检索结果-南通市图书馆

半导体情报 1999年第1期36卷 17-21页

作者：孙自敏董志伟清华大学微电子所

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。

关键词： SiGe器件 HBT 异质结晶体管锗化硅

Si／Si0.64Ge0.36／Si MOSFET沟道技术

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电子材料快报 1999年第9期 17-18页

作者：苏宇欢

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半导体材料竞争无线应用领域

电子产品世界 2001年第10期8卷 54-56页

SiGe／Si应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究

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光散射学报 1995年第2期7卷 113-114页

作者：刘晓晗黄大鸣蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ／ＳｉＬａｙｅｒＳｕｐｅｒｌａｔｔ...

关键词： SiGe/Si 应变层超晶格异质界面热稳定性光散射半导体硅衬底锗化硅散射光谱

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SiGe新技术与器件

世界电子元器件 2001年第10期 34-35页

作者：陈培毅清华大学微电子学研究所

一前言以CMOS结构为核心的集成电路技术,近二十年来按照摩尔定律发展,即缩小器件的特征尺寸,提高器件的性能,增大集成电路芯片的规模.目前工业硅集成电路的特征尺寸已达到100nm范围.进一步缩小尺寸,面临加工精度的限制,特征尺寸缩小带... 详细信息

一前言以CMOS结构为核心的集成电路技术,近二十年来按照摩尔定律发展,即缩小器件的特征尺寸,提高器件的性能,增大集成电路芯片的规模.目前工业硅集成电路的特征尺寸已达到100nm范围.进一步缩小尺寸,面临加工精度的限制,特征尺寸缩小带来的寄生效应(短沟效应、热电子效应等)的限制以及物理极限的限制.当特征尺寸达到100nm以下,这一尺寸已小于电子运动的相干长度,此时在单个器件中,电子的运动将遵从量子力学的原理.硅集成技术的发展已接近其物理极限,因此深入研究在纳米尺度下的各种量子力学效应和新的器件原理,开发新一代纳米量子器件,并以此构筑新的单元电路是信息科学持续高速发展的前提.

关键词：锗化硅集成电路半导体器件

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攻克现今测试仪器的硅壁垒

今日电子 2000年第11期 28-29页

作者： Marc Brenner Tektronix公司

各公司相互利用对方的经验。

关键词：测试仪器硅锗化硅双极硅

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半导体材料的发展及现状

新材料产业 2001年第5期 23-25页

作者：周立军

1 引言半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外... 详细信息

1 引言半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外CCD器件用硅单晶等。但在超高速集成电路和光电子领域,化合物半导体材料显示出了它不可替代的优势。 GaAs和InP基材料在10年前就应用到器件中了,成为化合物半导体基器件的主要支柱材料。随着微电子技术向高密度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起。

关键词：半导体材料硅砷化镓性能碳化硅纳米材料锗化硅制备技术

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先进的通信器件需求驱动化合物半导体市场

现代材料动态 2003年第2期 3-5页

作者：邓志杰

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

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Journal of Semiconductors 2000年第11期21卷 1050-1054页

作者：林燕霞黄大定张秀兰刘金平李建平高飞孙殿照曾一平孔梅影中科院半导体所北京 1 0 0 0 83

Si/SiGe/Si n\|p\|n HBT structural materials have been grown by gas source molecular beam epitaxy with disilane, solid Ge, diborane and phosphine as sources. The materials are of good structural properties. The effectiveness of Electrochemical Capacitance\|Voltage (ECV) technique on profiling the shallow doped layers of nanometer dimensions has been demonstrated. Compared with spreading resistance probe, the ECV technique is relatively easy to get the carrier distribution profile, especially for the Si/SiGe/Si HBT structural materials with shallow (≤50nm) base regions (p\|type SiGe layer, Ge content about 0.2). The results show that n\|p\|n structures can be obtained by in situ doping.

关键词： GSMBE ECV 锗化硅结构材料 HBJ

用MBE法在Si异质结上生长Si1—xGex

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电子材料快报 1998年第7期 15-16页

作者：苏宇吹