检索结果-南通市图书馆

无机材料学报 2023年第2期38卷 163-169页

作者：华思恒杨东旺唐昊袁雄展若雨徐卓明吕嘉南肖娅妮鄢永高唐新峰武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070

Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电... 详细信息

Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。

关键词： Bi_(2)Te_(3) 界面结合强度界面接触电阻镍阻挡层微型热电器件

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

钛合金的银脆、镉脆敏感性及其控制

引用

材料工程 1998年第8期26卷 20-23,27页

作者：刘道新马宗耀何家文黄淑菊西北工业大学西安交通大学

利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感... 详细信息

利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感性的影响，探讨了Ｎｉ阻挡层对控制Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金和ＴＣ１１合金银脆开裂的作用。

关键词：钛合金银脆镉脆镍阻挡层慢速率拉伸

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

窄节距微凸点制备及可靠性研究

窄节距微凸点制备及可靠性研究

引用

作者：王冬凡上海交通大学

学位级别：硕士

在三维封装中,作为核心技术的铜柱凸点,具有优良的电学和机械性能,在防止短路的同时能够实现高精度的互连。现阶段,铜柱凸点尺寸缩小至几微米级别,焊料体积变得极其有限,很容易被金属间化合物(IMC)和孔洞的生长而消耗完,可靠性变得岌岌... 详细信息

在三维封装中,作为核心技术的铜柱凸点,具有优良的电学和机械性能,在防止短路的同时能够实现高精度的互连。现阶段,铜柱凸点尺寸缩小至几微米级别,焊料体积变得极其有限,很容易被金属间化合物(IMC)和孔洞的生长而消耗完,可靠性变得岌岌可危。本文采用分步电沉积法制备了Ф6-20μm直径微凸点,研究了凸点在回流、时效条件后界面处IMC和孔洞长大状况,及时效过程中IMC的剪切强度变化,讨论了尺寸、侧壁润湿反应、Ni层厚度和Ag对界面扩散反应的影响。全文主要结论如下:CuSO镀液中最佳的加速剂与整平剂比确定为5:7。对于四种直径(6、8、9和11μm)的Sn-3.5Ag/Ni/Cu凸点,直径从11μm降低至6μm时,回流过程中界面IMC的生长速率从0.45增加到0.58μm/min。IMC由NiSn和(Cu,Ni)Sn上下两层构成,Ni的扩散导致了两层IMC交界处孔洞的产生。由于侧壁润湿反应的发生,铜柱两侧形成了(Cu,Ni)Sn及孔洞。随着凸点直径不断减小,侧壁扩散加剧,界面IMC生长加快,两侧IMC长度/直径比值不断增大。Ni层的存在可以有效抑制Ф6μm Sn/Ni/Cu凸点中IMC的生长,且厚Ni层的抑制效果要优于薄Ni层。时效100h过程中,Sn/Cu凸点IMC为CuSn和CuSn;Sn/0.4μm Ni/Cu凸点先生成(Cu,Ni)Sn,减慢了IMC的生长,Ni层消耗完之后,再生成CuSn和CuSn;Sn/1.12μm Ni/Cu凸点初期IMC为NiSn和NiSn,后变为(Cu,Ni)Sn和NiSn,其反应常数为1.71×10 m/s。AgSn的存在抑制了Ф20μm Sn-3.5Ag/Cu凸点时效环境下IMC的生长,且影响了CuSn的剪切强度。Sn/Cu凸点IMC生长系数为2.55×10 m/s;Sn-3.5Ag/Cu凸点中AgSn晶粒抑制了Cu的晶界扩散,IMC反应系数为1.19×101717 m/s。随时效时间不断延长,断裂面形貌由韧性转变成脆性。Sn/Cu凸点中CuSn剪切强度先上升后稳定,CuSn强度不断上升;对Sn-3.5Ag/Cu而言,受AgSn的钉扎作用和CuSn长大共同影响,CuSn强度先下降后上升,而不受影响的CuSn强度不断上升。

关键词：微凸点金属间化合物孔洞镍阻挡层剪切强度

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

薄Ni层对Sn/Cu体系界面反应影响研究

薄Ni层对Sn/Cu体系界面反应影响研究

引用

作者：陈凯上海交通大学

学位级别：硕士

现阶段,集成电路的特征尺寸已经迈入7 nm技术节点,摩尔定律逼近物理极限,对先进封装的要求进一步提高。作为先进封装具备代表性的铜柱凸点互连技术,具备优良的电气和机械性能,应用十分广泛。铜柱凸点的微型化导致界面反应加快,Kirkendal... 详细信息

