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闪速存储器
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电子测量技术 2005年 第2期28卷 82-83页
作者: 刘震 吴裕功 天津大学
文中重点分析SGF闪速存储器的单元结构,以及擦除、编程和读取等操作;并结合其它非易失性存储器对其性能加以说明。
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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
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物理学报 2005年 第12期54卷 5867-5871页
作者: 刘红侠 郑雪峰 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起,而在高电场下,陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电荷变化是引起闪速存储器失效... 详细信息
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热电应力下闪速存储器耐擦写次数预测方法
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半导体技术 2022年 第3期47卷 243-248页
作者: 刘江城 岳阳 黄姣英 高成 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院 北京100191 北京遥感设备研究所 北京100854
针对闪速存储器的擦写测试与失效分析的需要,探究了基于阿伦尼斯模型的加速试验方法用于闪速存储器的可行性,提出了一种热电应力下闪速存储器耐擦写次数的预测方法。利用Silvaco TCAD仿真软件建立闪速存储器存储单元模型,探究了阈值... 详细信息
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闪速存储器中的热载流子可靠性研究
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西安电子科技大学学报 2004年 第6期31卷 821-824页
作者: 郑雪峰 郝跃 刘红侠 李培咸 刘道广 韩晓亮 西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安710071
提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种件退... 详细信息
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闪速存储器的单管多位技术
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微电子学 2004年 第3期34卷 241-245页
作者: 李多力 欧文 中国科学院微电子中心 北京100029
 为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
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闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计
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半导体技术 2003年 第5期28卷 75-78页
作者: 张晶 曾宪云 广东工业大学自动化学院 广东广州510090
介绍了Atmel公司的新一代大容量快闪存储器AT29C040的使用方法,并以笔者开发的某测试仪为例,给出了实际应用的硬件电路及软件设计。
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闪速存储器在嵌入式系统中的应用研究
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机械与电子 2006年 第6期24卷 72-74页
作者: 吴昊 刘旭东 李廷军 宋里宏 海军航空工程学院 山东烟台264001
介绍了闪速存储器K9F1208UOM芯片的结构和功能;设计了嵌入式系统的数据存储部分,研究了K9F1208UOM的基本工作原理和接口技术,给出了硬件接口及软件编程实现。
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基于千兆以太网接口的高速固态存储器设计
基于千兆以太网接口的高速固态存储器设计
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作者: 张诚 西安电子科技大学
学位级别:硕士
在现代实时信号处理领域,高速数据采集已经成为信号处理系统中不可或缺的部分。而在雷达、通信、航空航天等领域,系统对数据存储设备的要求越来越高。高速数据采集系统要求存储设备容量大、存储速率高、稳定性好、能够适应复杂的工作环... 详细信息
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闪速存储器硬件接口和程序设计中的关键技术
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电子技术应用 2001年 第11期27卷 62-64页
作者: 胡永庆 田日才 哈尔滨工业大学通信技术研究所 312信箱150001
介绍了闪速存储器的使用方法,并给出了单片机与闪速存储器接口和程序设计中应注意的关键技术。
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闪速存储器在嵌入式系统中应用
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电子测量技术 2004年 第6期27卷 22-23页
作者: 许诺 席军强 北京理工大学
闪速存储器的性能日趋完善、应用广泛,闪速存储器应用于嵌入式系统中所遇到硬件接口与软件编程方面的问题,于本文提出了切实可行的解决方案,并以闪存 AT49F8192和单片机 MC68376为例给出硬件接口电路和用 C 语言编写的程序代码。
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