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摩托罗拉制作出微晶层芯片在闪存技术取得突破
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中国集成电路 2003年 第48期12卷 17-17页
摩托罗拉公司即将宣布,该公司已经制作了一款利用一层硅微晶保存数据的闪存,这一突破将帮助闪存制造业克服长久以来难以克服的技术障碍。
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Spansion开创闪存技术发展新里程
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电子与电脑 2006年 第1期6卷 103-103页
作者： 廖惠如
由AMD和富士通共同投资的闪存公司Spansion LLC,在2005 年12月顺利在纳斯达克上市,让公司的经营步入新里程。专为Flash 市场而诞生的Spansion,在成立之后,虽然面临众多竞争者的挑战, 但该公司一路走来仍能在Flash开发技术与产能上独领... 详细信息
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英特尔与美光创新NAND闪存技术
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办公自动化 2012年 第3期 37-37页
新闻焦点:★与英特尔及美光已有的20纳米制程64GbNAND设备相比,其全新20纳米制程128Gb多层单元(MLC)NAND设备在存储容量与性能方面均增升了一倍;★英特尔和美光宣布开始量产其20纳米制程64GbNAND闪存,继续凭借最先进的NAND制程工艺技术... 详细信息
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Numonyx发布41纳米32Gb闪存技术
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中国集成电路 2009年 第1期18卷 8-8页
由Intel和意法半导体合资的Numonyx近日公布了最新的32Gb（4GB）闪存技术。这款芯片采用了更小的41纳米制程，可以在同等面积下将闪存容量提升一倍，也就是说MMC大小的存储面积上就可以存32GB的数据，而microSDHC目前最大为8GB。
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Spansion推出第二代MirrorBit闪存技术
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电子产品与技术 2004年 第7期 16-16页
Spansion公司2004年6月15日在京宣布，推出专为无线平台而优化的新技术，它将帮助扩展下一代移动电话的功能并加速其应用。第二代MirrorBit技术将以极具优势的成本对高分辨率摄像头、视频、时兴游戏及其他应用提供支持。Spansion公司相... 详细信息
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英特尔联合美光科技开发1TB闪存技术
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集成电路应用 2015年 第6期32卷 33-33页
作者： EDNC
英特尔将联合美光科技公司开发适用于智能手机、平板电脑和高端笔记本电脑的闪存技术。新的技术将利用笔记本内存条一半大小的体积提供1TB的存储空间。
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甲骨文 新一代Exadata X4采用LSI最新闪存技术——Exadata采用最新LSI Nytro DLC技术 可经济高效地扩展闪存容量 从而最大限度地提高系统性能及价值
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计算机与网络 2014年 第2期 17-17页
作者： 陈洁
LSI公司近日宣布LSINytro闪存加速卡已被甲骨文选作PCIe闪存加速技术,用于其新一代数据库一体机Exadata X4系统中。此外,LSI与甲骨文通力协作,为Exadata客户带了一款最新LSI Nytro技术--Dynamic Logical Capacity(DLC)。甲骨文充分利用N... 详细信息
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Intel选用LSI PCIe闪存技术——加速数据库和大数据应用
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微型机与应用 2013年 第8期32卷 3-3页
LSI公司近日宣布LSI Nytro^TM MegaRAID 技术将成为Intel RAID产品系列的一部分，这意味着LSI与OEM厂商Intel公司的合作进一步加强。客户正不断寻求新的方法，希望能够在加速存储性能的同时，对已有硬盘和直连存储（DAS）基础设施的投... 详细信息
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LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND闪存技术的SSD
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电脑与电信 2012年 第6期 21-21页
北京2012年6月5日电／美通社亚洲／--在2012台北国际电脑展上，LSI公司（纽约证交所股票代码：LSI）宣布演示其备受赞誉的存储处理器（FSP），该产品采用Toshiba19nm以及Intel20nmNAND闪存-目前SSD应用中所使用的最先进闪存技术。这些... 详细信息
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ilicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证
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电子制作 2015年 第8X期23卷 6-页
SST Super Flash?技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx结合,实现低功耗、低成本、高可靠性、优异数据保存性能和高耐用性兼具的卓越客户解决方案通过硅验证的优化闪存IP模块广泛适用于各种应用智能卡、NFC、Io T。
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