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闪锌矿结构晶体的正电子体寿命计算

物理学报 2010年第8期59卷 5828-5832页

作者：张杰陈祥磊郝颖萍叶邦角杜淮江中国科学技术大学近代物理系核固体物理实验室

在局域密度近似理论(LDA)和广义梯度近似理论(GGA)的基础上,用中性原子叠加的方法(ATSUP),理论上对亚铜的卤化物(CuF除外,因为它不是闪锌矿结构)及某些硼化物进行计算,计算结果与实验符合得很好;其次,计算了其他具有闪锌矿结构的众多晶... 详细信息

在局域密度近似理论(LDA)和广义梯度近似理论(GGA)的基础上,用中性原子叠加的方法(ATSUP),理论上对亚铜的卤化物(CuF除外,因为它不是闪锌矿结构)及某些硼化物进行计算,计算结果与实验符合得很好;其次,计算了其他具有闪锌矿结构的众多晶体的正电子体寿命,得到的结果与其他文献计算的结果符合得较好,文中以CuCl晶体为例,给出了正电子在其中的势能分布,概率密度分布与湮没率分布;最后,这些系统性的正电子体寿命结果被拟合成晶格常数的函数,拟合结果与其他一些文献的结果做了比较.

关键词：正电子体寿命闪锌矿结构

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闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理

中国有色金属学报 2006年第8期16卷 1380-1387页

作者：颜剑苏玉长苏继桃卢普涛中南大学材料科学与工程学院长沙410083

利用第一原理赝势平面波计算方法研究具有闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理。通过计算不同嵌锂相Lix(AlSb)(0≤x≤2)或Li2+yAl1-ySb(0≤y≤1)的形成能(ΔE),并结合相应的热力学原理便可得出当Li嵌入AlSb时的电压—比容量曲线图,由此进一步确... 详细信息

利用第一原理赝势平面波计算方法研究具有闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理。通过计算不同嵌锂相Lix(AlSb)(0≤x≤2)或Li2+yAl1-ySb(0≤y≤1)的形成能(ΔE),并结合相应的热力学原理便可得出当Li嵌入AlSb时的电压—比容量曲线图,由此进一步确认了锂在嵌入AlSb的结构时,首先是占据AlSb中的间隙位置,然后随着Li嵌入量的增加,可以逐步取代AlSb中的Al位置从而形成Li3Sb相。通过分析Li嵌入AlSb前后的能带结构及态密度图可以发现,AlSb的导电性能首先随Li嵌入量的增加而增加,当Li占据AlSb全部间隙位置后达到峰值,当Li进一步替代Al时导电性能随之降低。

关键词： AlSb 闪锌矿结构第一原理赝势平面波锂离子电池

闪锌矿结构AlSb空位缺陷性质的第一性原理研究

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原子与分子物理学报 2013年第3期30卷 487-492页

作者：包秀丽陶冶冉扬强长江师范学院凝聚态物理研究所重庆408100 西南大学物理科学与技术学院北碚400715

采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,计算含有锑空位和铝空位的AlSb电子结构,发现空位引起周围原子弛豫,晶体结构发生畸变.在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿型AlSb体系电子结构的影响,结果表明,铝空位缺陷使锑... 详细信息

采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,计算含有锑空位和铝空位的AlSb电子结构,发现空位引起周围原子弛豫,晶体结构发生畸变.在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿型AlSb体系电子结构的影响,结果表明,铝空位缺陷使锑化铝费米能级降低,带隙变窄;而锑空位缺陷则使锑化铝费米能级升高,带隙变窄,同时,锑化铝的半导体类型由p型变为n型.对光学性质的研究发现,由于空位的引入使其邻近原子电子结构发生变化,使得空位缺陷系统光学性质的变化主要集中在低能量区域.

关键词：闪锌矿结构空位缺陷锑化铝晶体第一性原理

闪锌矿结构CdS量子点的电子结构:紧束缚近似下一种新的计算方法(英文)

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南京大学学报（自然科学版） 2002年第1期38卷 42-47页

作者：黄宏彬蒋杰陈坤基冯端南京大学物理系南京210093

在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简洁 ,在K 空间进行计算 ,结果却与实空间复杂计算的结果一致 .紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验... 详细信息

在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简洁 ,在K 空间进行计算 ,结果却与实空间复杂计算的结果一致 .紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验结果相符合 .结果表明 ,紧束缚近似下K空间的计算方法是一种简单有效的方式。

关键词：量子点紧束缚近似 K-空间计算电子结构闪锌矿结构 CdS 硫化镉半导体

闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光学性质计算

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厦门大学学报（自然科学版） 1998年第2期37卷 300-302页

作者：何国敏王仁智郑永梅厦门大学物理学系

闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究，工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视．宽带... 详细信息

闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究，工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视．宽带隙半导体ＧａＮ和ＡｌＮ正是目前蓝紫...

