研中心无锡214035

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .

关键词： EEPROM 浮栅隧道氧化层电荷泄漏

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高场应力对隧道氧化层电特性的影响

半导体技术 1999年第3期24卷 19-24,27页

作者：于宗光华晶集团中央研究所

详细研究了Ｎ＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容（Ｎ＋ＯＰ电容）和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容（ＰＯＰ电容）在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的产生现象。

关键词：隧道氧化层陷阱电荷 MOS 高场应力

击穿电荷(QBD):监测E^2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法(英文)

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电子器件 1999年第1期22卷 22-27页

作者：赵文彬肖明徐征张安康东南大学无锡分校

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时绘出了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ＞５Ｃ／ｃｍ２时，可获得高质量的... 详细信息

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时绘出了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ＞５Ｃ／ｃｍ２时，可获得高质量的Ｅ２ＰＲＯＭ电路，擦／写次数可超过１００万次。

关键词：存贮器隧道氧化层可擦写 E^2PROM QBD测试

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臭氧推动隧道氧化层的发展

集成电路应用 2006年第11期23卷 30-30页

作者： Laura Peters emiconductor Intermational

闪存器件中预氧化湿法清洗的作用很重要．因为虽然它们并不像逻辑栅的尺寸那样快速地缩小．但是他们比逻辑栅需要更低的泄漏性能．通常在更高的电压下工作。最近的基础研究采用了非接触和传统电性测试探究了预清洗特性对氧化层质量的影响。

关键词：隧道氧化层臭氧湿法清洗闪存器件基础研究预氧化预清洗非接触

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

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Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 637-642页

作者：黄飞鸿郑国祥吴瑞复旦大学材料科学系上海200433 先进半导体制造有限公司上海200233

介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可... 详细信息

介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性 .

关键词： FLOTOX EEPROM 阈值电压写入隧道氧化层

MOTOROLA单片机MC68HC（8）05PV8/A内嵌EEPROM的工艺和制程方法及对良率的影响研究

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MOTOROLA单片机MC68HC（8）05PV8/A内嵌EEPROM的工艺和制程方法及...

作者：于晓天津大学

学位级别：硕士

单片微型机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,又称微控制器(MCU-Micro Controller Unit),具有体积小、功能强、性能全面、成本低、使用方便等特点,在家用电器、汽车工业、工业控制、自动化等很多领域得到了广泛的应用。MC68HC(8)... 详细信息

单片微型机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,又称微控制器(MCU-Micro Controller Unit),具有体积小、功能强、性能全面、成本低、使用方便等特点,在家用电器、汽车工业、工业控制、自动化等很多领域得到了广泛的应用。MC68HC(8)05PV8/A单片机属于MOTOROLA单片机中的68HC05家族8bit系列,是专门为汽车电子中的低功耗、单片上系统设计。由于MC68HC(8)05PV8/A应用于汽车电子领域,其产品要求有很高的可靠性,而对于其内部所包含的EEPROM,由于需要承受多次擦写操作,其隧道氧化层要承受高压和高电压,因此其可靠性的高低就成为影响产品良品率好坏的重要因素。本课题针对MC68HC(8)05V8/A产品良率不高的问题,从工艺和制程方法等方面分析其对良率的影响,找到问题所在,并提出以下几方面的问题解决方案: 首先,观察产品在后道工艺特别是老化实验和最终测试阶段的工艺制程,找出其中存在的老化实验时间设定不准确的问题,并通过计算、采样、实验和分析结果等步骤,得出准确的产品的偶然失效期时间和老化实验时间。其次,针对在老化实验中出现的大量由于设备和人为的原因造成的次品,并不属于真正次品的问题,通过对老化实验程序的修改,减少了次品的产生,提高了产品在最终测试的良品率,并减少了生产周期。第三,从EEPROM的工作机理和工艺角度分析,找到主要影响EEPROM性能的主要原因,发现阈值电压对EEPROM的影响,及其影响其可靠性的相关因素,包括内在可靠性和击穿问题等方面,并通过实例分析提出解决方法,指出EEPROM中浮栅及隧道氧化层的质量好坏,将严重影响器件的可靠性,如何从工艺角度改进,提高器件的可靠性,并提出了几个新的工艺方法。

