检索结果-南通市图书馆

中国真空学会2014学术年会

作者：康海涛李健和江变马承鸿郭永强于利亚内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室

物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比,硼和金属杂质等含量还是有些高,所以使制作的物理多晶硅太阳电池的光电转换效率偏低,反向电流较大。不断... 详细信息

物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比,硼和金属杂质等含量还是有些高,所以使制作的物理多晶硅太阳电池的光电转换效率偏低,反向电流较大。不断降低物理冶金多晶硅电池的漏电,提高其短路电流和光电转换效率是重要的任务。本工作针对冶金多晶硅电池漏电大的问题,把常规晶体硅电池表面的双层氮化硅减反射膜设计成三层氮化硅薄膜,增大第一层氮化硅薄膜的致密性,使其产生良好的钝化作用,以降低电池的漏电。采用PC1D太阳电池设计软件模拟,筛选出的最优沉积三层氮化硅薄膜的工艺条件,用等离子增强化学气相淀积设备(PECVD)制作三层氮化硅薄膜。用椭圆激光偏振仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜、少子寿命测试仪及BACCINI电池检测仪、量子效率测试仪等对氮化硅薄膜的厚度、折射率、表面反射率、表面形貌、少子寿命、电学性能参数、量子效率等进行测试。多次实验及不断优化工艺,得到了沉积三层氮化硅的最优工艺条件。实验结果显示:三层氮化硅薄膜的互补作用对电池起到很好的减反射效果,明显降低了太阳电池表面的反射。进一步优化实验,把连续沉积薄膜改为间断性沉积,并用于小规模生产物理冶金多晶硅太阳电池(156*156mm)。间断性沉积工艺沉积的三层氮化硅膜厚度均匀,薄膜平均等效厚度为78-88 nm,等效折射率为2.09-2.20,在可见光区的平均反射率5%。第一层氮化硅薄膜的致密性较高钝化效果好,明显提高了物理冶金多晶硅太阳电池的少子寿命和降低电池的反向漏电流,电池的短路电流Isc平均可提高40 mA以上,平均光电转化效率提高了0.38%。沉积三层氮化硅膜的冶金多晶硅太阳电池的量子效率明显优于双层膜电池,在短波范围内,三层氮化硅膜电池的量子效率迅速上升,最高达98%,长波区范围内电池的量子效率下降速率较缓慢。

关键词： PECVD技术三层氮化硅薄膜间断性沉积钝化物理冶金多晶硅太阳电池

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

晶体硅太阳电池沉积三层氮化硅薄膜的探索

引用

科技风 2015年第15期 64-65页

作者：韩菲李健燕京理工学院机电工程学院河北廊坊065201 内蒙古大学理工学院内蒙古呼和浩特010021

为改善晶体硅太阳电池表面存在的问题,利用等离子增强化学气相沉积法在晶体硅上沉积的三层氮化硅薄膜,对晶体硅太阳能电池起到很好的减反射效果,明显改善了电池对入射光的吸收。将三层薄膜的连续沉积改为间断性沉积,可以使氮化硅薄膜的... 详细信息

为改善晶体硅太阳电池表面存在的问题,利用等离子增强化学气相沉积法在晶体硅上沉积的三层氮化硅薄膜,对晶体硅太阳能电池起到很好的减反射效果,明显改善了电池对入射光的吸收。将三层薄膜的连续沉积改为间断性沉积,可以使氮化硅薄膜的致密性大大提高,并极大的改善了原本工艺中出现的电池表面色差较严重的问题。

关键词：氮化硅薄膜晶体硅太阳电池间断性沉积

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：