检索结果-南通市图书馆

人工晶体学报 2011年第4期40卷 862-866页

作者：王亚芳张昊吴星艳吴正龙中国地质大学(北京)矿物材料开放应用国家专业实验室北京100083 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院北京100083 北京师范大学分析测试中心北京100875

本文分别测量了四种稀土离子(Eu3+、Pr3+、Nd3+、Er3+)掺杂BGO晶体的荧光光谱,并对晶体的发光机制进行了分析。结果表明,掺杂稀土元素的离子半径是影响BGO晶体发光效率的重要因素之一。

关键词：锗酸铋晶体荧光光谱稀土掺杂

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锗酸铋晶体光学电压传感器性能研究

华中理工大学学报 1999年第10期27卷 42-44页

作者：罗苏南叶妙元朱勇徐雁华中理工大学电力工程系

从光学电压传感器的原理、构成及环境温度等方面分析了利用锗酸铋电光效应的光学电压传感器的灵敏度及精确度，讨论了光学元件方位角偏差对光学电压传感器性能的影响，得出一些有用的解析表达式，提出了改进光学电压传感器性能的方法．

关键词：光学电压传感器灵敏度精确度锗酸铋晶体

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H^＋注入锗酸铋晶体表面层的性质

光学学报 1994年第2期14卷 203-207页

作者：冯锡淇邵天浩中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海治金研究所

Ｈ＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解．经Ｈ＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起．此外，实验中也未观察到Ｈ＋... 详细信息

Ｈ＋注入锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２或ＢＧＯ）晶体引起某些效应，如辐射损伤，光学吸收和近表层区域的晶体分解．经Ｈ＋注入后，ＢＧＯ晶体的颜色变成棕色，但实验中证实不了该变化是由色心的产生所引起．此外，实验中也未观察到Ｈ＋注入ＢＧＯ晶体中有离子束诱发的光学活性变化．可见在注入过程中，未发生从Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２转变到Ｂｉ１２ＧｅＯ２０的结构相变，由此预见，注入过程中可能发生离子束引起的晶体分解．Ｈ＋注入也在晶体表层形成平面波导层，波导层的折射率有微小提高（蓝光０．０７％）．该效应也有可能由于Ｈ＋注入诱发的晶体分解所导致．

关键词：质子注入锗酸铋晶体光学效应

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利用锗酸铋晶体的电光补偿型光学应力传感器

光学学报 2014年第4期34卷 259-263页

作者：李长胜袁媛北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院光电工程系北京100191

利用锗酸铋(BGO)晶体的弹光双折射与电光双折射可以相互补偿的特性,设计并研究了一种新型光学应力传感器。折射率椭球分析结果表明,在垂直于BGO晶体的(111)晶面方向上同时施加应力和电场,晶体的弹光双折射能够被电光双折射所补偿,因而... 详细信息

利用锗酸铋(BGO)晶体的弹光双折射与电光双折射可以相互补偿的特性,设计并研究了一种新型光学应力传感器。折射率椭球分析结果表明,在垂直于BGO晶体的(111)晶面方向上同时施加应力和电场,晶体的弹光双折射能够被电光双折射所补偿,因而可以实现应力的闭环光学测量。光学传感单元主要包括两个棱镜偏振器和一块平行四边形的BGO晶体,该晶体自身能够通过对光波的两次全反射产生0.5π的光学相位偏置,因而不需要附加四分之一波片。实验测量了30kPa以内的压缩应力,被测压缩应力与补偿电压之间具有较好的线性关系,且每1kPa压缩应力所需要的补偿电压约为4.26V。

关键词：光学应力传感器弹光效应电光效应双折射锗酸铋晶体

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锗酸铋晶体二波耦合效应的研究

光子学报 1994年第3期23卷 246-250页

作者：高元凯李铭华金婵徐玉恒刘景和杨奎盛哈尔滨工业大学控制工程系长春光学精密机械学院材料工程系

本文叙述了锗酸铋晶体的生长。采用二波耦合光路测试ＢＧＯ晶体的衍射效率和增益系数，研究ＢＧＯ晶体的二波耦合中光波的位相变化。

关键词：锗酸铋晶体二波耦合衍射增益

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锗酸铋晶体的腐蚀形貌

人工晶体学报 1993年第4期22卷 353-356页

作者：廖晶莹中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。通过这些研... 详细信息

研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。通过这些研究将有利于了解 BGO 的结晶习性,利用腐蚀形貌特征可方便地进行晶体定向和确定极轴的方向。

关键词：腐蚀腐蚀形貌锗酸铋晶体

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掺铜锗酸铋晶体的生长及其光折变性能的研究

压电与声光 1994年第3期16卷 31-34页

作者：刘彩霞赵桦陈再来哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨工业大学应用物理系

本文叙述了掺铜锗酸铋晶体的生长；测试晶体的指数增益系数、衍射效率、相位共轭反射率和响应时间。掺铜锗酸铋晶体的光折变性能比纯锗酸铋提高２～３倍。

关键词：锗酸铋晶体晶体生长光折变性能

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提拉法生长锗酸铋晶体的结晶习性

人工晶体学报 1992年第4期21卷 329-336页

作者：廖晶莹 R.C.deBoor P.Bennema 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 RIM Laboratory of Solid State Chemistry University of Nijmegen The Netherlands

介绍了提拉法生长锗酸铋单晶(Bi_4 Ge_3 O_(12),简称 BGO)在不同生长条件下的结晶形貌。根据 Gibss-Wulf 晶体生长最小表面能原理,利用 Hartman 对晶体外部结构分析的 PBC 理论和Bennema 等人提出的形态重要性理论,得到的 BGO 晶体 F ... 详细信息

介绍了提拉法生长锗酸铋单晶(Bi_4 Ge_3 O_(12),简称 BGO)在不同生长条件下的结晶形貌。根据 Gibss-Wulf 晶体生长最小表面能原理,利用 Hartman 对晶体外部结构分析的 PBC 理论和Bennema 等人提出的形态重要性理论,得到的 BGO 晶体 F 晶面的形态重要性顺序,在已知晶体生长取向的情况下,我们就能够推测 BGO 晶体在扩大面上出现的棱和柱体上可能出现的晶面。这种推测晶体形貌的模型与实验结果很好一致。

关键词：锗酸铋晶体结晶熔盐法