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硅掺杂PMS-PZT材料的晶界行为对畴结构和压电性能的影响

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无机材料学报 2005年第3期20卷 641-646页

作者：朱志刚李宝山李国荣郑嘹赢殷庆瑞中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形... 详细信息

运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO2和PbSiO3,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO2的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨.

关键词：锑锰锆钛酸铅 TEM 压电电畴

烧结温度对PMS-PZT系陶瓷显微结构和压电性能的研究

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无机材料学报 2005年第4期20卷 1000-1006页

作者：朱志刚李宝山李国荣张望重殷庆瑞中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海200050

研究了不同烧结温度对Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PMS-PZT)系压电陶瓷显微结构和压电性能的影响.实验结果表明:在1240℃、2h条件下烧结,能获得最优的综合性能:εr=1530、d33=374、Kp=0.6、tanδ=0.41%、Qm=1250,可以满足压电变压器和超声马达等大功率场合下的使用要求.与此同时,当烧结温度为1100-1150℃时,材料仍然具有良好的压电性能:εr=1370、daa=348、Kp=0.57、tanδ=0.62%、Qm=1620(1150℃),因此可以作为中低温烧结的多层器件用厚膜材料.高温显微镜、SEM、TEM和EDS等研究表明,PMS-PZT系陶瓷具有很宽的烧结温度区域,特别是中低温烧结时仍能成瓷并具有高的压电性能,主要是因为PbO和Sb2O5在较低烧结温度下(1100℃)能够形成过渡液相促进陶瓷烧结,随着烧结温度的升高,它们能够重新进入晶格形成单一钙钛矿结构.

关键词：锑锰锆钛酸铅压电烧结温度液相

SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响

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压电与声光 2008年第2期30卷 224-227页

作者：何杰孙清池天津大学材料科学与工程学院天津300072

探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相... 详细信息

探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。

关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅 SiO2 低温烧结

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烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

稀有金属材料与工程 2008年第A1期37卷 195-198页

作者：何杰孙清池刘培祥李红元天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津300072

探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结... 详细信息

探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。

关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅 SiO2 低温烧结

不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响

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陕西科技大学学报（自然科学版） 2009年第4期27卷 38-42页

作者：祝兰陈亚君常鹏暨南大学物理系广东广州510632

采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100... 详细信息

采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453．

关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能

先驱体法制备Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTicO_3压电陶瓷的压电和介电性能

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电子元件与材料 2004年第2期23卷 13-15页

作者：郭向华吴裕功吴霞宛天津大学电子信息工程学院天津300072

采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电... 详细信息

采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:r为1791,tg为0.0035,d33为454?0-12C種-1,kp为0.61。

关键词：先驱体法锑锰锆钛酸铅压电陶瓷锶取代压电性能介电性能

烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响

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暨南大学学报（自然科学与医学版） 2009年第5期30卷 518-522页

作者：祝兰刘彭义陈亚君常鹏暨南大学物理系广东广州510632

采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0 详细信息

采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0

关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅压电性能

PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响

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电子元件与材料 2014年第9期33卷 14-17页

作者：黄小琴刘其斌张诚贵州大学材料与冶金学院贵州贵阳550025 凯里学院化学与材料工程学院贵州凯里556011

采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1 230℃烧结具有最大体积密度7.83 g/cm3。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,kp=0.592,εr=1 587,tanδ=0.46%。

关键词：锑锰锆钛酸铅压电陶瓷压电性能介电性能掺杂准同型相界

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PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究

PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究

作者：祝兰暨南大学

学位级别：硕士

近年来,电子设备不断趋向小型化、微型化,对电子元器件提出了高效能、小型化、集成化的要求。电源是这些电子设备中的一个重要部件,目前所用变压器多为体积较大的电磁式变压器。因此,发展新一代电源变压器成为当前国际上的一个研究热点... 详细信息

近年来,电子设备不断趋向小型化、微型化,对电子元器件提出了高效能、小型化、集成化的要求。电源是这些电子设备中的一个重要部件,目前所用变压器多为体积较大的电磁式变压器。因此,发展新一代电源变压器成为当前国际上的一个研究热点和发展趋势,多层压电变压器应运而生。而研制多层片式压电陶瓷变压器的主要技术难点是获得低温烧结的高性能压电陶瓷。为了获得低温烧结的优质压电陶瓷材料,本文研究了烧结温度对PMS-PZT压电陶瓷的相结构和机电性能的影响;采用CuO-Bi2O3-Li2CO3助烧剂实现PMS-PZT低温烧结;利用NiO和CoNb2O6对PMS-PZT陶瓷的烧结温度、显微结构、机电性能进行改性。采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1／3Sb2／3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0

关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅介电损耗机械品质因数低温烧结