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多次透射反射红外光谱法灵敏和准确地测量单晶硅中间隙氧和代位碳的含量（英文）

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无机化学学报 2016年第2期32卷 351-359页

作者：路小彬肖守军配位化学国家重点实验室南京大学化学化工学院南京210093

建立了室温下使用多次透射反射红外光谱法（MTR-IR）测量单晶硅中间隙氧和代位碳含量的新红外光谱吸收方法，在理论和实验上证明了MTR-IR优于常规使用的单次垂直透射红外（IR）吸收测量方法。与IR法相比较，MTR—IR法的优点为：（1）间... 详细信息

建立了室温下使用多次透射反射红外光谱法（MTR-IR）测量单晶硅中间隙氧和代位碳含量的新红外光谱吸收方法，在理论和实验上证明了MTR-IR优于常规使用的单次垂直透射红外（IR）吸收测量方法。与IR法相比较，MTR—IR法的优点为：（1）间隙氧在1107cm。处和代位碳在605cm^-1处的吸收峰与MTR-IR法中红外光透过硅片的的次数N（6～12）成线性增加的正比例关系，因此单晶硅中间隙氧和代位碳含量的检测限至少比IR法低一个数量级：（2）MTR-IR法测量薄硅片如0．2mm的厚度时产生的干涉条纹强度是单次垂直透射红外吸收法（IR）的1，23、是单次Brewster角透射红外吸收法的1／11；（3）单次垂直透射红外吸收法（IR）1次只测量样品上的1个点，MTR-IR法则在更长的样品上1次测量多个样品点．每次测量更具有代表性。理论计算和实验结果都证实了MTR-IR吸收法测量晶体硅中间隙氧和代位碳杂质含量的高灵敏度、可靠性和重复性。

关键词：多次透射反射红外间隙氧代位碳

直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究

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太阳能学报 2004年第5期25卷 629-632页

作者：任丙彦霍秀敏左燕励旭东许颖王文静河北工业大学天津300130 北京市太阳能研究所北京100083

为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对... 详细信息

为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。

关键词：间隙氧掺杂光衰减太阳电池

大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系

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半导体技术 2002年第3期27卷 21-24页

作者：任丙彦郝秋艳刘彩池王海云张颖怀河北工业大学信息功能材料研究所天津300130

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。

关键词： CZSi单晶生微缺陷间隙氧集成电路硅片大直径直拉硅单晶

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黄长石间隙氧离子导体

黄长石间隙氧离子导体

第十四届固态化学与无机合成学术会议

作者：匡小军徐军古王全超桂林理工大学材料科学与工程学院

降低固态氧化物燃料电池的工作温度到500℃左右需要高氧离子导电率的电解质材料。氧离子导电载流子有氧空位和间隙氧两种,掺杂的萤石型ZrO和CeO和钙钛矿型LaGaO镓酸盐属于氧空位导电;一些含有四面体单元的磷灰石型La(Si/GeO)O硅酸盐和... 详细信息

降低固态氧化物燃料电池的工作温度到500℃左右需要高氧离子导电率的电解质材料。氧离子导电载流子有氧空位和间隙氧两种,掺杂的萤石型ZrO和CeO和钙钛矿型LaGaO镓酸盐属于氧空位导电;一些含有四面体单元的磷灰石型La(Si/GeO)O硅酸盐和锗酸盐,β-SnWO型的LaMoO钼酸盐以及黄长石型LaSrGaO镓酸盐属于间隙氧导电。四面体中心离子具有可变氧配位数以及四面体的旋转和变形灵活性是具有四面体结构单元的材料呈现出良好的氧离子导电行为的关键因素。ABO黄长石结构含有交替的A大阳离子层和BO四面体层,四面体呈(3,4)-连接形成五元环通道,间隙氧可以进入五元环通道中位于两个A离子之间并通过融入四面体配位环境中而被稳定,其迁移是通过骨架四面体的协同作用在四面体层内五元环间跳跃来实现的。本报告将对我们近年来在黄长石氧离子导体的合成,结构,性质以及间隙氧稳定和迁移机理上的研究工作进展做介绍。

关键词：氧离子导体黄长石结构四面体间隙氧固态氧化物燃料电池

来源： cnki会议评论

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高温超导铜氧化合物中间隙氧占位的分形结构

物理 2012年第3期41卷 150-150页

作者：戴闻不详

在包含有过渡金属的复杂氧化物中,许多材料表现出奇特的物理性质.从微观角度看,其起因在于：在低温下电子结成团队,以致于材料的性质由电子的集体行为（而非单电子行为）决定.对传统半导体材料来说,通常要求生长出几乎完美的晶体.我们... 详细信息

