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LN6810 1K静态随机存取存贮器研究

微处理机 1982年第4期 1-16页

作者：朱秉晨沈阳辽河实验研究所

LN68101K 静态随机存取存贮器为5伏单电源 N 沟硅栅 MOS 结构。文章在电路分析基础上建立了详细的工作模式。为工艺检控,本文对多种阈值电压进行了较为深入的研究。在大量定量计算的基础上,给出了多种设计曲线。另外,文章还研究了版图设... 详细信息

LN68101K 静态随机存取存贮器为5伏单电源 N 沟硅栅 MOS 结构。文章在电路分析基础上建立了详细的工作模式。为工艺检控,本文对多种阈值电压进行了较为深入的研究。在大量定量计算的基础上,给出了多种设计曲线。另外,文章还研究了版图设计,进行了性能分析。

关键词：硅栅函数关系完全相关 LN6810 1K 负载管 MOSFET 电势差或非门随机存贮器随机存取存贮器地址电路沟道长度电压耗尽层倒相器存贮单元漏电流

MCM6810A MCM6810Ac MOS(N-沟硅柵)——128×8位静态随机存取存贮器

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微处理机 1980年第1期 249-256页

MCM6810是一种按字节存取的存储器,用于按总线选择的系统。用 N-沟硅栅工艺制造。为便于使用起见,器件由单一电源驱动,与 TTL,DTL 相容,由于静态操作,不需要时钟或刷新。存储器与 MC6800微处理机系列相容,按字节增量提供随机存储。通过... 详细信息

MCM6810是一种按字节存取的存储器,用于按总线选择的系统。用 N-沟硅栅工艺制造。为便于使用起见,器件由单一电源驱动,与 TTL,DTL 相容,由于静态操作,不需要时钟或刷新。存储器与 MC6800微处理机系列相容,按字节增量提供随机存储。通过多路片选输入,提供存储器展开.按128字节×8位.

关键词：随机存取存贮器随机存贮器 MCM6810A MCM6810Ac MOS MOS

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64K位VMOS随机存取存贮器

微电子学 1983年第3期 40-42页

作者： Dietbert V.E.,蔺景书西门子公司西德

本文将叙述一种根据早期试验器件的经验设计的64K位动态随机存取存贮器,其取数时间为150ns。器件芯片面积为3.6×7.0mm2=25.2mm2,装配在16条腿的管壳内。其电源为+8V和-2.5V;所有输入输出端皆与TTL相容。芯片的显微照片如图（1）所示,... 详细信息

本文将叙述一种根据早期试验器件的经验设计的64K位动态随机存取存贮器,其取数时间为150ns。器件芯片面积为3.6×7.0mm2=25.2mm2,装配在16条腿的管壳内。其电源为+8V和-2.5V;所有输入输出端皆与TTL相容。芯片的显微照片如图（1）所示,它示出了芯片的内部结构:存贮单元陈列所占面积大于整个芯片的50％,由位译码器对等地分为两部分。取决于所加地址,启动包括读出放大器在内的一半单元。

关键词：随机存取存贮器 VMOS 地址缓冲器随机存贮器扫描电子显微照片存贮单元读出放大器

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以绿光激光修理随机存取存贮器

激光与光电子学进展 1986年第10期 40-41页

作者：刘翔

美国Teradyne公司和Quantronix公司联合公布一项使用高度稳定的绿光激光修理一兆字节随机存取存贮器片的新技术。该技术现正用在Teradyne公司的M118G存

关键词：随机存取存贮器绿光兆字节随机存贮器百万字节激光修复激光

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集成注入逻辑随机存取存贮器的研制

西安交通大学学报 1977年第1期 87-96页

本文分析了互补型集成注入逻辑随机存取存贮器单元电路的有源寄生元件,指出了它们对单元电路的各种影响及危害程度。不论试制过程中的测试结果,还是模拟测量和理论估算都告诉我们,为了克服寄生元件的有害影响,单元电路的耦合晶体管（T1... 详细信息

