检索结果-南通市图书馆

作者：付晓静东北师范大学

学位级别：硕士

忆阻器作为第四个基本无源电子元件引起了广泛关注,其结构简单、便于集成等优势在非易失性存储和突触仿生模拟等领域有很大的应用潜力,根据阻变特性可以将忆阻器分为数字型忆阻器和模拟型忆阻器。其中,数字型忆阻器主要应用于非易失性... 详细信息

忆阻器作为第四个基本无源电子元件引起了广泛关注,其结构简单、便于集成等优势在非易失性存储和突触仿生模拟等领域有很大的应用潜力,根据阻变特性可以将忆阻器分为数字型忆阻器和模拟型忆阻器。其中,数字型忆阻器主要应用于非易失性信息存储;而模拟型忆阻器的非线性传输特性与生物突触高度相似,是搭建类脑神经网络的最佳候选者。根据对忆阻器的深入研究,多种转变机制被提出和验证,其中基于银离子迁移的导电细丝机制在不同材料的忆阻器中被探究,因此本文希望成功制备基于银离子迁移的忆阻器件并对器件的性能进行研究,分别实现其在数据存储和神经突触方面的应用,具体研究结果如下:1.为了实现数字型忆阻器阻变特性,我们利用了非晶碳、氧化锌、非晶硅等材料使用磁控溅射法制备了一系列忆阻器进行研究,通过对比转变电压、窗口等参数后,发现Pt/a-Si/Ag器件性能明显优于其他两个器件,且a-Si易于和现有CMOS器件集成从而实现大规模集成电路设计。面对该器件的波动性问题,通过插入AIST缓冲层来优化硅基忆阻器,成功制备了Pt/a-Si/Ag In Sb Te(AIST)/Ag器件,通过物性表征和电学测试,发现优化前后的阻态波动性参数由176.8%/46.2%下降到3.1%/11.9%,转变电压的波动性参数由47.4%/85.7%下降到5.7%/9.8%,器件的循环耐受性也由10次明显增强至大于10次,同时器件具有较快的转变速度(50 ns)、较长的保持时间(10年)、较低的功耗(15 fj)等优势,器件性能的提升可归因于:缓冲层的储Ag能力降低了阻变过程中Ag离子的过量迁移、增强了导电细丝形貌的可控性。2.为了实现模拟型忆阻器阻变特性,我们分别利用磁控溅射法和化学合成法在硅基和有机物材料中引入金属银纳米颗粒,成功制备的Pt/Si:Ag/Ag器件和Pt/PVDF:Ag/Ag器件均能实现模拟型忆阻功能。在研究过程中发现使用磁控溅射法难以调控银纳米颗粒的掺杂比例,使得Pt/Si:Ag/Ag器件阻变连续性较差,不利于实现对神经突触功能的模拟,利用化学合成法可以优化银纳米颗粒浓度,在对不同掺杂浓度的器件进行研究后,发现当掺杂浓度达到140 phr时Pt/PVDF:Ag/Ag器件表现出良好的模拟型阻变特性,器件在激励过程中通过对银离子迁移过程的精确控制,使得该忆阻器可以对神经突触可塑性进行模拟,包括EPSC、PPF、STDP等。尤其是,有机材料的柔性特性还可以使器件具有较好的柔性、可贴合等特征。

关键词：数字型忆阻器模拟型忆阻器银离子迁移非易失性存储器神经突触

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

电子元器件银离子迁移评价方法的探究

引用

家电科技 2018年第7期 84-87,90页

作者：鲍建科松下家电研究开发(杭州)有限公司浙江杭州310018

随着电子设备变得更小、更轻、更先进,使用环境更加恶劣,发生银离子迁移的几率也比以往更大。本文在详细介绍银离子迁移现象、机理的同时,全面分析了影响银离子迁移的各类因素,得出评价银离子迁移切实可行的加速试验方法和时间公式,有... 详细信息

随着电子设备变得更小、更轻、更先进,使用环境更加恶劣,发生银离子迁移的几率也比以往更大。本文在详细介绍银离子迁移现象、机理的同时,全面分析了影响银离子迁移的各类因素,得出评价银离子迁移切实可行的加速试验方法和时间公式,有效地缩短了评价时间。根据经验总结了故障解析的流程以及银离子迁移的发生条件,提出了在银离子迁移过程的每一个步骤中采取措施的策略,防止迁移的再发生。

关键词：银离子迁移加速试验故障解析再发防止

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

贴片电阻银离子迁移的分析

贴片电阻银离子迁移的分析

引用

作者：周朗荣广东美的集团家用空调制冷事业部海外研发中心

电子控制器元器件贴片化已经是目前十分普及的,但由于普通贴片电阻本体的结构问题,在恶劣的使用环境下会实效;其中银离子迁移导致电阻阻值永久性减少,从而导致实效的情况也时有发生;本文将对实效的样品,利用先进的设备下进行系统的分析... 详细信息

电子控制器元器件贴片化已经是目前十分普及的,但由于普通贴片电阻本体的结构问题,在恶劣的使用环境下会实效;其中银离子迁移导致电阻阻值永久性减少,从而导致实效的情况也时有发生;本文将对实效的样品,利用先进的设备下进行系统的分析,呈现出其实效的内部原因,并提出相应的改善方案.

关键词：贴片电阻银离子迁移 ESD 抗硫化

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

厚膜银导体银离子迁移的试验设计要点分析

引用

企业技术开发 2013年第18期 179-180页

作者：廉大桢王社教西京电气总公司

文章对厚膜银导体银离子迁移试验的基本考核条件和试验方法进行了系统分析,由试验结果可知,在直流电场660 V/mm的强度下,经过介质材料和基片材料的更换,能够对银离子的迁移现象产生一定的抑制作用,实现电路可靠性的逐步提高,在具体的厚... 详细信息

文章对厚膜银导体银离子迁移试验的基本考核条件和试验方法进行了系统分析,由试验结果可知,在直流电场660 V/mm的强度下,经过介质材料和基片材料的更换,能够对银离子的迁移现象产生一定的抑制作用,实现电路可靠性的逐步提高,在具体的厚膜混合电路中,银离子迁移主要是表面界面现象的一种体现,且会直接受到材料表面界面性能等因素的影响。

关键词：厚膜银导体银离子迁移设计要点

来源：

同方期刊数据库评论