现阶段,集成电路的特征尺寸已经迈入7 nm技术节点,摩尔定律逼近物理极限,对先进封装的要求进一步提高。作为先进封装具备代表性的铜柱凸点互连技术,具备优良的电气和机械性能,应用十分广泛。铜柱凸点的微型化导致界面反应加快,Kirkendall孔洞数量同时急剧增多,严重影响互连结构的可靠性。当今时代,3-D封装所用铜柱凸点直径缩小到5μm。该尺度上,由于焊料体积有限,金属间化合物(IMC)生长速率加快,焊料易被全部IMC化,进一步时效或回流,CuSn分解形成多孔CuSn成为键合失效的新机制。本论文从多孔CuSn形成的根源出发,采用薄Ni阻挡层,避免厚Ni层对焊料的过度消耗,同时利用铜镍锡三元合金的阻挡Cu原子扩散作用,降低焊料层全部IMC化速度。本论文通过分布电镀法制备不同薄Ni层厚度的Cu/(Ni)/Sn样品,主要研究了Sn焊料层完全IMC化前以及IMC化后,不同薄Ni层厚度对Cu/Sn界面反应的影响,包括IMC形貌变化,孔洞生长规律以及IMC生长动力学分析与机理探究,最后针对Cu/(Ni)/Sn凸点结构研究了IMC和Kirkendall孔洞的生长情况以及验证了薄Ni层对Cu/(Ni)/Sn凸点结构界面反应的抑制作用。焊料Sn层完全IMC前,薄Ni层最先与Sn反应生成NiSn,于富铜环境转化为铜镍锡三元合金,有效降低了IMC的生长速率。Cu/Sn平面结构IMC生长最快,扩散系数为5.610×10 m/s,其次是Cu/100nm Ni/Sn平面结构,扩散系数为4.139×10 m/s,Cu/300 nm Ni/Sn平面结构为2.494×10 m/s,Cu/700 nm Ni/Sn平面结构IMC生长最慢,扩散系数为0.396×10 m/s,约为Cu/Sn平面结构扩散系数的1/10。柯肯达尔孔洞主要集中分布于(Cu,Ni)Sn/Cu界面及(Cu,Ni)Sn层内,并且随着Ni层厚度不断增加,相同的时效时间,Kirkendall孔洞数量逐渐减少,当Ni层厚度超过700 nm,Kirkendall孔洞消失。焊料Sn层完全IMC化后,IMC形貌发生很大变化,含Ni阻挡层样品中,表面IMC失去反应初期的晶粒特征,溶解连接成一体,同时,Sn层耗尽后,Ni层失去阻挡层作用,(Cu,Ni)Sn生长加快,界面Kirkendall孔洞数量增多。分析认为是Ni元素细化了(Cu,Ni)Sn的晶粒尺寸,晶界数量增多,有利于Cu原子沿(Cu,Ni)Sn的晶界扩散,(Cu,Ni)Sn生长速度反而提升。(Cu,Ni)Sn生长的同时抑制了Cu原子扩散,进而促进了(Cu,Ni)Sn自身分解趋势的增加,释放Sn原子的速度更快。Sn原子受到极高浓度差的驱使被迅速拉离,于(Cu,Ni)Sn内部生成大量孔洞。Cu/(Ni)/Sn凸点结构中,100 nm的薄Ni层明显的抑制了IMC的生长,IMC为(Cu,Ni)Sn,时效4 h后,(Cu,Ni)Sn的厚度约为Cu/Sn凸点结构IMC厚度的1/2,(Cu,Ni)Sn/Cu界面产生少量Kirkendall孔洞。Ni层很快消耗完,失去阻挡层效果。700 nm Ni层的阻挡作用明显,IMC为(Ni,Cu)Sn,无CuSn的生成,且没有观察到Kirkendall孔洞。凸点直径为5μm及以下时,Cu和Sn原子表面扩散方式所占的比例越来越大,扩散系数的计算需要考虑表面扩散。

关键词：金属间化合物柯肯达尔孔洞镍阻挡层铜柱凸点电镀

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

引线框架合金表面电镀锡工艺及锡须生长机理研究

引线框架合金表面电镀锡工艺及锡须生长机理研究

引用

作者：王谊清上海交通大学

学位级别：硕士

本文主要采用电镀方法在C194合金和FeNi42引线框架合金基体上沉积了光亮锡和亚光锡镀层,并且采用电镀平镍和镍纳米针薄膜两种镍镀层作为锡镀层和基体之间的阻挡层的方法来抑制锡须生长。对不同镀层样品在湿热环境下的锡须生长情况和锡... 详细信息

