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南京工业大学学报(自然科学版) 1987年第2期 103-112页

作者：华丙炎邵介圣南京化工学院电子工业部741厂总工程师

本文叙述了用PHI—550型给定的俄歇电子能谱(AES)研究了一种新的、性能优异的二次电子发射材料——MgO薄膜。薄膜由Ag—Mg合金经特殊高温激活工艺处理而成。以前人们对这种薄膜内部的各种元素的化学状态以及纵向原子浓度的分布状态一直... 详细信息

本文叙述了用PHI—550型给定的俄歇电子能谱(AES)研究了一种新的、性能优异的二次电子发射材料——MgO薄膜。薄膜由Ag—Mg合金经特殊高温激活工艺处理而成。以前人们对这种薄膜内部的各种元素的化学状态以及纵向原子浓度的分布状态一直不太清楚,本实验的成功证明了俄歇(Auger)电子能谱是研究这种薄膜的一种非常合适的实验方法。从实验结果中,我们发现如下几点 1.激活后,Mg和O原子的化学状态发生了显著的变化。 2.激活后,Mg、O和Ag原子的纵深分布也发生了显著的变化。 ***原子氧化不充分,为了改进这一缺点,我们发明了一种新工艺。 4.使用新工艺激活,Mg原子可获充分氧化。

关键词：二次电子发射体 MgO薄膜俄歇电子能谱银—镁合金特殊的高温激活工艺

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