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液氮冲击中锑化铟焦平面探测器形变研究

物理学报 2014年第15期63卷 308-313页

作者：张晓玲孟庆端张立文耿东峰吕衍秋河南科技大学信息工程学院洛阳471023 河南科技大学电气工程学院洛阳471023 中国空空导弹研究院洛阳471009

液氮冲击中锑化铟红外焦平面探测器(InSb IRFPAs)的形变研究对理解探测器结构设计可靠性、预测探测器耐冲击寿命具有重要意义.在系统分析液氮冲击结束时模拟得到的InSb IRFPAs形变分布与方向的基础上,提出了降温过程中累积热应变完全弛... 详细信息

液氮冲击中锑化铟红外焦平面探测器(InSb IRFPAs)的形变研究对理解探测器结构设计可靠性、预测探测器耐冲击寿命具有重要意义.在系统分析液氮冲击结束时模拟得到的InSb IRFPAs形变分布与方向的基础上,提出了降温过程中累积热应变完全弛豫的设想,升至室温后的模拟结果重现了室温下拍摄的InSb IRFPAs典型形变分布特征.经分析认为室温下拍摄的InSb IRFPAs表面屈曲变形源于底充胶固化中引入的残余应力应变,变形幅度随降温过程逐步减弱,至77 K时完全消失,升温过程则依据弹性变形规律复现典型棋盘格屈曲模式.这为后续InSb IRFPAs结构设计、优化及耐冲击寿命预测提供了理论分析基础.

关键词：焦平面锑化铟结构应力

基于锑化铟的可调超材料太赫兹带阻滤波器（英文）

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红外与毫米波学报 2017年第3期36卷 261-265,275页

作者：白育堃魏仁霄马秀荣马颖天津理工大学电气电子工程学院天津300384 天津大学激光与光电子研究所天津300072

提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进行温度调节.同时,通过有限积分法和等效LMC电路模型分析了滤波器的几何参数对其谐振频率的影响,这两种方... 详细信息

提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进行温度调节.同时,通过有限积分法和等效LMC电路模型分析了滤波器的几何参数对其谐振频率的影响,这两种方法得到的结果具有良好的一致性.在温度的取值范围是220~350K时,滤波器的谐振频率能够从0.91 THz动态调节到1.28 THz,并且其阻带谐振频率的透射系数能够有限地被抑制.该滤波器的传输特性在30°入射角范围内具有良好的稳定性.设计的可调超材料带阻滤波器将在太赫兹无线通信、传感等方面有潜在的应用前景.

关键词：带阻滤波器超材料锑化铟太赫兹

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基于锑化铟亚波长阵列结构的太赫兹聚焦器件

物理学报 2016年第1期65卷 56-62页

作者：谷文浩常胜江范飞张选洲南开大学现代光学研究所天津300071

基于锑化铟材料在太赫兹波段的横向磁光效应,提出了一种金属-空气-锑化铟-金属非对称周期性亚波长线栅阵列结构的表面等离子体器件,研究了外加磁场和温度对不同频率透射波聚焦特性的影响.结果表明,在外加磁场强度B=0.6 T、温度T=172 K时... 详细信息

基于锑化铟材料在太赫兹波段的横向磁光效应,提出了一种金属-空气-锑化铟-金属非对称周期性亚波长线栅阵列结构的表面等离子体器件,研究了外加磁场和温度对不同频率透射波聚焦特性的影响.结果表明,在外加磁场强度B=0.6 T、温度T=172 K时,可实现0.8 THz透射光束的聚焦,焦点处能流密度透过率比没有外加磁场时增强28倍.对于不同频率入射波,通过主动调节磁场强度和温度,能实现从0.4—0.8 THz宽频带的聚焦,而且焦点处的透过率相比于无外加磁场时的普通狭缝聚焦透过率增强20倍以上,该器件是太赫兹波段理想的可调谐、宽频段、高透过率的聚焦器件.

