检索结果-南通市图书馆

固体电子学研究与进展 2018年第3期38卷 189-191,196页

作者：王元庆刘蕾蕾南京电子器件研究所南京210016 南京邮电大学南京210003

提出一种新颖的平面集成方式,可将PIN二极管集成在基片集成波导中,并基于此设计一种K波段限幅器。限幅器的仿真与测试结果吻合良好。限幅器的小信号、大信号状态下的插入损耗分别为2.5dB和16dB。

关键词：基片集成波导限幅器 PIN二极管

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一种吸收式微波限幅器设计方法

电子元器件与信息技术 2023年第5期7卷 5-7页

作者：杜伟邓世雄白锐孙一航中国电子科技集团公司第十三研究所

本文介绍了一种基于lange电桥结构的吸收式微波限幅器设计方法。限幅电路采用PIN二极管和lange耦合器结构，可实现小型化和高性能限幅特性。测试结果表明，在S频段限幅器插入损耗小于0.9dB，可承受峰值超过100W的功率，限幅器隔离度大于... 详细信息

本文介绍了一种基于lange电桥结构的吸收式微波限幅器设计方法。限幅电路采用PIN二极管和lange耦合器结构，可实现小型化和高性能限幅特性。测试结果表明，在S频段限幅器插入损耗小于0.9dB，可承受峰值超过100W的功率，限幅器隔离度大于26dB。该设计方法可显著缩小限幅器产品体积，提高限幅器性能，具有广阔的应用前景。

关键词：限幅器吸收式 lange耦合器

不同上升前沿下微波限幅器响应特性的试验研究

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不同上升前沿下微波限幅器响应特性的试验研究

2023年全国天线年会

作者：马磊强陈羽刘杰刘晓倩刘俊霄中国电子科技集团公司第二十九研究所中国电子科技集团公司第十二研究所

本文给出了多类微波限幅器在不同脉冲包络上升前沿下的耐受功率指标试验研究结果,并对多类限幅器响应时间参数进行了测试。结果表明,部分限幅器耐受功率能力与响应时间成反比关系。当输入脉冲功率上升前沿过快(<70 ns),易被微波功率烧... 详细信息

本文给出了多类微波限幅器在不同脉冲包络上升前沿下的耐受功率指标试验研究结果,并对多类限幅器响应时间参数进行了测试。结果表明,部分限幅器耐受功率能力与响应时间成反比关系。当输入脉冲功率上升前沿过快(器件的响应时间指标进行了测试。

关键词：限幅器上升前沿响应时间高功率微波

来源： cnki会议评论

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超宽带GaAs MMIC限幅器设计

超宽带GaAs MMIC限幅器设计

2022年全国微波毫米波会议

作者：沈健毋召锋郭岳儒李元鑫刘继斌国防科技大学

基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺,设计了一款工作频率为0.01～18GHz的超宽带限幅器。该限幅器采用两级PIN二极管反向互连的限幅结构,将尺寸较大的二极管作为限幅器的前级,尺寸较小的二极管作为后级,优化了限幅器的插入损耗和耐功率... 详细信息

基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺,设计了一款工作频率为0.01～18GHz的超宽带限幅器。该限幅器采用两级PIN二极管反向互连的限幅结构,将尺寸较大的二极管作为限幅器的前级,尺寸较小的二极管作为后级,优化了限幅器的插入损耗和耐功率性能。综合考虑芯片尺寸和限幅性能等因素,合理设计两级限幅结构之间的延迟线尺寸,将整个限幅电路一体化匹配设计,降低了限幅器的插入损耗。仿真结果表明,在0.01～18GHz频段内,该限幅器插入损耗小于0.32dB,输入输出驻波比小于1.23,限幅电平约为15dBm,芯片尺寸为1.18mm×0.68mm,具有较好的应用前景。

关键词：限幅器宽带 GaAs 单片微波集成电路（MMIC）

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限幅器对基带码元信号的影响分析

限幅器对基带码元信号的影响分析

作者：孙建楠哈尔滨工程大学

学位级别：硕士

目前,非线性信道是普遍存在的,它的特性决定调制方式的选取。非线性信道对传输信号的影响很大,当有包络起伏的信号经过非线性部件处理后,相位和幅度都要发生畸变,频谱产生扩展,进而影响信号的传输质量;信道的非线性特征也是制约其传输... 详细信息

