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电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料

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功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 195-204页

作者：季振国陈伟峰毛启楠杭州电子科技大学电子信息学院杭州下沙高教园区310018 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州玉泉310027

在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存... 详细信息

在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制。

关键词：电阻式存储器非挥发性随机存储器电阻开关

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非挥发性随机存储器NOVRAM

电子技术应用 1993年第7期19卷 36-39页

作者：吴言荪重庆大学 630044

本文详细介绍了非挥发性随机存储器的种类、构造、工作原理,还就不同种类的NOVRAM举例说明了接口的设计方法。在正常情况下,这种存储器既能读又能写。因此它将获得广泛的应用。

关键词：随机存储器读写存储器 NOVRAM

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随机存储器电源的节能

电工技术 1991年第9期 8-9页

作者：杨能益

本文介绍的随机存储器(RAM)电源的节能设计可广泛应用于数字系统,因为对数字系统来说节能最为重要。这里介绍的RAM电源是在+5V总电源回路里串接了一信HEXFET晶体管,如图所示。这种

关键词：随机存储器电源数字系统离散系统(自动化)

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随机存储器技术及其产品的发展展望

微型机与应用 2002年第8期21卷 4-6页

作者：杨相生宁波大学科技学院计算机系 315211

随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集... 详细信息

随着CPU主频超越千兆赫,存储器技术逐渐成为计算机内部体系结构性能的瓶颈。如果配置足够容量的高速存储器,较低主频的CPU的运行速度完全可以超过较高主频的CPU。本文对RAM技术及其常规产品进行了充分的研究和探讨,并将研究的注意力集中在增加动态RAM的带宽技术上。

关键词：随机存储器产品 SDRAM DDRDRAM RDRAM 带宽技术计算机

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同步动态随机存储器组件

今日电子 1996年第9期 89-92页

作者：李高积

一、开发背景 NEC公司于1993年开发了时钟控制型同步动态随机存储器(SDRAM),预期它将成为下一代的标准动态随机存储器(DRAM)。这些DRAM主要应用于大型计算机和工作站。NEC公司又开发了用于个人计算机的SDRAM,以扩大DRAM的应用范围。最... 详细信息

一、开发背景 NEC公司于1993年开发了时钟控制型同步动态随机存储器(SDRAM),预期它将成为下一代的标准动态随机存储器(DRAM)。这些DRAM主要应用于大型计算机和工作站。NEC公司又开发了用于个人计算机的SDRAM,以扩大DRAM的应用范围。最近,直接安装在印刷电路板上的存储器的型号日趋减少,而存储器组件的应用日益增多。因此,产生了对SDRAM组件的需求。

关键词：随机存储器 SDRAM 组件存储器

具有内部定时和低功耗的4096单元单管随机存储器

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计算机研究与发展 1975年第6期 72-76+61页

作者： LOEK BOONSTRA CEES W.LAM BRECHTSE ROELOF H.W.SALTERS 郭志先

本文较详细地讨论了单管P-沟道4096单元随机存储器（RAM）。设计上的生要特点是有灵敏的读出-再生放大器,可以允许仅有0.065 Pf的存储电容。为了得到400 ns的取数时间而应用了自举原理,功耗为150 mW。采用了新的快速移位寄存器作为内部... 详细信息

本文较详细地讨论了单管P-沟道4096单元随机存储器（RAM）。设计上的生要特点是有灵敏的读出-再生放大器,可以允许仅有0.065 Pf的存储电容。为了得到400 ns的取数时间而应用了自举原理,功耗为150 mW。采用了新的快速移位寄存器作为内部定时电路。这个定时电路产生存储器的时钟信号,从而将外部信号减少到只有一个时钟信号和1个芯选信号。芯片尺寸为3.01×4.44 mm2。

关键词：随机存储器单管自举输出级功耗随机存取存储器存储单元仪表组合单元时钟信号预充电移位寄存器放大器电子设备定时电路数字电路

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4K MOS动态随机存储器

电子计算机动态 1974年第4期 31-36页

作者： Robert A 徐正春

本文提出了一种4K 动态MOS 随机存储器(RAM)的方案,该方案采用每位三管的单元,其面积小于2密耳~2/位,采用n 沟道硅栅MOS 工艺。芯片只需要一个时钟脉冲,并且内部产生所需的多相时钟脉冲。所有的输入和输出与高电平的时钟脉冲不同,其电平... 详细信息

本文提出了一种4K 动态MOS 随机存储器(RAM)的方案,该方案采用每位三管的单元,其面积小于2密耳~2/位,采用n 沟道硅栅MOS 工艺。芯片只需要一个时钟脉冲,并且内部产生所需的多相时钟脉冲。所有的输入和输出与高电平的时钟脉冲不同,其电平与TTL 相配。

关键词：随机存储器地址寄存器时间间隔电平 RAM MOS

与射极耦合逻辑(ECL)相容的4096单元高速随机存储器

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计算机研究与发展 1976年第4期 57-63页

作者： M.S.Ebeletc 史忠植

本文介绍一种4096单元准静态(Pseudostatic)MOS随机存储器,它的全部输入(包括时钟)都与射极耦合逻辑(ECL)相容。这种存储器的取数时间小于80ns,周期时间小于150 ns,维持功耗是300 mW。全译码存储器制作在204×237 mil的硅片上,并封装在2... 详细信息

本文介绍一种4096单元准静态(Pseudostatic)MOS随机存储器,它的全部输入(包括时钟)都与射极耦合逻辑(ECL)相容。这种存储器的取数时间小于80ns,周期时间小于150 ns,维持功耗是300 mW。全译码存储器制作在204×237 mil的硅片上,并封装在22引线双列直播式陶瓷管壳里。

关键词：随机存储器准静态译码器解码器地址位 ECL

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计算机的随机存储器

电脑技术——Hello-IT 1998年第12期 58-60页

作者：岳东辉安徽淮南市第一人民医院