关键词：闪锌矿结构氮化镓氮化铝光学性质 GaAlN合金

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闪锌矿结构YB的半金属性的第一性原理研究

材料导报 2017年第A1期31卷 145-148页

作者：王忠龙樊帅伟三峡大学理学院宜昌443002

采用广义梯度近似加优化的贝克-琼森势作为交换关联势进行第一性原理计算,研究闪锌矿结构YB化合物的电子结构和半金属性。结果表明闪锌矿结构YB是一个典型的半金属铁磁体,其半金属隙为2.7meV,体系的总磁矩为每分子2.00μB。体系的总磁... 详细信息

采用广义梯度近似加优化的贝克-琼森势作为交换关联势进行第一性原理计算,研究闪锌矿结构YB化合物的电子结构和半金属性。结果表明闪锌矿结构YB是一个典型的半金属铁磁体,其半金属隙为2.7meV,体系的总磁矩为每分子2.00μB。体系的总磁矩主要源于B原子的p轨道电子,B原子的p轨道电子和Y原子的d轨道电子杂化是形成半金属性质的主要原因。稳定的铁磁相、晶格常数压缩稳定性以及负的结合能,都预示着闪锌矿结构YB是具有潜在应用前景的半金属铁磁体。

关键词：闪锌矿结构电子结构半金属性磁性

闪锌矿结构CdSe和CdS纳米晶消光系数的研究

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闪锌矿结构CdSe和CdS纳米晶消光系数的研究

作者：张洁娴吉林大学

学位级别：硕士

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体是目前纳米尺寸范围的半导体量子点家族中研究时间最长、体系建立最完善的量子点之一。经过近二十年的研究,经历了以改善合成方法为主的基础研究到生长理论控制的深入探讨的发展历程。相对于其它Ⅱ-Ⅵ族半导体纳... 详细信息

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体是目前纳米尺寸范围的半导体量子点家族中研究时间最长、体系建立最完善的量子点之一。经过近二十年的研究,经历了以改善合成方法为主的基础研究到生长理论控制的深入探讨的发展历程。相对于其它Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体,CdS和CdSe纳米晶的合成条件简单,易于操作,因而被常用作模型体系研究纳米晶的一些基本物理化学性质。这里,我们主要针对这二个模型体系进行初步探讨。在实际应用和理论研究中,纳米晶体的浓度的精确确定都具有极其重要的意义。我们以朗伯-比尔定律为出发点,通过对量子点溶液吸光度的测试和进一步的换算得到闪锌矿结构的CdS、CdSe纳米晶体的第一激子吸收峰与尺寸的关系曲线以及尺寸与消光系数的关系曲线。最终,确定样品的吸光度后,通过尺寸和消光系数的曲线获得纳米晶的消光系数,进而可以得到待测量子点溶液的浓度。实验结果表明：制备闪锌矿结构和纤锌矿结构纳米晶的光系数有显著差异,为Cds、CdSe量子点的深入研究提供了数据支持,对纳米材料消光系数的研究提供了价值的参考。

关键词：半导体量子点闪锌矿结构消光系数

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闪锌矿结构半金属的第一性原理研究

闪锌矿结构半金属的第一性原理研究

作者：邢月燕山大学

学位级别：硕士

自旋电子学是最近新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,它同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的存储和处理。自旋电子学材料与普通半导体电子器件相比具有低损耗、非易失性和高集成度等优点。现在,关键问题是寻找高居里... 详细信息

自旋电子学是最近新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,它同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的存储和处理。自旋电子学材料与普通半导体电子器件相比具有低损耗、非易失性和高集成度等优点。现在,关键问题是寻找高居里温度、高自旋极化率的自旋电子学材料。半金属（half-metallic）铁磁体有着较高的居里温度和接近100%的高自旋极化率。因此,它无疑将会成为理想的半导体自旋电子注入源。本论文采用密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法进行计算,寻找半金属材料。首先,介绍稀磁半导体和半金属的研究现状,阐述了密度理论及所用软件包等基本内容。其次,计算自旋相关的闪锌矿（zinc-blende, ZB） ScM（M=C, Si, Ge, Sn）。通过对它们的态密度、能带和磁矩的分析。结果表明,闪锌矿ScM （M=C, Si, Ge, Sn）是磁矩为1.0μB的真实半金属铁磁体,且它们的结合能绝对值比ZB CrSb大,实验上可以合成这些化合物,在自旋电子学中具有一定的应用价值。再次,计算了基于闪锌矿结构的半导体CdSe中掺入过渡金属Cr所形成的三元化合物Cd1-xCrxSe （x=0.25, 0.5, 0.75）,通过对它们的电子结构和磁性质分析。计算表明,晶格原子位置驰豫前后它们仍是真实的半金属铁磁体,且每分子单元的磁矩都是4.0μB。这三种半金属铁磁体,在结构上能与传统的半导体兼容,能通过外延方式在合适的基底上生长出来,得到实际应用。最后,研究了闪锌矿TcM （M=C, Si, Ge）,通过对自旋极化的态密度、磁矩以及铁磁态的总能分析。理论预测TcM是真实稳定的半金属铁磁体,在半导体自旋电子学中一定的应用潜能。

关键词：半金属铁磁体第一性原理闪锌矿结构电子结构态密度

(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带的对应性

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物理学报 1991年第6期40卷 949-956页

作者：王仁智黄美纯厦门大学物理系厦门361005

基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合... 详细信息

基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合金在布里渊区Γ,M(X)和R(L)诸点主要能带本征态之间的对应关系,讨论了超晶格布里渊区能带折叠对本征态的影响。

关键词：合金超晶格闪锌矿结构虚晶能带