关键词：太赫兹锑化铟磁表面等离子体聚焦

连续波氧碘激光对光伏型锑化铟探测器的破坏阈值

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强激光与粒子束 1998年第2期10卷 221-224页

作者：陈金宝陆启生钟海荣蒋志平刘泽金国防科技大学应用物理系

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，... 详细信息

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，对实验结果进行了分析。

关键词：连续波氧碘激光破坏阈值红外探测器锑化铟

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256元锑化铟光伏焦平面探测器

激光与红外 1997年第2期27卷 106-108页

作者：赵建忠华北光电技术研究所北京100015

本文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些... 详细信息

本文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况，并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求，另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些应用情况。

关键词：锑化铟光伏焦平面红外探测器

基于锑化铟太赫兹超材料可调谐的电磁感应透明

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激光与光电子学进展 2021年第5期58卷 317-322页

作者：李洪阳黄巍张玉婷银珊张文涛杜浩桂林电子科技大学电子工程与自动化学院广西桂林541004 广西光电信息处理重点实验室广西桂林541004

提出了由一个竖直的锑化铟(InSb)棒和两个水平的InSb棒组成的F型电磁感应透明结构。利用时域有限积分法计算了该结构的电磁特性,计算后得知,竖直InSb棒为电磁感应透明中的明模,两个水平InSb棒为暗模。本文通过改变两个水平InSb棒的距离... 详细信息

提出了由一个竖直的锑化铟(InSb)棒和两个水平的InSb棒组成的F型电磁感应透明结构。利用时域有限积分法计算了该结构的电磁特性,计算后得知,竖直InSb棒为电磁感应透明中的明模,两个水平InSb棒为暗模。本文通过改变两个水平InSb棒的距离以及竖直InSb棒与水平InSb棒的间距研究了电磁感应透明窗口的变化趋势,结果发现,电磁感应透明窗口的透射振幅出现了从开到关的状态调制。同时,由于InSb具有温度敏感特性,因此升高InSb的温度,可使电磁感应透明窗口的中心频率向高频移动,实现了对太赫兹波的主动调谐。该研究结果在光信号处理、光存储和慢光器件等方面具有潜在的应用前景。

关键词：光谱学太赫兹电磁感应透明锑化铟主动调制

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锑化铟位错显示中后处理的效果

激光与红外 1990年第3期20卷 46-49页

作者：马全喜河北大学物理系

本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法,并通过大量的实验证实了这种方法的可行性。这种方法无须象传统方法那样对样品进行严格的研磨、抛光,将制作、显示一个样品所需时间由原来的80min左右缩短为5min左右。本... 详细信息

本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法,并通过大量的实验证实了这种方法的可行性。这种方法无须象传统方法那样对样品进行严格的研磨、抛光,将制作、显示一个样品所需时间由原来的80min左右缩短为5min左右。本方法具有迅速、准确、简单可靠等特点,可供研究晶体缺陷时参考。

关键词：锑化铟位错显示后处理

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锑化铟单晶材料研究进展

激光与红外 2024年第2期54卷 235-241页

作者：折伟林赵超董涛王成刚中国电子科技集团公司第十一研究所北京100015

锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文... 详细信息

锑化铟(InSb)材料因其特殊性质,是一种重要的中波红外探测、霍尔元件材料。本文总结了InSb材料的需求现状以及国内外主流InSb材料厂商的研究进展,重点介绍了中国电子科技集团公司第十一研究所在InSb材料方面的最新研究进展。最后,本文提出了InSb材料未来发展趋势。

关键词：锑化铟红外探测,研究进展,发展趋势

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锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究

电子器件 2019年第3期42卷 563-568页

作者：亢喆曹海娜邱国臣肖钰中国电子科技集团公司第十一研究所

设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作... 详细信息

设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响。改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。

关键词：锑化铟预处理脱水干燥焦平面红外探测器