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量子阱激光器的阈值电流与腔长关系

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 165-168页

作者：段天利崔碧峰王智群沈光地北京工业大学光电子技术实验室北京100022

一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载... 详细信息

一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载流子泄漏和非辐射复合,因此激光器内损耗很小,阈值增益主要由腔面损耗决定,致使阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。

关键词：阈值电流内损耗阈值增益

光注入下VCSEL在阈值电流附近的非线性响应特性

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西南大学学报（自然科学版） 2017年第3期39卷 170-175页

作者：何秀熊中碧林晓东陈建军唐曦邓涛西南大学物理科学与技术学院重庆400715 新疆医科大学医学工程技术学院乌鲁木齐830011

实验研究了光注入下1 300nm-VCSEL在阈值电流附近的非线性响应特性.研究结果表明,在平行光注入下,激光器输出功率随注入功率的增加呈现出非线性变化.当失谐频率较大时,激光器输出功率将随注入功率增加到一定值后突然下降,然后再缓慢增加... 详细信息

实验研究了光注入下1 300nm-VCSEL在阈值电流附近的非线性响应特性.研究结果表明,在平行光注入下,激光器输出功率随注入功率的增加呈现出非线性变化.当失谐频率较大时,激光器输出功率将随注入功率增加到一定值后突然下降,然后再缓慢增加.通过连续增加或减小外部注入光功率,激光器的输出功率将出现呈逆时针变化的双稳环;正交光注入下VCSEL的输出特性与平行光注入下的情况类似,且在连续增加或减小外部注入光功率的过程中能观察到呈顺时针变化的双稳环.

关键词： 1300nm垂直腔表面发射激光器(1300nm-VCSEL) 光注入阈值电流非线性响应

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半导体激光器阈值电流测试方法研究

激光与红外 2010年第8期40卷 847-850页

作者：杜海涛邹建姬兴重庆大学光电工程学院重庆400030

介绍了一种基于单片机和虚拟仪器技术的半导体激光器阈值电流的测量方法,以单片机为核心设计了半导体激光器的驱动电路以及驱动电流和光功率的的采集电路,并实现了与PC机的通信。利用虚拟仪器技术实现对单片机的控制、参数设定、数据处... 详细信息

介绍了一种基于单片机和虚拟仪器技术的半导体激光器阈值电流的测量方法,以单片机为核心设计了半导体激光器的驱动电路以及驱动电流和光功率的的采集电路,并实现了与PC机的通信。利用虚拟仪器技术实现对单片机的控制、参数设定、数据处理和存储、PI曲线的显示以及阈值电流的求解。实验结果表明:利用两段直线拟合法求得的阈值电流最准确,重复测量时可靠性最好。

关键词：半导体激光器阈值电流 ATmega64 AD558 LabVIEW

1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系

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半导体光电 1990年第2期11卷 156-161页

作者：陈其道重庆光电技术研究所重庆永川632163

测量了1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH 激光器在直流工作条件下,阀值电流密度随温度的变化。应用电子从四元有源区泄漏入 InP 限制层的机理讨论了实验结果。

关键词：激光器阈值电流温度 InGaAsP/InP

介质膜技术在半导体激光器中的应用(一)——改变阈值电流,提高外量子效率与最大输出功率

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半导体光电 1991年第1期12卷 17-21,25页

作者：陈倜嵘庄玉华余般梅电子科技大学光电子技术系成都610054

本文从理论上分析了介质膜对半导体激光器外特性如阈值电流、外量子效率和最大输出功率等的影响。实验研究结果也表明腔镜镀膜技术能有效地改善半导体激光器的输出特性,且工艺简便,较之设计研制新结构容易实现。

关键词：半导体激光器介质膜阈值电流输出功率外量子效率

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一种实用半导体激光器阈值电流测试仪

实验室研究与探索 2010年第10期29卷 42-44,48页

作者：邹建杜海涛姬兴重庆大学光电技术及应用教育部重点实验室重庆400044 重庆大学光电工程学院重庆400044

设计并研制了半导体激光器阈值电流测试仪,能够显示出半导体激光器的PI曲线及阈值电流。采用单片机ATmega64和D/A转换芯片AD558构成的锯齿波发生器作为半导体激光器的驱动源,并通过单片机实现驱动电流和光功率数据的采集以及阈值电流的... 详细信息

设计并研制了半导体激光器阈值电流测试仪,能够显示出半导体激光器的PI曲线及阈值电流。采用单片机ATmega64和D/A转换芯片AD558构成的锯齿波发生器作为半导体激光器的驱动源,并通过单片机实现驱动电流和光功率数据的采集以及阈值电流的求解。本方法能在不到1 s的时间内测出半导体激光器的阈值电流,可以忽略激光二极管的结温及环境温度对测量结果造成的影响。该测试仪驱动电流的量程可选,最高可达100 mA。利用该测试仪分别对2个半导体激光器进行了10次测量,测量结果的标准差分别是0.092和0.089。测试结果表明,研制的仪器具有良好的可靠性和稳定性。

关键词：半导体激光器阈值电流 ATmega64

发射波长1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导激光器的低阈值电流CW工作

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微纳电子技术 1983年第2期 86-88页

作者： T.Tanbun--ek 黄以明

波长1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率... 详细信息

波长1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率和最大输出功率分别为37mA、16.3％/端面和6mW。

关键词：激光器 DBR 光激射器电子器件阈值电流 GaInAsP/InP InP 激射波长分布布拉格反射器单波长激光二极管半导体激光器异质结构 CW

InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合

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Journal of Semiconductors 1988年第4期 364-372页

作者：李玉璋岳京兴徐俊英郑宝贞汪孝杰庄蔚华中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所北京

报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T;以上到室温（255K电流中俄歇复合起主要作用. 测量了由于俄歇复合引起的0.95μm发射的温度特性并... 详细信息

报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T;以上到室温（255K电流中俄歇复合起主要作用. 测量了由于俄歇复合引起的0.95μm发射的温度特性并比较了1.3μm和0.95μm的电发光强度比与俄歇复合寿命τ;与辐射复合寿命τ;之比,同样说明了在T;以上到室温,俄歇复合是主要的损耗机理.应用不同测量方法的两个独立的实验得到了相同的结论.

关键词：增益光谱阈值电流俄歇复合

质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响

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Journal of Semiconductors 1988年第2期 135-149页

作者：郭长志陈水莲北京大学物理系清华大学应用数学系北京

用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源层注入电流对迁移层同质结漏电流的影响;并提出以过渡模式为界,区分A类和B类模式,从理论上比较全面... 详细信息

用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源层注入电流对迁移层同质结漏电流的影响;并提出以过渡模式为界,区分A类和B类模式,从理论上比较全面地分析了五层对称平板波导的模式行为;指出降低阈值电流和保证单基横模工作这两方面对迁移层厚度有相反的要求,从而存在一定意义下的最佳迁移层厚度.

关键词：半导体激光器阈值电流模式行为