在包含有过渡金属的复杂氧化物中,许多材料表现出奇特的物理性质.从微观角度看,其起因在于：在低温下电子结成团队,以致于材料的性质由电子的集体行为（而非单电子行为）决定.对传统半导体材料来说,通常要求生长出几乎完美的晶体.我们今天蓬勃发展的信息产业正是建立在各类半导体优质晶体的基础之上.然而,对过渡金属氧化物来说,高质量晶体的制备决非易事.其中的困难除了元素种类多以外。

关键词：超导铜氧化合物分形结构过渡金属氧化物间隙氧半导体材料占位高温物理性质

La_(2-x)Nd_xCuO_(4+δ)(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗研究

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物理学报 2010年第11期59卷 7979-7985页

作者：何庆杨春利吴修胜陈志军陈初升刘卫中国科学技术大学先进功能材料与器件实验室合肥230026 安徽建筑工业学院先进建筑材料安徽省重点实验室合肥230022

通过对La2-xNdxCuO4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗性能的研究发现,当0.1≤x≤1.0时,在250K左右存在一个与间隙氧有关的弛豫内耗峰,并且当0.1≤x≤0.4时,弛豫内耗峰峰高随着x值的增大而升高,此时体系为正交结构;当0.5≤x≤... 详细信息

通过对La2-xNdxCuO4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗性能的研究发现,当0.1≤x≤1.0时,在250K左右存在一个与间隙氧有关的弛豫内耗峰,并且当0.1≤x≤0.4时,弛豫内耗峰峰高随着x值的增大而升高,此时体系为正交结构;当0.5≤x≤1.0时,体系在宏观上呈现四方结构,此时内耗峰峰高随着x值的增大而降低,当x继续增大到1.2时,内耗峰完全消失.此外,在0.1≤x≤0.8区间,高温区550K左右还存在一个相变内耗峰,其相转变温度随着x值的增大向高温偏移,相应温区的弹性模量有异常变化.分析表明,此相变峰对应着体系中的正交—四方相的转变.

关键词： La2-x Ndx CuO4+δ 间隙氧弛豫内耗峰相变内耗峰

P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施

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功能材料 2003年第4期34卷 409-411页

作者：赵玉文北京太阳能研究所北京100083

　介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz Si和mc Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在... 详细信息

　介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz Si和mc Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在。同时介绍了减小或避免衰减的技术措施。

关键词：硅太阳电池光衰减机制技术改进掺硼间隙氧退火处理少子寿命

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硅酸盐氧基磷灰石的溶胶凝胶法制备与表征

材料科学与工艺 2009年第6期17卷 848-852页

作者：王贵领赵辉王清民霍丽华高山哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院哈尔滨150001 黑龙江大学化学化工与材料学院功能材料省高校重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨玻璃钢研究所哈尔滨150036

为了提高电导率,以溶胶-凝胶法制备了硅酸盐氧基磷灰石.通过TG-DTA、XRD和IR分析,研究了从凝胶转变为硅酸盐氧基磷灰石过程中凝胶焙烧温度的影响.结果表明,制备Sr2La8(SiO4)6O2、La9.33(SiO4)6O2和La10(SiO4)6O3时凝胶的焙烧温度分别为... 详细信息

为了提高电导率,以溶胶-凝胶法制备了硅酸盐氧基磷灰石.通过TG-DTA、XRD和IR分析,研究了从凝胶转变为硅酸盐氧基磷灰石过程中凝胶焙烧温度的影响.结果表明,制备Sr2La8(SiO4)6O2、La9.33(SiO4)6O2和La10(SiO4)6O3时凝胶的焙烧温度分别为850、950℃和950℃;间隙氧可能诱发晶体结构扭曲,晶胞体积变大.通过IR和XRD分析,证实了在La9.33(SiO4)6O2和La10(SiO4)6O3磷灰石中间隙氧的存在.

关键词：溶胶凝胶法硅酸盐氧基磷灰石自由氧间隙氧

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多晶硅锭高氧浓度与少子寿命的研究

太阳能学报 2018年第3期39卷 758-762页

作者：钟德京邱家梁邹军周浪胡动力江西赛维LDK太阳能高科技有限公司新余338032 南昌大学光伏研究院南昌330031

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降... 详细信息

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降低平均少子寿命0．50μs；当间隙氧浓度高于7．0×1017cm-3时，硅锭少子寿命受到极大影响，平均少子寿命降低到1．50μs，形成红区。因此，只有当铸造多晶硅尾部间隙氧浓度达到7．0×1017cm-3时，才可能形成尾部红区。

关键词：多晶硅锭铸锭红区少子寿命间隙氧