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灌胶工艺对陶封隔离器键合点影响仿真分析
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现代电子技术 2022年 第10期45卷 5-9页
作者: 黄姣英 何明瑞 高成 高然 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院 北京100191
陶封隔离器由于引线间距过小,需采用灌胶的方法来加强其绝缘性能,使其隔离电压从而满足安全需求。灌封后因去胶困难,键合试验无法进行。针对上述问题,文中以GL3200C型数字隔离器为研究对象,采用有限元仿真方法分析在经历温度循环时,灌... 详细信息
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2023年粉体行业大盘点●第三代半导体
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中国粉体工业 2023年 第6期 15-17,21页
产业政策河北省科技厅:将碳化硅衬底等列入重点研发项目!2023年,10月,河北省科学科技厅对2023年新一代电子信息和新能源领域拟立项重点研发计划项目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范”和“碳化硅功率... 详细信息
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CQFN封装电特性研究
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电子产品可靠性与环境试验 2022年 第5期40卷 40-44页
作者: 张荣臻 姚昕 张元伟 无锡中微高科电子有限公司 江苏无锡214072
对CQFN封装进行了介绍,探讨了CQFN外壳不同的互连结构及信号完整性的评估方法。针对某款CQFN24陶瓷外壳,研究了封装的信号传输特性;并采用仿真方法对比了不同传输结构对信号完整性的影响。针对差分信号的指标要求,提出了优化传输结构的... 详细信息
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不同温度应力下陶封器件Au-Al键合可靠性研究
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舰船电子工程 2023年 第12期43卷 223-227页
作者: 李振远 万永康 虞勇坚 孟智超 中国电子科技集团公司第五十八研究所 无锡214035
为研究不同温度应力对Au-Al键合的可靠性影响,对陶封器件采用温度循环试验、高温贮存试验,分析陶封器件Au-Al键合点的金属间化合物(IMC)微观组织结构。结果显示,两种温度应力条件下都出现明显分层现象,且由于固固扩散反应,分层界面处应... 详细信息
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氮化铝陶瓷材料
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微电子技术 1999年 第2期27卷 22-29页
作者: 黄岸兵 崔嵩 合肥信息产业部43所 合肥230031
本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术,国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。
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非制冷红外焦平面探测器封装技术研究进展
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红外技术 2018年 第9期40卷 837-842页
作者: 王强 张有刚 云南师范大学太阳能研究所 云南昆明650500
目前,决定非制冷红外焦平面探测器成本和可靠性的主要因素之一是其真空封装技术水平。本文主要介绍了非制冷红外探测器封装技术的发展现状,详细说明了典型金属封装陶瓷封装、晶圆级封装及像元级封装的基本结构和组装工艺,并指出了其... 详细信息
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陶瓷表面状态对底部填充胶流动性影响研究
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电子与封装 2018年 第3期18卷 1-4页
作者: 李菁萱 刘沛 练滨浩 林鹏荣 黄颖卓 北京微电子技术研究所 北京100076 中国航天标准化与产品保证研究院 北京100071
由于陶瓷外壳表面会做氧化铝涂层,这种处理会对底部填充胶的扩散性能造成影响。研究了底部填充胶在不同表面状态的陶瓷外壳上的扩散状态。这对底部填充工艺的发展具有重要的意义。
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60GHz毫米波表面贴装陶瓷外壳
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信息记录材料 2020年 第8期21卷 38-40页
作者: 乔志壮 刘林杰 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051
本文提出了一种60GHz毫米波表面贴装陶瓷外壳,外壳射频传输端口采用一种新型电磁耦合传输结构。该电磁耦合传输结构包括微带线-开槽-微带线,与印制板表面贴装互连的结构采用共面波导结构。在60GHz频率附近,从印制板输出端到外壳内部输... 详细信息
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高密度、高性能IC封装的现状未来发展趋势及今后的对策
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半导体技术 1994年 第4期 62-66页
作者: 苏世民 石家庄电子工业部第13研究所
本文描述目前高性能、高密度IC封装的现状、面临的问题以及未来封装的发展趋势。指出了未来封装将朝着表面安装技术(SMT)乃至九十年代的新技术──多芯片组件(MCM)发展;分析了有关美、日对发展封装技术的策略;提出了对我... 详细信息
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RF功率晶体管封装材料从陶瓷转为塑料
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电子产品与技术 2004年 第5期 45-48页
作者: 辛风格
RF功率晶体管是无线发射设备中成本最高的器件,移动通信的手机和基站都使用由RF功率晶体管构成的功率放大器模块,它的输出功率决定通信距离的远近,它的效率决定电源的容量和使用时间。移动手机中RF电路占整体成本的30—50%,移动基... 详细信息
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