检索结果-南通市图书馆

机械工程材料 2023年第11期47卷 25-29,34页

作者：王力霞攀枝花学院钒钛学院攀枝花617000

以交联后的聚硅氧烷为前驱体,在不同温度(730~780℃)、外加电场强度(20~60 V·mm^(-1))和限流电流(0.5~2.0 A)下采用闪速烧结技术制备SiOC陶瓷,获得合适的工艺参数,并研究了陶瓷的微观结构、物理性能和热稳定性能。结果表明:成功制备SiO... 详细信息

以交联后的聚硅氧烷为前驱体,在不同温度(730~780℃)、外加电场强度(20~60 V·mm^(-1))和限流电流(0.5~2.0 A)下采用闪速烧结技术制备SiOC陶瓷,获得合适的工艺参数,并研究了陶瓷的微观结构、物理性能和热稳定性能。结果表明:成功制备SiOC陶瓷的温度范围为740~780℃,限流电流范围为1.0~2.0 A,外加电场强度范围为30~60 V·mm^(-1),试验温度比1400℃传统热解温度低660~620℃,热解时间大大缩短。随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加,陶瓷中SiC含量增加,SiO2含量减少,陶瓷产率和体积密度降低,线变化率和显气孔率增大;与1400℃传统热解SiOC陶瓷相比,闪速烧结SiOC陶瓷的热稳定性温度提高了约112℃,且随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加,热稳定性提高。

关键词： SiOC陶瓷外加电场闪速烧结低温热解聚硅氧烷

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