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  • 307 篇 中文
检索条件"主题词=阳极氧化法"
307 条 记 录,以下是1-10 订阅
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基于阳极氧化法的TiO2纳米管制备及生成过程分析
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化工进展 2020年 第3期39卷 1095-1100页
作者: 成先雄 陈于梁 孔张亮 廖金明 连军锋 黄雅莲 江西理工大学赣江流域水质安全保障工程技术研究中心 江西赣州341000
运用阳极氧化法制备TiO2纳米管,探讨了TiO2纳米管紫外光催化净化头孢噻肟钠抗生素废水的效果,采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对TiO2纳米管进行了表征分析。SEM结果显示,制备的TiO2材料表面呈阵列排布的多孔状,内径大小均匀,管径... 详细信息
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阳极氧化法可控制备硫化铜三维纳米结构薄膜及其场致电子发射性能研究
阳极氧化法可控制备硫化铜三维纳米结构薄膜及其场致电子发射性能...
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作者: 和茹梅 西北师范大学
学位级别:硕士
相较于常见的金属氧化物场发射体材料(如:氧化锌、氧化铁以及氧化铜等)多晶硫化铜作为一种窄带隙(1.1-2.74 eV),电子传输特性较好的半导体材料,拥有较低的功函数。应该是一类很有前途的场发射体候选材料。当然,场发射体的形貌结构对场... 详细信息
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阳极氧化法构筑用于多巴胺检测的卟啉MOFs电化学分析传感器
阳极氧化法构筑用于多巴胺检测的卟啉MOFs电化学分析传感器
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作者: 赵娜娜 河南大学
学位级别:硕士
多巴胺(dopamine,DA)作为一种神经递质,在精神疾病的诊断与治疗、毒品的检测以及食品安全的保障等方面具有重要的作用。因此,针对多巴胺的分析与检测的研究具有重要的实用价值。利用多巴胺可被电化学氧化的特性,通过电化学可高效、灵... 详细信息
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阳极氧化法构筑卟啉MOFs用于电催化还原二氧化
阳极氧化法构筑卟啉MOFs用于电催化还原二氧化碳
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作者: 常智铭 河南大学
学位级别:硕士
随着社会经济快速发展,人们对能源的需求不断增加,传统化石燃料过度开发使用从而引发二氧化碳(CO)大量排放,引起的温室效应是导致全球气候变暖的重要原因。实现CO转换和固定,既能缓解温室效应,又能将其以碳源的形式储存下来,节约能源,... 详细信息
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阳极氧化法在金属布线工艺中的应用
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微电子学 1973年 第Z1期 55-60页
作者: 李世兴 王秀春
在讨论半导体器件的电极布线时,从铝的导电性、加工性、与氧化层的粘附性、与硅的欧姆接触性等考虑,铝几乎是单一金属材料中最好的布线材料,因而它长时间以来占有重要地位。但是这种材料也附带有一些难以克服的缺点,即机械强度差、抗化... 详细信息
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溶胶—凝胶阳极氧化法在钛基体表面制备二氧化钛生物活性薄膜
溶胶—凝胶法和阳极氧化法在钛基体表面制备二氧化钛生物活性薄膜
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作者: 马奇奇 湖南大学
学位级别:硕士
钛金属因其优异的力学性能在临床上已广泛应用。钛表面往往覆盖有一层二氧化钛薄膜,在生理环境中,主要是二氧化钛与组织发生反应。另一方面,二氧化钛具有良好的耐腐蚀性、良好的血液相容性和潜在的表面内皮细胞化能力,这就意味着二氧化... 详细信息
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阳极氧化法在经皮穿龈器件材料表面改性中的应用
阳极氧化法在经皮穿龈器件材料表面改性中的应用
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中华口腔医学会口腔材料学专业委员会第七次全国口腔材料学术交流会
作者: 周懿 包崇云 肖宇 华西口腔医学院口腔疾病研究国家重点实验室
白Branemark引入骨结合概念后,经过了半个多世纪的发展,种植体已经越来越多的使用在口腔修复领域,被称为"人类的第三副牙齿"。其中,以骨结合现象为核心的骨种植界面学说及以生物封闭现象为核心的软组织种植体界面学说已成为种植体器官... 详细信息
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阳极氧化法可控制备二氧化钛纳米管阵列研究
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化学工程师 2018年 第8期32卷 18-21页
作者: 赵宇 常成 陈磊 马金祥 熊超 常州工学院电气与光电工程学院 江苏常州213032
文中主要考察在乙二醇-氟化铵体系电解液时不同阳极氧化电压及不同反应时间对阳极氧化法制得的TiO_2阵列形貌和尺寸的影响。并借助扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的TiO_2纳米管阵列进行测试,并进行相应分析,以期为探究利用TiO_2纳米管... 详细信息
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阳极氧化法生产硫酸石墨盐的研究
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炭素 1985年 第2期 10-13页
作者: 徐仲榆 莫孝文 湖南大学
石墨具有由碳六角网络平面堆积而成的层状结构,平面内的每个碳原子采用SP~2杂化轨道以O键和周围其他三个碳原子结合在一起。此外,每一个碳原子还以一个P电子形成一个大π键。因此,平面内碳原子结合非常牢固,但在与层面垂直的方向(C轴方... 详细信息
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阳极氧化法显示InSb P-N结的结剖面
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红外技术 1987年 第1期 38-41页
作者: 苏培超 昆明物理研究所
利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件下Zn,Cd在InSb中扩散的P-N结深度。
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