关键词：单片机 MC68HC(8)05PV8/A EEPROM 老化实验最终测试阈值电压浮栅隧道氧化层

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0.13微米闪存工艺平台开发与优化研究

0.13微米闪存工艺平台开发与优化研究

作者：孙士祯复旦大学

学位级别：硕士

近些年来,随着家用电器、个人电脑、照相机以及智能掌上移动设备等产品的快速增长,IC产业几乎融入了人们生活的方方面面。其中不挥发存储器因为具有断电下可靠的数据保持性能,得到了飞速的发展。进入21世纪以来,随着制造工艺的不断革新... 详细信息

近些年来,随着家用电器、个人电脑、照相机以及智能掌上移动设备等产品的快速增长,IC产业几乎融入了人们生活的方方面面。其中不挥发存储器因为具有断电下可靠的数据保持性能,得到了飞速的发展。进入21世纪以来,随着制造工艺的不断革新,不挥发存储器的存储容量已经突破了千兆大关,其市场占有率接近半导体产业的半边天。作为不挥发存储器家族中的佼佼者,闪存（Flash）存储器可谓如日中天,从几万字节的NOR型flash到几十千兆字节的NAND型flash,产品种类可谓琳琅满目,大有一统存储器天下之势。本人有幸参加了0.13微米NOR flash工艺库开发的整个过程,结合工作实践,对其工艺平台的开发作了全方面且有针对性研究。首先,文章概述了不挥发存储器的发展史以及种类,通过各种存储器结构、特性的比较,明确0.13微米NOR flash的开发的方向。接着从器件结构入手,通过物理结构与等效电容模型来量化分析器件的特性;同时通过从原理上解析flash常用的两种编程、擦除工作机制来讨论0.13微米NOR flash器件的工作模式与性质,从而定义出工艺平台开发的目标与验证标准。工艺平台的建立与优化是文章的重点。在以0.13、0.18微米CMOS逻辑电路设计规则的基础上,将flash工艺特有的隔离、线宽修正以及边界定义等方面做了充分研究,建立了一套完整的0.13微米flash的设计规则库;而后通过充分探讨了工艺中存在的各种利弊因素,建立了最佳的流程框架,以达到简洁、高效且可靠工序的目的。隧道氧化层是flash器件工作的核心,其质量决定了工艺开发的成败。在比较分析业界相关成果的基础上,结合实际情况讨论出最佳的解决方案;同时依据确立的方案,通过对实验结果的论证,对隧道氧化层加以工艺条件和工序的优化和调整,最后从物理形貌和电学特性两个角度验证了方案的可行性和可靠性。最后,对闪存器件的可靠性做了分类性讨论,通过对0.13微米flash的抗干扰性、耐久性与数据保持性的验证,肯定了整个工艺平台的设计与优化的研究成果,完全可以应用于实际工程中。

关键词： NOR Flash 工艺开发隧道氧化层

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斜坡电流测试应用与比较方法研究

半导体技术 2010年第5期35卷 465-468页

作者：简维廷赵永杨斯元张荣哲中芯国际集成电路制造有限公司上海201203

讨论了斜坡电流测试的相关参数如电流斜坡速率、步长及电流倍增速率对测试结果击穿电荷具有的严重影响。指出斜坡电流测试中各个参数的设定、影响及其相关性,使斜坡电流测试的结果具有可比较性。同时,讨论了由于斜坡电流测试本身的特性... 详细信息

讨论了斜坡电流测试的相关参数如电流斜坡速率、步长及电流倍增速率对测试结果击穿电荷具有的严重影响。指出斜坡电流测试中各个参数的设定、影响及其相关性,使斜坡电流测试的结果具有可比较性。同时,讨论了由于斜坡电流测试本身的特性,击穿电荷具有非连续性,针对击穿电荷的非连续性,提供了一种统计上的数据处理方法,并且根据工程上不同的定性比较结果提供了不同的统计比较方法,可以对非连续的斜坡电流测试结果进行定量的统计比较。在产品验证或生产线出现异常时,能够进行统计上的比较,给出定量的结果。据此能对生产线的稳定性或异常事件对产品的影响给出明确的结论,为受影响的产品的处置提供定量的数据支持。这是首次对斜坡电流测试数据的统计定量分析。

关键词：隧道氧化层斜坡电流测试电流斜坡速率电流倍增速率步长统计比较