本文主要采用电镀方法在C194合金和FeNi42引线框架合金基体上沉积了光亮锡和亚光锡镀层,并且采用电镀平镍和镍纳米针薄膜两种镍镀层作为锡镀层和基体之间的阻挡层的方法来抑制锡须生长。对不同镀层样品在湿热环境下的锡须生长情况和锡须生长机理进行了系统研究。实验结果表明亚光镀锡电流密度可控制在10A/dm,光亮镀锡的电流密度可控制在1A/dm。C194合金作为基体的锡镀层表面生长的锡须数量少,直径和长度较大,FeNi42合金生长的锡须数量多,长度和直径较小;光亮锡镀层比亚光锡镀层更易生长锡须;对于亚光锡镀层,镀层越厚越不容易生长锡须,而光亮锡镀层厚度对锡须生长影响不大;退火热处理可使锡须数量减少;镀层表面机械损伤或表面腐蚀区会诱导锡须生长。两种镍阻挡层对于锡须生长起到了有效的抑制作用,湿热环境下经过8000 h测试未观察到锡须。本文从金属间化合物、镀锡层种类、镀层厚度、退火等方面研究了锡须生长机理,认为锡须生长的机理是:锡原子会沿着化学势降低的方向不断迁移,锡镀层当从外界吸收能量时会加速这种迁移,如果锡原子受的阻碍没能完全阻止这种迁移,则锡须会生长。本文最后提出了一些抑制锡须的方法。

关键词：引线框架合金亚光镀锡光亮镀锡镍阻挡层锡须

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

直流和脉冲电镀镍层的形貌和结构比较研究

直流和脉冲电镀镍层的形貌和结构比较研究

引用

2007年上海市电子电镀学术年会

作者：陈敏娜丁士进张卫汪礼康复旦大学微电子研究院复旦大学微电子研究院复旦大学微电子研究院复旦大学微电子研究院

本文研究了电流密度对直流和脉冲电镀镍层的影响,通过电子扫描显微镜（SEM）和 X 射线衍射（XRD）测试方法分析了镍层表面形貌、结构系数、晶粒尺寸及晶面间距等特性,并进一步讨论了由此而引起的镍层扩散阻挡性能的变化。结果表明,相比... 详细信息

本文研究了电流密度对直流和脉冲电镀镍层的影响,通过电子扫描显微镜（SEM）和 X 射线衍射（XRD）测试方法分析了镍层表面形貌、结构系数、晶粒尺寸及晶面间距等特性,并进一步讨论了由此而引起的镍层扩散阻挡性能的变化。结果表明,相比直流电镀,脉冲电镀得到的镍镀层表面颗粒大小均匀,排列一致,且可适用的镀镍电流密度范围增大;脉冲镀镍层具有更优异的晶面择优取向和更强的扩散阻挡性能。

关键词：脉冲电镀镍阻挡层结构系数

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

倒装芯片互连时SnAg/95Pb5Sn焊料间的互扩散行为及Ni阻挡层的作用

引用

功能材料与器件学报 1999年第4期5卷 288-294页

作者：肖克罗乐中国科学院上海冶金研究所上海200050

本文研究了共晶ＳｎＡｇ／９５ＰｂＳｎ扩散偶在２５０ ℃下的扩散行为。发现由于９５Ｐｂ５Ｓｎ中的Ｐｂ向熔融共晶ＳｎＡｇ焊料中扩散而部分生成三元共晶Ｐｂ－Ｓｎ－Ａｇ相，其熔点约为１７８℃。化学镀Ｎｉ层可以有效地阻... 详细信息

本文研究了共晶ＳｎＡｇ／９５ＰｂＳｎ扩散偶在２５０ ℃下的扩散行为。发现由于９５Ｐｂ５Ｓｎ中的Ｐｂ向熔融共晶ＳｎＡｇ焊料中扩散而部分生成三元共晶Ｐｂ－Ｓｎ－Ａｇ相，其熔点约为１７８℃。化学镀Ｎｉ层可以有效地阻止共晶ＳｎＡｇ和９５Ｐｂ５Ｓｎ间的互扩散，防止Ｐｂ－Ｓｎ－Ａｇ共晶相的生成，从而提高焊点的耐热温度。文中还研究了与共晶ＳｎＡｇ／Ｎｉ／９５Ｐｂ５Ｓｎ结构相关的相变及力学性能。

关键词：倒装焊点互扩散焊料镍阻挡层钎焊

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：