本文分析了互补型集成注入逻辑随机存取存贮器单元电路的有源寄生元件,指出了它们对单元电路的各种影响及危害程度。不论试制过程中的测试结果,还是模拟测量和理论估算都告诉我们,为了克服寄生元件的有害影响,单元电路的耦合晶体管（T1、T2）的β反应不低于4,有源负载横向 PNP 晶体管的β应不低于2,必须采用 N+ 埋层结构。这表明与一般注入逻辑电路相比,这种类型的随机存取存贮器单元电路对工艺的要求是比较高的。按照克服寄生元件影响的需要,以及实际工艺条件的可能,设计了8×4存贮器电路版图,并试制成功了8×4存贮器电路。

关键词：随机存取存贮器晶体管随机存贮器半导体三极管电流增益逻辑

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修理随机存取存贮器的激光系统

激光与光电子学进展 1986年第9期 43-44页

作者：田晋

英国特拉丁公司宣布研制成由第一台高度稳定的绿光激光器装配而成,用于修理最先进的半导体存贮器1兆位随机存取存贮器的激光系统。特拉丁公司在其新型M118G存贮器修理系统中应用绿光激光器,标志着这种激光束首次可能以极高的预期性和稳... 详细信息

英国特拉丁公司宣布研制成由第一台高度稳定的绿光激光器装配而成,用于修理最先进的半导体存贮器1兆位随机存取存贮器的激光系统。特拉丁公司在其新型M118G存贮器修理系统中应用绿光激光器,标志着这种激光束首次可能以极高的预期性和稳定性修理1兆位半导体存贮器

关键词：随机存取存贮器拉丁随机存贮器激光系统绿光激光器

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电荷泵随机存取存贮器

电子计算机参考资料 1975年第8期 6-8页

用MOS晶体管作为负载电阻器的限制是众所周知的,要得到低的维持功耗就需要大电阻,从而要求器件面积大。在动态存贮器中,完全取消了负载电阻而避免了这个问题。单元状态利用寄生结点电容暂态保存至数据再生周

关键词：电荷泵电源器件芯片负载电阻器随机存取存贮器随机存贮器

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MOS随机存取存貯器的应用

国防科技大学学报 1977年第3期 51-79页

作者：芦经友

近年来,金属——氧化物——半导体集成电路有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单、集成度高、功耗小、温度性能好等优点。尽管它目前在国内还处于幼年时期,但已占有显著的地位,正日益广泛地被应用到大型、中型、微型高速电子计算机和... 详细信息

近年来,金属——氧化物——半导体集成电路有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单、集成度高、功耗小、温度性能好等优点。尽管它目前在国内还处于幼年时期,但已占有显著的地位,正日益广泛地被应用到大型、中型、微型高速电子计算机和程序自控设备的随机存取存貯器。研究所多功组和兄弟单位志同们一起,以毛主席的《实践论》为武器,通过对北京大

关键词： MOS 栅极漏电流驱动器反相器矩阵板计算机外围设备随机存取存贮器随机存贮器地址寄存器

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1兆位动态随机存取存贮器

电子技术 1985年第9期 46-46页

作者：陈善海

东芝公司研制成功1兆位动态随机存取存贮器,芯片面积为4.78×13.23毫米,集成了225万个晶体管和电容器,结构为1,048,576字×1位,双列直插式封装.该器件采用了埋入氧化物隔离方法,存贮器单元为5×6.4微米,这有助于在每个单元写入或读出时... 详细信息

东芝公司研制成功1兆位动态随机存取存贮器,芯片面积为4.78×13.23毫米,集成了225万个晶体管和电容器,结构为1,048,576字×1位,双列直插式封装.该器件采用了埋入氧化物隔离方法,存贮器单元为5×6.4微米,这有助于在每个单元写入或读出时稳定而无误差地工作.工作功耗为270毫瓦,响应时

关键词：随机存取存贮器随机存贮器