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  • 1 篇 半导体缺陷计算
  • 1 篇 非平衡掺杂
  • 1 篇 镜像电荷修正
  • 1 篇 低维半导体缺陷物...

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中国科学院大学

作者

  • 1 篇 蔡雪芬
  • 1 篇 张陈
  • 1 篇 李晨慧
  • 1 篇 张才鑫
  • 1 篇 袁嘉怡
  • 1 篇 邓惠雄

语言

  • 1 篇 中文
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半导体缺陷的电子结构计算方法研究进展
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物理学报 2024年 第6期73卷 34-47页
作者： 李晨慧 张陈 蔡雪芬 张才鑫 袁嘉怡 邓惠雄 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电工程中心 北京100049
半导体材料的掺杂与缺陷调控是实现其应用的重要前提.基于密度泛函理论的第一性原理缺陷计算为半导体的掺杂与缺陷调控提供了重要的理论指导.本文介绍了第一性原理半导体缺陷计算的基本理论方法的相关发展.首先,介绍半导体缺陷计算的基... 详细信息
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