目前,非线性信道是普遍存在的,它的特性决定调制方式的选取。非线性信道对传输信号的影响很大,当有包络起伏的信号经过非线性部件处理后,相位和幅度都要发生畸变,频谱产生扩展,进而影响信号的传输质量;信道的非线性特征也是制约其传输效率和功率的关键要素。因此对输入信号的特性提出了更高的要求,系统往往要求已调信号具有恒包络或者准恒包络特性。由此,人们经常在非恒包络或非准恒包络信号后加入限幅器来得到恒包络信号,而限幅器的引入必然会带来基带码元信号的畸变和频谱扩展。本论文的主要工作是针对正交调制系统分析由限幅器所带来的信号畸变和频谱扩展情况,检试在不引入限幅器的情况下,直接采用畸变码元波形实现恒包络调制,探索既能实现频带利用率提升,又峰均功率比（Peak-to-Average Power Ratio）小的调制及解调方法。本研究首先选取sin（?t/2T）作为基带码元波形,对加入限幅器后基带码元信号畸变和频谱扩展情况进行分析。为进一步提高频带利用率同时不影响码元速率,选取2倍原码元波形长度的sin（?t/4T）作为基带码元波形,同时人为引入码间干扰,得到了该系统的64种畸变码元波形和表达式,以及相邻码元的互相关特性。用所得到的畸变码元波形直接进行正交调制,验证了该方法的正确性。为进一步提高频带利用率,选取具有更高频带利用率的函数sin（?t/4T）作为码元信号并设计正交调制解调系统,在不影响码元速率的同时进一步提高频带利用率。本文所采用的方法对分析其他正交调制通信系统限幅器引起的基带码元信号畸变及频谱扩展情况具有借鉴意义。

关键词：正交调制系统限幅器波形畸变频谱扩展码元互相关特性

用于二氧化碳激光脉冲的带有时间平滑性的功率限幅器研究<英文>

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哈尔滨工业大学学报 1989年第4期21卷 105-108页

作者：刘玉东王其明李淳飞哈尔滨工业大学黑龙江哈尔滨

1.INTRODUCTIONThe development of optical nonlinear material devices has been processingrapidly and they have had many applications in optical switches and opticalpower limiters.To obtain a steady pulse power output from an unstable pulselaser or a multimode laser system,an optical power limitet has to be used tomake it uniform in peak power.However,when a limiter is used,it will change

关键词：二氧化碳激光脉冲功率限幅器

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PIN二极管限幅器线性度探究

固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 365-369,387页

作者：王乔楠王生明邓世雄中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对ADC对线性限幅器线性度的不同需求,而开启功率电平是影响限幅器线性度的关键参数,探究了GaAs和Si基PIN二极管限幅器在30~300 MHz频率内的开启功率电平。提出多颗二极管堆叠的限幅器结构,提高了限幅器的开启功率电平,从而改善了限幅... 详细信息

针对ADC对线性限幅器线性度的不同需求,而开启功率电平是影响限幅器线性度的关键参数,探究了GaAs和Si基PIN二极管限幅器在30~300 MHz频率内的开启功率电平。提出多颗二极管堆叠的限幅器结构,提高了限幅器的开启功率电平,从而改善了限幅器的线性度。测试结果表明:在30~300 MHz频率下,采用自研和M/A-COM的PIN二极管堆叠结构的限幅器插损≤0.2 dB,回波损耗≥19 dB,相较于未堆叠结构开启功率电平提高了8~9 dB。该研究证明堆叠结构可以有效改善线性限幅器的线性度。

关键词：开启功率电平线性度堆叠限幅器

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全集成CMOS限幅器与场强指示器设计

南开大学学报（自然科学版） 2008年第4期41卷 21-25页

作者：甄志芳赵毅张福海南开大学微电子科学系天津300071

设计了一款限幅器及场强指示电路,提出了一种新的直流失调补偿方案,利用开关电容电路实现了限幅器消直流失调部分的片内集成.该CMOS限幅器具有65dB的电压增益,可以对载波为200kHz、带宽为50kHz的中频信号进行放大.场强指示器部分的动态... 详细信息

设计了一款限幅器及场强指示电路,提出了一种新的直流失调补偿方案,利用开关电容电路实现了限幅器消直流失调部分的片内集成.该CMOS限幅器具有65dB的电压增益,可以对载波为200kHz、带宽为50kHz的中频信号进行放大.场强指示器部分的动态范围大于70dB,场强检测的误差小于±1dB.

关键词：限幅器场强指示器开关电容电路消直流失调

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GaAs垂直结构PIN二极管限幅器

半导体技术 2008年第9期33卷 766-768页

作者：王静辉魏洪涛张力江河北半导体研究所石家庄050051

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路。针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计。工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限... 详细信息

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路。针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计。工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上。GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义。

关键词：垂直结构 PIN二极管限幅器深挖槽

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一种改进型的高功率限幅器

半导体技术 2011年第5期36卷 393-396页

作者：陈志宏杨大宝中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

通过对pin限幅器的工作原理进行理论分析,引入了微波功率限幅器功率容量的计算方法,并以此为基础进行了微波功率限幅器设计。这里讨论了一种实用的高功率限幅器,它采用多个限幅二极管并联的方式,有效提高了限幅器的抗烧毁特性,从而提高... 详细信息

通过对pin限幅器的工作原理进行理论分析,引入了微波功率限幅器功率容量的计算方法,并以此为基础进行了微波功率限幅器设计。这里讨论了一种实用的高功率限幅器,它采用多个限幅二极管并联的方式,有效提高了限幅器的抗烧毁特性,从而提高限幅器的高功率通过能力;并且通过外加耦合器对限幅二极管施加正偏压的电路方式,有效提高了限幅器的最高承受功率。通过一个L波段脉冲500 W的高功率限幅器的实际设计和制作,对上述限幅器原理和方法进行了验证,取得了良好的结果。

关键词：高功率限幅器并联功率耦合器承受功率电平